PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA
TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN
BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON
MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
SKRIPSI
Diajukan untuk penulisan sebuah skripsi untuk memenuhi salah satu syarat
untuk Memperoleh Gelar Sarjana Sains
Departemen Pendidikan Fisika
Program Studi Fisika
Oleh
Muhammad Fulki Fadhillah
1504791
PROGRAM STUDI FISIKA
DEPARTEMEN PENDIDIKAN FISIKA
FAKULTAS PENDIDIKAN MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA
BANDUNG
2019
PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA
TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN
BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON
MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
Oleh
Muhammad Fulki Fadhillah
Sebuah skripsi yang diajukan untuk memenuhi salah satu syarat memperoleh gelar Sarjana Sains pada Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
© Muhammad Fulki Fadhillah
Universitas Pendidikan Indonesia
Juni 2019
Hak Cipta dilindungi undang-undang.
Skripsi ini tidak boleh diperbanyak seluruhya atau sebagian,
dengan dicetak ulang, difoto kopi, atau cara lainnya tanpa ijin dari penulis
i
MUHAMMAD FULKI FADHILLAH
PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA
TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN
BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON
MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
disetujui dan disahkan oleh:
ii
HALAMAN PERNYATAAN
Dengan ini saya menyatakan bahwa skripsi yang berjudul “Pemodelan Arus
Terobosan Pada Transistor Efek Medan Terobosan Bilayer Armchair Graphene
Nanoribbon Menggunakan Metode Matriks Transfer” ini dan seluruh isinya adalah
benar-benar karya saya sendiri, dan saya tidak melakukan penjiplakan atau
pengutipan dengan cara-cara yang tidak sesuai dengan etika ilmu yang berlaku dalam
masyarakat keilmuan. Atas pernyataan tersebut, saya siap menanggung resiko yang
dijatuhkan kepada saya apabila dikemudian hari ditemukan adanya pelanggaran
terhadap etika keilmuan dalam karya ini, atau ada klaim dari pihak lain terhadap
karya saya.
Bandung, Juni 2019
Yang membuat pernyataan,
Muhammad Fulki Fadhillah
NIM. 1504791
iii
PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA
TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN
BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON
MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
Muhammad Fulki Fadhillah
1504791
Pembimbing 1: Dr. Endi Suhendi, M.Si.
Pembimbing 2: Dr. Dadi Rusdiana, M.Si.
Program Studi Fisika FPMIPA UPI
ABSTRAK
Transistor efek medan terobosan (TFET) merupakan salah satu divais elektronik yang menunjukan perkembangan yang serius. Arus terobosan pada transistor efek medan berbasis BAGNR dimodelkan dengan metode semi-numerik. Profil potensial transistor efek medan dibagi kedalam beberapa segmen pada metode numerik. Metode Matriks Transfer (MMT) merupakan metode numerik yang digunakan pada perhitungan nilai transmitansi elektron. Hasil perhitungan nilai transmitansi elektron dengan metode MMT, arus terobosan diperoleh dari formula Landauer dengan bantuan metode Gauss Legendre Quadratur (GLQ). Arus terobosan dihitung dengan mengubah sejumlah variabel, yaitu tegangan gerbang (VG), tegangan penguras (VD), suhu, lebar BAGNR dan ketebalan lapisan oksida. Pada penelitian ini juga dilakukan perhitungan terhadap cut-off frequency pada transistor efek medan terobosan. Hasil perhitungan arus terobosan menunjukan bahwa semakin besar nilai VG dapat mempengaruhi arus saturasi. Hasil perhitungan arus terobosan menunjukan bahwa semakin tinggi suhu, maka semakin rendah nilai arus terobosan. Hasil perhitungan arus terobosan juga menunjukan bahwa semakin lebar AGNR maka arus terobosan semakin besar, hal ini disebabkan oleh pengaruh lebar AGNR yang membuat celah energi (Eg) semakin rendah. Nilai cut-off frequency pada transistor efek medan terobosan berbahan BAGNR yang tercatat pada penelitian ini adalah 3.96-8.68 THz. Kata kunci: arus terobosan, transistor efek medan terobosan, BAGNR, MMT, cut-off frequency
iv
MODELLING OF TUNNELING CURRENT
IN BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON
TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR
USING TRANSFER MATRIX METHOD
Muhammad Fulki Fadhillah
1504791
Pembimbing 1: Dr. Endi Suhendi, M.Si.
