<IGBTモジュール>
2018.6 作成 1 CMH-11871 Ver1.0
CM75MXUB-13T/ CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
MXUB
コレクタ電流 IC ..................................... 7 5 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 6 5 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板(ニッケルめっき) ●スズめっきピン端子 ●RoHS 指令準拠
MXUBP
コレクタ電流 IC ..................................... 7 5 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 6 5 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板(ニッケルめっき) ●スズめっきプレスフィットピン端子 ●RoHS 指令準拠
CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake) ●UL Recognized under UL1557, File No.E323585
用途 インバータ装置,サーボアンプ,電源装置 など
オプション ・PC-TIM 塗布仕様
内部接続図 TERMINAL CODE
1 R 16 TH1 31 N 2 R 17 TH2
3 S 18 GwN
4 S 19 GvN 5 T 20 E 6 T 21 GuN
7 GuP 22 GB
8 U 23 N1
9 U 24 N1
10 GvP 25 P1
11 V 26 P1
12 V 27 B 13 W 28 P 14 W 29 P 15 GwP 30 N
P1(25,26)
N1(23,24)
GuP(7)
U(8,9)
GuN(21)
T(5,6)S(3,4)R(1,2)
P(28,29)
N(30,31) E(20)
TH1(16)
TH2(17)
GvP(10)
V(11,12)
GvN(19)
GwP(15)
W(13,14)
GwN(18)
NTC
B(27)
GB(22)
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 2 CMH-11871 Ver1.0
外形図 単位 mm
MXUB
SECTION A
SECTION B
Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance
0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 3 CMH-11871 Ver1.0
外形図 単位 mm
MXUBP
SECTION A
SECTION B
PCB DRILL HOLE PATTERN Tolerance otherwise specified
Division of Dimension Tolerance 0.5 to 3 ±0.2
over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 4 CMH-11871 Ver1.0
最大定格(指定のない場合,Tvj=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD
記号 項目 条件 定格値 単位 VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 650 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC
コレクタ電流 直流, TC=114 °C (注2, 4) 75
A
ICRM パルス, 繰返し (注3) 150 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C (注2,4) 325 W IE (注1)
エミッタ電流 直流 (注2) 75
A
IERM (注1) パルス, 繰返し (注3) 150 Tv j m a x 最大接合温度 瞬時動作(過負荷等) 175 °C
ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号 項目 条件 定格値 単位
VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 650 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC
コレクタ電流 直流, TC=125 °C (注2, 4) 50
A
ICRM パルス, 繰返し (注3) 100 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C (注2,4) 270 W VRRM ピーク繰返し逆電圧 G-E 間短絡 650 V IF
順電流 直流 (注2) 35
A
IFRM パルス, 繰返し (注3) 70 Tv j m a x 最大接合温度 瞬時動作(過負荷等) 175 °C
コンバータ部 DIODE 記号 項目 条件 定格値 単位
VRRM ピーク繰返し逆電圧 - 800 V Ea 推奨交流入力電圧 実効値 220 V Io 直流出力電流 三相全波整流,Tc=125 °C (注4) 75 A
IFSM サージ順電流 正弦半波 1 サイクル波高値 Tv j =25 °C 900
A
f=60Hz,非繰返し Tv j =150 °C 720
I 2t 電流二乗時間積 1 サイクルサージ順電流 Tv j =25 °C 3375
A2s
Tv j =150 °C 2160 Tjmax 最大接合温度 瞬時動作(過負荷等) 150 °C
モジュール 記号 項目 条件 定格値 単位
V i s o l 絶縁耐電圧 全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 V T C m a x 最大ケース温度 (注4) 125 °C Tv j o p 動作接合温度 連続動作 -40 ~ +150
°C
T s t g 保存温度 - -40 ~ +125
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 5 CMH-11871 Ver1.0
電気的特性(指定のない場合,Tv j=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA VGE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=7.5 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V
VCEsat
(Terminal)
IC=75 A, Tv j =25 °C - 1.45 1.90 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.60 - V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.65 -
VCEsat
(Chip)
