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SEGUNDA SEMANA FEBREROCURSO 2011-2012
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1- El circuito de la figura emplea realimentacin negativa. Suponiendo que los
amplificadores operacionales son ideales, y usando la restriccin del punto suma,
analizar el circuito para hallar el valor deov
.
A)
VVO 11=
)
VVO 1=
!)
VVO 11=
")
VVO 1#=
$esolucin%
Se&alando las corrientes y los nodos%
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'or la restriccin del punto-suma, tenemos%
((=i
VVV BA ==
*odo !%
VkmARiVV CA +-#1 ===
"e dnde%
VVVVVV AC 1++ ===
!mo%
VVV Co 1==
a respuesta es%
)
VVo 1=
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#- Se dispone de un diodo a una temperatura de ( /!. S0itamente se le aplica una
corriente directa de 1((( mA y la tensin pasa a ser de (,2 3. Al pasar varios
minutos el diodo se calienta deido a la disipacin de potencia y la tensin a4ahasta (, 3. !alcular la temperatura final del diodo.
A)
CTfinal /1((=
)
CTfinal /5(=
!)
CTfinal /1)(=
")
CTfinal /1(=
$esolucin%
A medida que el diodo se calienta, su tensin directa disminuye apro6imadamente #
m3 7 /!. As8, el aumento de la temperatura viene dado por%
( )CmVVT 7/#7=
Sustituyendo valores, tendremos%
( ) ./1(()7/#79#,(7/#79),(2,( CCmVVCmVVVT ===
a temperatura del diodo final es%
./1(/1((/( CCCTTT inicialfina l =+=+=
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a respuesta es%
")
./1( CTfinal=
- :n transistor npn tiene un valor de
1((=. "eterminar su regin de
funcionamiento si
AIB =e
mAIC ,#=
A) Se halla en la regin de saturacin
) Se halla en la regin activa!) *os falta informacin para poder afirmar en que regin se halla
") Se halla en la regin de corte
$esolucin%
"ado que no se cumple que
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(>BI
;< =ue la regin de funcionamiento es la de saturacin
CB
II >
>a que tenemos%
mAAIB ,-1(( ==
mAIC ,#=
a respuesta es%
A) Se halla en la regin de saturacin
?- :n chip de un computador contiene #(.((( puertas, que tienen una disipacin de
potencia est@tica igual a cero. En el caso peor la salida de cada puerta oscila a
1(Bz. a disipacin de potencia din@mica total que se permite para el chip es de1(C. Si la tensin de alimentacin es de 3, determinar la carga permitida para
cada puerta.
A)
fFCL 1(=
)
pFCL 5((=
!)
fFCL ?(=
")pFCL 1(=
$esolucin%
a potencia din@mica disipada por el chip viene dada por%
( ) #DDLdi VfCP =
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a capacidad de carga del chip vendr@ dada por%
( ) #DD
disL
Vf
PC =
Sustituyendo valores, la capacidad de carga del chip es%
( ) pF
VHz
WCL +2,#
1(-1(
1(#+
==
'or lo que la capacidad de carga por puerta ser@%
( ) fFpueras
CC Lpuer aL 1
(((.#(==
a respuesta es%
A)( ) fFC pueraL 1=
- :n amplificador presenta una ganancia de corriente en cortocircuito de D.
!uando el amplificador funciona con una carga de 1(( , la ganancia de corriente
es de 2. !alcular la resistencia de salida del amplificador.
A)
=#(((R
)
=#((R
!)
= ((
R
")
=1((R
$esolucin%
- $epresentando el amplificador en cortocircuito, tenemos%
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"nde%
D==== isci
iisc
i
Oi A
iiA
iiA
- $epresentando el amplificador del enunciado en carga, tenemos%
!omo la ganancia de corriente en carga viene dada por%
L
Oisc
LO
O
i
iisc
i
oi
RR
RA
RR
R
i
iA
i
iA
+=
+==
(
"nde, nos dicen que%
2=iA
D=iscA
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=1((LR
Sustituyendo valores%
1((D2
+=
O
O
R
R
OO RR D2((2 =+;