Pembimbing 2: Dr. Dadi Rusdiana, M.Si.
Program Studi Fisika FPMIPA UPI
ABSTRACT
Tunneling field effect transistor (TFET) is one electronic device that shows serious development. A tunneling current in BAGNR-based field effect transistors is modeled by semi-numeric methods. Potential profiles of field effect transistors are divided into several segments in numerical methods. The Transfer Matrix Method (MMT) is a numerical method used in calculating electron transmittance values. The results of the calculation of electron transmittance values by the MMT method, the tunneling current was obtained from the Landauer formula with the help of the Gauss Legendre Quadratur (GLQ) method. tunneling current is calculated by changing a number of variables, namely gate voltage (VG), drainage voltage (VD), temperature, width of BAGNR and thickness of the oxide layer. In this study, the calculation of the cut-off frequency on the tunneling field effect transistor was also carried out. The results of the tunneling current calculation show that the greater the value of VG can affect the saturation current. The results of the tunneling current calculation show that the higher the temperature, the lower the breakthrough current value. The calculation of the tunneling current also shows that the wider the BAGNR, the greater the tunneling current, this is due to the influence of BAGNR width which makes the energy gap (Eg) lower. The value of the cut-off frequency on the tunnelling field effect transistor BAGNR recorded in this study is 3.96-8.68 THz. Keywords: tunneling current, tunneling field effect transistor, BAGNR, MMT, cut-off frequency
v
KATA PENGANTAR
Puji syukur penulis panjatkan kehadirat Allah SWT. karena hanya atas
rahman dan rahim-Nya lah penulis dapat menyelesaikan skripsi dengan judul
“Pemodelan Arus Terobosan Pada Transistor Efek Medan Terobosan Bilayer
Armchair Graphene Nanoribbon Menggunakan Metode Matriks Transfer”.
Shalawat serta salam semoga tetap tercurah kepada Nabi Muhammad SAW,
kepada keluarganya, sahabat-sahabatnya, tabi’it tabi’in dan seluruh ummatnya yang
selalu taat dan patuh pada ajarannya.
Penulis yakin bahwa dalam penulisan skripsi ini tidak akan terlaksana tanpa
adanya bimbingan dan arahan dari berbagai pihak. Begitu pula penulis menyadari
sepenuhnya penulisan ini masih jauh dari kesempurnaan dikarenakan keterbatasan
ilmu pengetahuan yang penulis miliki. Oleh karena itu saran maupun kritik yang
sifatnya membangun sangat penulis harapkan demi perbaikan di masa yang akan
datang.
Semoga penelitian ini dapat bermanfaat dan menambah wawasan, serta
menjadi sumbangan yang cukup berarti bagi dunia ilmu pengetahuan. Semoga semua
pihak yang telah memberikan bantuan apapun kepada penulis mendapatkan yang
terbaik dari Allah SWT.
Akhir kata semoga Allah SWT senantiasa membuka jalan bagi peningkatan
kualitas ilmu pengetahuan dalam upaya mendapatkan ridho-Nya. Amiin
Bandung, Juni 2019
Penulis
vi
UCAPAN TERIMA KASIH
Puji syukur penulis panjatkan kehadirat Allah SWT karena hanya atas
rahman dan rahim-Nya lah penulis dapat menyelesaikan skripsi ini. Penulis yakin
skripsi ini tidak akan terwujud tanpa adanya do’a, bantuan, motivasi, arahan, dan
bimbingan dari orang-orang terdekat. Pada kesempatan ini penulis ingin
menyampaikan ucapan terimakasih dan penghargaan yang sebesar-besarnya kepada:
1. Tuhan Yang Maha Esa karena rahmat dan karunia-Nya sehingga
penulis dapat melaksanakan penelitian dan penulisan skripsi ini.