IC=75 A, Tv j =25 °C - 1.30 1.55 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.35 - V (注5) Tv j =150 °C - 1.35 -
C i e s 入力容量 - - 10.1 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.5 nF C r e s 帰還容量 - - 0.2 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=75A, VGE=15 V - 0.31 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間
VCC=300 V, IC=75 A, VGE=±15 V, - - 400
t r 上昇時間 - - 200 ns
t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間
RG=8.2 Ω, 誘導負荷 - - 400
t f 下降時間 - - 600
VEC (注 1)
(Terminal)
エミッタ・コレクタ間電圧
IE=75 A, Tv j =25 °C - 1.60 2.05 G-E 間短絡, Tv j =125 °C - 1.70 - V 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.75 -
VEC (注 1)
(Chip)
Tv j =25 °C - 1.40 1.80 IE=75 A, G-E 間短絡 (注5) Tv j =125 °C - 1.40 - V Tv j =150 °C - 1.40 -
t r r (注1) 逆回復時間
VCC=300 V, IE=75 A, VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, 誘導負荷 - - 400 ns
Qr r (注1) 逆回復電荷 - 6.0 - μC
Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=300 V, IC=IE=75 A, - 2.1 - Eoff ターンオフスイッチング損失 VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, Tv j =150 °C, - 4.0 - mJ Err
(注1) 逆回復損失 誘導負荷, 1 パルスあたり - 4.5 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω
ブレーキ部 IGBT/FWD
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA VGE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=5.0 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V
VCEsat
(Terminal)
IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.40 1.85 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.55 - V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.60 -
VCEsat
(Chip)
IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.30 1.55 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.35 - V (注5) Tv j =150 °C - 1.35 -
C i e s 入力容量 - - 6.7 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.3 nF C r e s 帰還容量 - - 0.1 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=15 V - 0.21 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間
VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, - - 400
t r 上昇時間 - - 200 ns
t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間
RG=12 Ω, 誘導負荷 - - 400
t f 下降時間 - - 600
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 6 CMH-11871 Ver1.0
電気的特性(続き:指定のない場合,Tv j=25 °C) ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, RG=12 Ω, - 0.9 -
mJ
Eoff ターンオフスイッチング損失 Tv j =150 °C, 誘導負荷, 1 パルスあたり - 2.3 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω IRRM 逆電流 VR=VRRM, G-E 間短絡 - - 1.0 mA
VF
(Terminal)
IF=35 A, Tv j =25 °C - 1.55 2.10 G-E 間短絡 Tv j =125 °C - 1.65 - V
順電圧 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.70 -
VF
(Chip)
Tv j =25 °C - 1.45 1.85 IF=35 A, G-E 間短絡 (注5) Tv j =125 °C - 1.50 - V Tv j =150 °C - 1.50 -
t r r (注1) 逆回復時間 VCC=300 V, IF=35 A, VGE=±15 V, - - 400 ns
Qr r (注1) 逆回復電荷 RG=18 Ω, 誘導負荷 - 4.0 - μC
Err (注1) 逆回復損失
VCC=300 V, IF=50 A, VGE=±15 V, RG=12 Ω, - 2.2 - mJ
Tv j =150 °C, 誘導負荷, 1 パルスあたり
コンバータ部 IGBT/DIODE
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 IRRM 逆電流 VR=VRRM, Tv j =150 °C - - 20 mA
VF
(Terminal) 順電圧 IF=75 A
Tv j =25 °C - 1.25 1.70
V
Tv j =150 °C - 1.20 -
VF
(Chip) Tv j =25 °C - 1.15 1.40
Tv j =150 °C - 1.10 -
NTC サーミスタ部
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 R25 ゼロ負荷抵抗値 TC=25 °C (注4) 4.85 5.00 5.15 kΩ ΔR/R 抵抗値許容差 R100=493 Ω, TC=100 °C (注4) -7.3 - +7.8 % B(25/50) B 定数 計算式による値 (注6) - 3375 - K P25 電力損失 TC=25 °C (注4) - - 10 mW
