-
■微細配線形成プロセス
0.0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2めっき銅引きはがし強さ
■めっき銅引きはがし強さ
微粗化銅箔
(kN/m)
Ra:0.2~0.3μm
Ra:0.3~0.5μm
※MCL-E-770G タイプ(R)使用、銅めっき厚み20μm
0.0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
銅箔引きはがし強さ
■銅箔引きはがし強さ
一般箔 微粗化銅箔 PF-EL箔 PF-EL箔PF-EL SP箔 PF-EL SP箔
(kN/m)
Ra:0.3~0.5μm
Ra:0.2~0.3μmRa:1.0~3.0μm
※MCL-E-770G タイプ(R)使用、銅箔1.5μm+銅めっき厚み20μm
Ra:0.3~0.5μm
Ra:0.3~0.5μm
PF-ELBuild-up materials
PF-ELPrepreg
Core
Roughness formed byreplica of copper profile.
Stable surface shape
Roughness formed bydesmear.
Press
Build-up materials
Core
Laminate
Desmear
SAP SAP
Via-hole formation & DesmearVia-hole formation
Copper foil Etching
微細配線形成用銅箔
PF-EL
●PF-ELは銅箔粗化形状を利用したセミアディティブ工法(SAP)による、微細配線形成に適した銅箔です。(L/S=5/5μmを実現します。)
●PF-ELはめっき銅との高い密着性が得られます。●プリプレグとともに使用可能であるため、剛性の高い微細配線基板を得ることが できます。
●半導体パッケージ基板●高密度多層配線板
■特 長 ■用 途
■一般仕様 銅箔厚さ(μm) 接着面粗さ(μm)特殊処理層(μm) 構成
12
3
2
1.5
1.5
4
2 , 4
2 , 4
2
2
PF-EL-12
PF-EL-3
PF-EL-2
PF-EL-1.5
PF-EL-1.5SP
品番 主な対応プロセス
SAP*1
SAP*1
MSAP*2
Ra : 0.3~0.4Rz : 1.5~2.5
Ra : 0.3~0.5Rz : 1.5~2.5
Ra : 0.3~0.5Rz : 1.5~2.5
Ra : 0.3~0.5Rz : 1.5~2.5
Ra : 0.2~0.3Rz : 1.0~2.0
PF-EL SPPF-EL
※1)特殊処理層の銅箔粗化形状を利用したSAP。※2)極薄銅箔を給電層(シード層)とするSAP。(MSAP:Modified Semi-Additive Process)
特殊処理層
■表面形状
微粗化銅箔
設計仕様L/S=7/7μm PF-EL SP使用(露光機 LDⅠ)
設計仕様L/S=10/10μm PF-EL使用(露光機 LDⅠ)
■微細配線形成性(SAP)
設計仕様L/S=5/5μm PF-EL SP使用(露光機 Stepper)
20μm 20μm
Ra: 0.3~0.5 Ra: 0.2~0.3
-
■微細配線形成プロセス
0.0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2めっき銅引きはがし強さ
■めっき銅引きはがし強さ
微粗化銅箔
(kN/m)
Ra:0.2~0.3μm
Ra:0.3~0.5μm
※MCL-E-770G タイプ(R)使用、銅めっき厚み20μm
0.0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
銅箔引きはがし強さ
■銅箔引きはがし強さ
一般箔 微粗化銅箔 PF-EL箔 PF-EL箔PF-EL SP箔 PF-EL SP箔
(kN/m)
Ra:0.3~0.5μm
Ra:0.2~0.3μmRa:1.0~3.0μm
※MCL-E-770G タイプ(R)使用、銅箔1.5μm+銅めっき厚み20μm
Ra:0.3~0.5μm
Ra:0.3~0.5μm
PF-ELBuild-up materials
PF-ELPrepreg
Core
Roughness formed byreplica of copper profile.
Stable surface shape
Roughness formed bydesmear.
Press
Build-up materials
Core
Laminate
Desmear
SAP SAP
Via-hole formation & DesmearVia-hole formation
Copper foil Etching