2. Orang tua penulis yang telah mendidik, memberikan dukungan do’a
dan motivasi terbaik bagi penulis serta mengajarkan arti berusaha
dan bekerja keras.
3. Bapak Dr. Endi Suhendi, M.Si selaku pembimbing 1 yang sudah
banyak meluangkan waktu dan kesempatan bagi penulis dalam
memberikan arahan mengenai dunia penelitian.
4. Bapak Dr. Dadi Rusdiana, M.Si selaku pembimbing 2 yang sudah
banyak meluangkan waktu bagi penulis dalam memberikan arahan
dan masukan dalam penulisan skripsi ini.
5. Teman-teman satu kelompok bidang kajian fisika material yang
selalu menjadi tempat berdiskusi selama proses penulisan skripsi.
6. Teman satu angkatan baik yang sudah lulus maupun yang masih
dalam proses kelulusan bersama penulis yang tidak bisa disebutkan
satu persatu. Semoga semua yang telah diberikan kepada penulis menjadi barokah dan
dibalas kebaikan oleh Allah SWT. Amiin.
vii
DAFTAR ISI
HALAMAN PENGESAHAN ......................................................................... i
HALAMAN PERNYATAAN ....................................................................... ii
ABSTRAK .................................................................................................... iii
KATA PENGANTAR ................................................................................... v
UCAPAN TERIMA KASIH ......................................................................... vi
DAFTAR ISI ................................................................................................ vii
DAFTAR GAMBAR ..................................................................................... x
DAFTAR TABEL ........................................................................................ xii
DAFTAR LAMPIRAN ............................................................................... xiii
BAB I ............................................................................................................. 1
PENDAHULUAN ......................................................................................... 1
Latar Belakang ................................................................................... 1
Rumusan Masalah .............................................................................. 5
Tujuan Penelitian ............................................................................... 6
Manfaat Penelitian ............................................................................. 6
Sistematika Penulisan ........................................................................ 7
BAB II ............................................................................................................ 8
TINJAUAN PUSTAKA ................................................................................ 8
Graphene ........................................................................................... 8
2.1.1. Sifat dan Karakteristik Graphene ...................................................... 8
2.1.2. Struktur Dasar Graphene ................................................................... 8
Bilayer Graphene ............................................................................... 9
2.2.1. Struktur Bilayer Graphene ................................................................. 9
2.2.2. Struktur Pita Energi BGNR ............................................................. 11
viii
Tunnel Field Effect Transistor ......................................................... 12
2.3.1. Cut-off Frequency ............................................................................ 14
Metode Matriks Transfer ................................................................. 15
Profil Potensial TFET ...................................................................... 16
BAB III ........................................................................................................ 18
METODE PENELITIAN ............................................................................. 18
Perhitungan Transmitansi ................................................................ 18
Perhitungan Arus Terobosan dengan MGLQ .................................. 19
Prosedur Penelitian .......................................................................... 20
Alur Penelitian ................................................................................. 21
BAB IV ........................................................................................................ 24
HASIL DAN PEMBAHASAN .................................................................... 24
Perhitungan Transmitansi dan Arus Terobosan Transistor Efek