熱的特性
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 Rt h ( j - c ) Q
熱抵抗 接合・ケース間, インバータ IGBT, 1 素子あたり (注4) - - 458
K/kW
Rt h( j - c ) D 接合・ケース間, インバータ FWD, 1 素子あたり (注4) - - 594 Rt h ( j - c ) Q
熱抵抗 接合・ケース間, ブレーキ IGBT (注4) - - 554
K/kW
Rt h( j - c ) D 接合・ケース間, ブレーキ DIODE (注4) - - 1346 Rt h ( j - c ) D 接合・ケース間, コンバータ DIODE , 1 素子あたり (注4) 650
Rt h ( c - s ) 接触熱抵抗 ケース・ヒートシンク間 熱伝導性グリース塗布 (注4,7) - 20.2 -
K/kW 1 モジュールあたり PC-TIM 塗布 (注4,8) - 5.5 -
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 7 CMH-11871 Ver1.0
機械的特性
記号 項目 条件 規格値
単位
最小 標準 最大 Ms 締付けトルク 取付け M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N·m
ds 沿面距離 はんだ付けピン端子(MXUB)
端子間 10.9 - -
mm
端子・ベース板間 18.3 - -
プレスフィットピン端子(MXUBP) 端子間 5.2 - - 端子・ベース板間 16.1 - -
da 空間距離 はんだ付けピン端子(MXUB)
端子間 6.5 - - 端子・ベース板間 13.1 - -
プレスフィットピン端子(MXUBP) 端子間 5.0 - - 端子・ベース板間 16.1 - -
ec ベース板平面度 X, Y 各中心線上 (注9) ±0 - +200 μm m 質量 - - 165 - g
推奨動作条件 記号 項目 条件
規格値 単位
最小 標準 最大
VCC 電源電圧 P1-N1 端子間 - 300 450 V VGEon ゲート(駆動)電圧 G*P-*/G*N-E/GB-E 端子間 (*=U,V,W) 13.5 15.0 16.5 V
RG 外部ゲート抵抗 インバータ部 IGBT 1 素子あたり 8.2 - 82
Ω
ブレーキ部 IGBT 12 - 120
* : 本製品は RoHS※指令(2011/65/EU)に準拠しています。 ※Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.
注 1. フリーホイールダイオード(FWD)の定格又は特性を示します。 2. 接合温度は,最大接合温度(Tv jm ax)以下です。 3. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が,最大接合温度(Tv jm ax)を越えない値とします。 4. ケース温度(TC)及びヒートシンク温度(Ts)の定義点は,チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は,チップ配置図のとおりです。 5. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が無視できる値とします。
6. )TT
/()RRln(B )/(
502550
255025
11−=
R25:絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15 R50:絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15
7. 標準値は,熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です。 8. 標準値は,熱伝導率 λ=3.4 W/(m·K) の PC-TIM を厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です。 9. ベース板(取付面)平面度測定箇所は,下図のとおりです。
Y
X
+:Convex
-:Concave
+:C
onve
x
-:Con
cave
Mounting side
Mounting side
Mounting side
2 mm
2 mm
10 プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は,下記仕様のタッピンねじをご使用ください。 プリント基板厚み : t=1.6 仕様 メーカ 寸法 締付けトルク 締付け方法 (1) PT EJOT 社(独) K25×8 0.55 ± 0.055 N・m (2) PT K25×10 0.75 ± 0.075 N・m 手作業(電動ドライバー30 rpm 相当) (3) DELTA PT 25×8 0.55 ± 0.055 N・m ~電動ドライバー 600 rpm 以下 (4) DELTA PT 25×10 0.75 ± 0.075 N・m (5) B1 タッピンねじ - 呼び径(φ)2.6×10 0.75 ± 0.075 N・m 又は,呼び径(φ)2.6×12
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 8 CMH-11871 Ver1.0
チップ配置図 (Top view) 単位:mm, 公差:±1 mm MXUB
MXUBP
Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: DIODE (*=U/V/W), DiBr: BRAKE DIODE, CR*P/CR*N: CONVERTER DIODE (*=R/S/T), Th: NTC thermistor
オプション:PC-TIM 塗布ベース板(モジュール裏面)図 MXUB MXUBP
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 9 CMH-11871 Ver1.0
試験回路及び試験波形
VCC
-VGE
+VGE
-VGE +
vCE
vGE 0
iE
iC
P1
N1
*
G*P
*
G*N
E
Load
RG
*: U, V, W
~
t
t f t r td ( o n )
iC
10%
90 %
90 % vGE ~
~
~
0 V
0 A
0
td ( o f f ) t
Ir r
Qrr=0.5×Irr×trr
0.5×Irr
t tr r
iE
0 A
IE
スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形
0.1×ICM
ICM VCC vCE
iC
t 0
t i
0.1×VCC
0.1×VCC
VCC ICM
vCE iC
t 0 0.02×ICM
t i
IEM
vEC iE
t 0 V
t i
t
VCC
0 A
IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 FWD 逆回復損失
スイッチング損失及び逆回復損失試験波形(積分時間説明図)