Medan .............................................................................................. 24
4.1.1. Hasil Perhitungan Transmitansi Elektron ........................................ 24
4.1.2. Hasil Perhitungan Arus Terobosan Terhadap Tegangan Gerbang
(VG) dan Tegangan Drain (VD) ........................................................ 26
4.1.3. Hasil Perhitungan Arus Terobosan Terhadap Variasi Indeks (N) ... 29
4.1.4. Hasil Perhitungan Arus Terobosan Terhadap Suhu ......................... 31
4.1.5. Hasil Perhitungan Arus Terobosan Terhadap perubahan ketebalan
lapisan oksida ................................................................................... 34
4.1.6. Perbandingan Arus Terobosan pada Transistor Efek Medan antara
BAGNR dengan Monolayer AGNR ................................................ 37
4.1.7. Perhitungan Arus Terobosan Transistor Efek Medan Terobosan
dengan Variasi Panjang Divais (L) .................................................. 40
4.1.8. Perhitungan Cut-Off frequency pada Transistor Efek Medan
Terobosan ........................................................................................ 43
BAB V .......................................................................................................... 45
ix
SIMPULAN DAN REKOMENDASI ......................................................... 45
Simpulan .......................................................................................... 45
Rekomendasi .................................................................................... 46
DAFTAR PUSTAKA .................................................................................. 47
LAMPIRAN – LAMPIRAN ........................................................................ 52
RIWAYAT HIDUP PENULIS .................................................................... 67
x
DAFTAR GAMBAR
Gambar 2.1. Ilustrasi tepian armchair (a) dan zigzag (b) pada graphene. ..... 9
Gambar 2.2. Struktur Atomic pada Bilayer Graphene. ................................ 10
Gambar 2.3 (a) Struktur divais AGNR TFET (b) diagram pita energi dengan
tegangan panjar maju pada gerbang . ................................... 13
Gambar 2.4. Struktur Bilayer graphene field effect transistor. .................... 14
Gambar 2.5. Profil Potensial TFET.............................................................. 17
Gambar 3.1. Diagram Alur Penelitian …...………………………………. 22
Gambar 3.2. Flowchart Perhitungan Arus Terobosan……………………. 23
Gambar 4.1 Transmitansi elektron pada transistor efek medan BAGNR .... 25
Gambar 4.2 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VD dengan VG
= 0.05, 0.1, 0.15, 0.2 dan 0.25 V, T = 300 K, w=5 nm. .......... 26
Gambar 4.3 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VG dengan
tegangan drain VD = 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 V, T = 300 K,
w = 5nm dan toks = 1 nm. ...................................................... 28
Gambar 4.4 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VBE dengan
Indeks N = 19, 28, 34, 43, T = 300 K dan VG = 0.1 V ........... 30
Gambar 4.5 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VD dengan
berbagai nilai T = 7, 250, 500 K, w = 5 nm ............................ 32
Gambar 4.6 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VG dengan
berbagai nilai T = 7, 250, 500 K, toks = 1 nm dan w = 5 nm . 33
Gambar 4.7 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VG dengan
ketebalan lapisan oksida toks = 0.5, 1 , 2.5 nm, T = 300 K dan
VD = 0.1 V. ............................................................................. 35
Gambar 4.8 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VG dengan
ketebalan lapisan oksida toks = 0.5,1, 2.5 nm, T = 300 K dan
VD = 0.1 V. ............................................................................. 36
Gambar 4.9 Plot hasil perhitungan arus terobosan terhadap VD untuk
monolayer AGNR dan BAGNR dengan lebar pita w = 4 nm,
T = 300 K dan VG = 0.1 V ..................................................... 39
xi
Gambar 4.10 Plot Arus terobosan terhadap tegangan drain untuk variasi
panjang divais L = 10nm, 20nm, 30nm. ................................. 41
Gambar 4.11 Plot Cut-off Frequency terhadap tegangan gerbang untuk
variasi lebar pita BAGNR w = 2nm, 3nm, 4nm dan 5nm. ..... 41
xii
DAFTAR TABEL
Tabel 4.1 Nilai Eg dan m* pada monolayer dan bilayer .............................. 38
xiii
DAFTAR LAMPIRAN
Lampiran 1.
Penurunan secara analitik perhitungan transmitansi.
Lampiran 2.
Kode sumber perhitungan transmitansi dalam bahasa pemrograman
MATLAB.
Lampiran 3.
Kode sumber perhitungan arus terobosan BAGNR dengan MMT dengan
bahasa pemrograman Wolfram Mathematica.
47
Muhammad Fulki Fadhillah, 2019 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER Universitas Pendidikan Indonesia | reporsitory.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
DAFTAR PUSTAKA
Aswathy, M., Biju, N. M., & Komaragiri, R. (2013, August). Comparison of a
30nm Tunnel Field Effect Transistor and CMOS Inverter
Characteristics. International Conference on Advances in Computing
and Communications (pp. 149-152)
Avci, U. E., Morris, D. H., & Young, I. A. (2015). Tunnel field-effect
transistors: Prospects and challenges. Journal of the Electron Devices
Society, 3(3), 88-95.
Baker, R. J. (2019). CMOS: circuit design, layout, and simulation. Wiley-IEEE
press.
Bimo, C. S. P., Noor, F. A., Abdullah, M., & Khairurrijal. (2014). A Theoretical
Model of Band-to-Band Tunneling Current in an Armchair Graphene
Nanoribbon Tunnel Field-Effect Transistor. Advanced Materials
Research, 896, 371–374.
Boskovic, B. O., Stolojan, V., Khan, R. U., Haq, S., & Silva, S. R. P. (2002).
Large-area synthesis of carbon nanofibres at room temperature. Nature
materials, 1(3), 165.
Cattelan, M., Agnoli, S., Favaro, M., Garoli, D., Romanato, F., Meneghetti, M.,
... & Granozzi, G. (2013). Microscopic view on a chemical vapor
deposition route to boron-doped graphene nanostructures. Chemistry of
Materials, 25(9), 1490-1495.
Cerdeira, A., Estrada, M., Alvarado, J., Garduño, I., Contreras, E., Tinoco, J.,
... & Flandre, D. (2013). Review on double-gate MOSFETs and
FinFETs modeling. Electronics and Energetics, 26(3), 197-213.
Chander, S., & Baishya, S. (2016). Two-dimensional model of a heterojunction
silicon-on-insulator tunnel field effect transistor. Superlattices and
Microstructures, 90, 176-183.
Dash, S., Sahoo, G. S., & Mishra, G. P. (2016). Improved cut-off frequency for
cylindrical gate TFET using source delta doping. Procedia Technology,
25, 450-455.
Enoki, T., Fujii, S., & Takai, K. (2012). Zigzag and armchair edges in
graphene. Carbon, 50(9), 3141-3145.
48
Muhammad Fulki Fadhillah, 2019 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER Universitas Pendidikan Indonesia | reporsitory.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
Geim, A. K., & Novoselov, K. S. (2007). The rise of graphene. Nature
Materials, 6(3), 183–191.
Griffiths, D. J. (1999). Introduction to electrodynamics (3rd ed). Upper Saddle
River, N.J: Prentice Hall.
Jacoboni, C., Canali, C., Ottaviani, G., & Alberigi Quaranta, A. (1977). A
review of some charge transport properties of silicon. Solid-State
Electronics, 20(2), 77–89.
Jan, C. H., Bai, P., Biswas, S., Buehler, M., Chen, Z. P., Curello, G., ... & Jalan,
U. (2008, December). A 45nm low power system-on-chip technology
with dual gate (logic and I/O) high-k/metal gate strained silicon
transistors. IEEE International Electron Devices Meeting (pp. 1-4).
IEEE.
Jirauschek, C. (2009). Accuracy of transfer matrix approaches for solving the
effective mass Schrödinger equation. IEEE Journal of Quantum
Electronics, 45(9), 1059-1067.
Katkov, V. L., & Osipov, V. A. (2017). Tunneling-based graphene electronics:
Methods and examples. Journal of Vacuum Science & Technology B,
Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing,
Measurement, and Phenomena, 35(5), 050801.
Kish, L. B. (2002). End of Moore's law: thermal (noise) death of integration in
micro and nano electronics. Physics Letters A, 305(3-4), 144-149.