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 10 CMH-11871 Ver1.0
試験回路
V G-E short-
circuited
25,26
8,9
23,24
7
8,9
21
20
VGE=15 V IC
V G-E short-
circuited
25,26
11,12
23,24
10
11,12
19
20
VGE=15 V IC
V G-E short-
circuited
25,26
13,14
23,24
15
13,14
18
20
VGE=15 V IC
25,26
27
23,24
22
20
IF
V G-E short-
circuited
TrUP TrVP TrWP Brake DIODE
G-E short- circuited
25,26
8,9
23,24
7
8,9
21
20
VGE=15 V IC
V
G-E short- circuited
25,26
11,12
23,24
10
11,12
19
20
VGE=15 V IC
V
G-E short- circuited
25,26
13,14
23,24
15
13,14
18
20
VGE=15 V IC
V
25,26
27
23,24
22
20
VGE=15 V IC
V
TrUN TrVN TrWN Brake IGBT
ゲート・エミッ
タ間短絡
GVP-V, GVN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E, GVP-V, GVN-E, GB-E
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E, GVP-V, GVN-E, GWP-W, GWN-E
VCEs at 試験回路
V G-E short-
circuited
25,26
8,9
23,24
7
8,9
21
20
IE G-E short-
circuited
V G-E short-
circuited
25,26
11,12
23,24
10
11,12
19
20
IE G-E short-
circuited
V G-E short-
circuited
25,26
13,14
23,24
15
13,14
18
20
IE G-E short-
circuited
28,29
1,2
30,31
IF
V
DiUP DiVP DiWP
G-E short- circuited
25,26
8,9
23,24
7
8,9
21
20
IE
V
G-E short- circuited
G-E short- circuited
25,26
11,12
23,24
10
11,12
19
20
IE
V
G-E short- circuited
G-E short- circuited
25,26
13,14
23,24
15
13,14
18
20
IE
V
G-E short- circuited
28,29
1,2
30,31
IF
V
DiUN DiVN DiWN CONVERTER DIODE (ex.phase-R)
ゲート・エミッ
タ間短絡
GVP-V, GVN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E
ゲート・エミッ
タ間短絡
GUP-U, GUN-E, GVP-V, GVN-E, GB-E
VEC 試験回路 VF 試験回路
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 11 CMH-11871 Ver1.0
特性図
インバータ部 出力特性 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) VGE=15 V (チップ)
コレクタ電流
I C
(A
)
コレ
クタ・エミッタ間飽和電圧
V C
Esat
(V)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間電圧特性 フリーホイールダイオード順特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) G-E間短絡 (チップ)
コレクタ・エミッタ間電
圧
V CE
(V)
エミッタ電流
I E
(A
)
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
IC=150 A
IC=75 A
IC=37.5 A
Tv j=25 °C
Tv j=150 °C
Tv j=25 °C
VGE=20 V
10 V
8 V
11 V 13.5 V 15 V
12 V
Tv j=125 °C
Tv j=125 °C
Tv j=150 °C
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 12 CMH-11871 Ver1.0
特性図
インバータ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, RG=8.2 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=300 V, IC=75 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング時間
(n
s)
スイッチング時間
(n
s)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)
スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, IC/IE=75 A, VGE=±15 V, VCC=300 V, RG=8.2 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)
t f
td ( on )
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t r
E o n
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E r r
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t r
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 13 CMH-11871 Ver1.0
特性図
インバータ部 容量特性 フリーホイールダイオード逆回復特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, RG=8.2 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 G-E間短絡, Tv j=25 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
容量
(n
F)
t rr
(ns
), I r
r (
A)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) エミッタ電流 IE (A)
ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25°C VCC=300 V, IC=75 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=458 K/kW, Rth(j -c )D=594 K/kW