Knoch, J., & Appenzeller, J. (2008). Tunneling phenomena in carbon nanotube
field-effect transistors. Physica status solidi. A, Applications and materials
science, 205(4), 679-694.
Kumari, P., Dash, S., & Mishra, G. P. (2015). Impact of technology scaling on
analog and RF performance of SOI–TFET. Advances in Natural Sciences:
Nanoscience and Nanotechnology, 6(4), 045005.
Li, W. (2010). Generalized free wave transfer matrix method for solving the
Schrödinger equation with an arbitrary potential profile. IEEE Journal of
Quantum Electronics, 46(6), 970-975.
Liu, Y., Li, W., Qi, M., Li, X., Zhou, Y., & Ren, Z. (2015). Study on temperature-
dependent carrier transport for bilayer graphene. Physica E: Low-
49
Muhammad Fulki Fadhillah, 2019 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER Universitas Pendidikan Indonesia | reporsitory.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
dimensional Systems and Nanostructures, 69, 115-120.
Maldonado, S., Morin, S., & Stevenson, K. J. (2006). Structure, composition, and
chemical reactivity of carbon nanotubes by selective nitrogen
doping. Carbon, 44(8), 1429-1437.
McCann, E., & Koshino, M. (2013). The electronic properties of bilayer
graphene. Reports on Progress in Physics, 76(5), 056503.
Morozov, S. V., Novoselov, K. S., Katsnelson, M. I., Schedin, F., Elias, D. C.,
Jaszczak, J. A., & Geim, A. K. (2008). Giant intrinsic carrier mobilities in
graphene and its bilayer. Physical review letters, 100(1), 016602.
Nakagawa, A. (2006). Theoretical investigation of silicon limit characteristics of
IGBT. International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
(pp. 1-4).
Nabila, E., & Noor, F. A. (2017). Comparison of Electron Transmittance and
Tunneling Current through a Trapezoidal Potential Barrier with Spin
Polarization Consideration by using Analytical and Numerical Approaches.
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (Vol. 214, No.
1, p. 012038).
Nilsson, P. (2006, December). Arithmetic reduction of the static power
consumption in nanoscale CMOS. 13th IEEE International Conference on
Electronics, Circuits and Systems (pp. 656-659)
Pradhan, K. P., Mohapatra, S. K., Sahu, P. K., & Behera, D. K. (2014). Impact of
high-k gate dielectric on analog and RF performance of nanoscale DG-
MOSFET. Microelectronics journal, 45(2), 144-151.
Radadiva T. M. (2015). Properties of graphene. European Journal of Material
Sciences 2(1) ,6-18
Raza, H., (2012),Graphene Nanoelectronics ; Metrology, Synthesis, Properties and
Applications, Springer-Verlag: New York.
Russo, S., Craciun, M. F., Khodkov, T., Koshino, M., Yamamoto, M., & Tarucha,
S. (2011). Electronic Transport Properties of Few-Layer Graphene
Materials. Graphene-Synthesis, Characterization, Properties and
Applications.
50
Muhammad Fulki Fadhillah, 2019 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER Universitas Pendidikan Indonesia | reporsitory.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
Roh, H. B., Seo, J. H., Yoon, Y. J., Bae, J. H., Cho, E. S., Lee, J. H., ... & Kang, I.
M. (2014). Evaluation of Radio-Frequency Performance of Gate-All-
Around Ge/GaAs Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor with
Hetero-Gate-Dielectric by Mixed-Mode Simulation. Journal of Electrical
Engineering & Technology, 9(6), 2070-2078.
Rozhkov, A. V., Sboychakov, A. O., Rakhmanov, A. L., & Nori, F. (2016).
Electronic properties of graphene-based bilayer systems. Physics
Reports, 648, 1-104.
Shangguan, W. Z., Zhou, X., Chiah, S. B., See, G. H., & Chandrasekaran, K. (2005).
Compact gate-current model based on transfer-matrix method. Journal of
applied physics, 97(12), 123709.
Suhendi, E., Syariati, R., Noor, F. A., Kurniasih, N., & Khairurrijal. (2014, March).
Model of a tunneling current in a pn junction based on armchair graphene
nanoribbons-an Airy function approach and a transfer matrix method. AIP
Conference Proceedings (Vol. 1589, No. 1, pp. 91-94).
Suhendi, E., Syariati, R., Noor, F. A., & Kurniasih, N. (2015). Simulation of Dirac
Electron Tunneling Current in Armchair Graphene Nanoribbon Tunnel
Field-Effect Transistors Using a Transfer Matrix Method. Advanced
Materials Research, 1112, 128.
Suhendi, E., Noor, F. A., & Kurniasih, N. (2014). Modeling of Drain Current in
Armchair Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor Using Transfer
Matrix Method. Advanced Materials Research, (896).
Singh, S., & Chakrabarti, P. (2012). Simulation, fabrication and characterization of
sol–gel deposited ZnO based thin film transistors. Science of Advanced
Materials, 4(2), 199-203.
Singh, P. K., Kumar, S., Chander, S., Baral, K., & Jit, S. (2017, December). Impact
of Strain on Electrical Characteristic of Double-Gate TFETs with a SiO
2/RfO 2 Stacked Gate-Oxide Structure. 14th IEEE India Council
International Conference (INDICON) (pp. 1-5).
Sustini, E., & Syariati, R. (2018, November). TFET IV characteristics made of
bilayer Armchair Grafene Nano Ribbon (AGNR). Journal of Physics:
Conference Series(Vol. 1120, No. 1, p. 012095). IOP Publishing.
51
Muhammad Fulki Fadhillah, 2019 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN TRANSISTOR EFEK MEDAN TEROBOSAN BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER Universitas Pendidikan Indonesia | reporsitory.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
Sutrisno (1986), Elektronika : Teori dan Penerapannya 1, Bandung : Penerbit ITB
Sze, S. M. (1981). Physics of Semiconductor Devices. John Wiley, New York NY,
122-129.
Thompson, S. E., & Parthasarathy, S. (2006). Moore's law: the future of Si
microelectronics. Materials today, 9(6), 20-25.
Turkane, S. M., & Kureshi, A. K. (2016). Review of tunnel field effect transistor
(TFET). International Journal of Applied Engineering Research, 11(7),
4922-4929.
Thorat, K.S., & Turkane, S.M. (2014). A Comparative Analysis of Tunneling FET
Characteristics for Low Power Digital Circuits. International Journal of
Applied Engineering Research 4(1)
Vallée, O., & Soares, M. (2010). Airy functions and applications to physics. World
Scientific Publishing Company.
Wakabayashi, K., Fujita, M., Ajiki, H., & Sigrist, M. (1999). Electronic and
magnetic properties of nanographite ribbons. Physical Review B, 59(12),
8271–8282. http://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.8271
Wang, P. F., Hilsenbeck, K., Nirschl, T., Oswald, M., Stepper, C., Weis, M., ... &
Hansch, W. (2004). Complementary tunneling transistor for low power
application. Solid-State Electronics, 48(12), 2281-2286.
Young, H. D. (2012). Sears and Zemansky’s university physics: with modern
physics (13th ed.). San Francisco: Addison-Wesley.
Zhang, Q., Fang, T., Xing, H., Seabaugh, A., & Jena, D. (2008). Graphene
Nanoribbon Tunnel Transistors. IEEE Electron Device Letters, 29(12),
1344–1346.
Zang, S. G., Liu, X. Y., Lin, X., Liu, L., Liu, W., Zhang, D. W., ... & Hansch, W.
(2010, November). Applications of tunneling fet in memory devices. IIEEE
International Conference on Solid-State and Integrated Circuit
Technology (pp. 1238-1240). IEEE.