ゲート・エミッタ間電圧
V G
E (
V)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL I
MPE
DAN
CE
Zth
(j-c
)
ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)
C i e s
C o e s
C r e s
t r r
I r r
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 14 CMH-11871 Ver1.0
特性図
インバータ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 (逆バイアス安全動作領域) (最大) (最大) VCC≤450 V, RG=8.2~82 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤400 V, RG=8.2~82 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 15 CMH-11871 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 出力特性 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) VGE=15 V (チップ)
コレクタ電流
I C
(A
)
コレ
クタ・エミッタ間飽和電圧
V C
Esat
(V)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間電圧特性 ダイオード順特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) G-E間短絡 (チップ)
コレクタ・エミッタ間電
圧
V CE
(V)
エミッタ電流
I E
(A
)
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
IC=100 A
IC=50 A
IC=25 A
Tv j=25 °C
Tv j=125 °C
Tv j=25 °C
VGE=20 V
10 V
8 V
11 V 13.5 V
15 V
12 V
Tv j=150 °C
Tv j=150 °C
Tv j=125 °C
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 16 CMH-11871 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, RG=12 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング時間
(n
s)
スイッチング時間
(n
s)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)
スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, IC/IE=50 A, VGE=±15 V, VCC=300 V, RG=12 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)
t f
td ( on )
t f
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t r
E o n
E o f f
E r r
E o n E r r
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t r
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<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 17 CMH-11871 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 容量特性 (代表例) G-E間短絡, Tv j=25 °C
容量
(n
F)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25°C VCC=300 V, IC=50 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=554 K/kW, Rth(j -c )D=1346 K/kW
ゲート・エミッタ間電圧
V G
E (
V)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL I
MPE
DAN
CE
Zth
(j-c
)
ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)
C i e s
C o e s
C r e s
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 18 CMH-11871 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 (逆バイアス安全動作領域) (最大) (最大) VCC≤450 V, RG=12~120 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤400 V, RG=12~120 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コンバータ部 コンバータダイオード順特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25 °C Rt h( j - c ) D=650 K/kW
順電流
I F
(A)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL IM
PED
ANC
E Z
th(j
-c)
順電圧 VF (V) 時間 (S)
Tv j=25 °C
Tv j=150 °C
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 19 CMH-11871 Ver1.0
特性図
NTC サーミスタ部 温度特性 (代表例)
抵抗値
R
(k
Ω)
温度 T (°C)
<IGBTモジュール>
CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用 絶縁形
© 2018 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. 2018.6 作成 20 CMH-11871 Ver1.0
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サイクルなど)を有していることや特殊環境下(高湿度,高粉塵,高塩分,高地,有機物・腐食性ガス・爆
発性ガスが多い環境,端子部への過渡な応力)でのご使用により,故障が発生したり,誤動作する場合があ
ります。貴社製品への適用検討にあたって,半導体製品単体で評価するだけでなく,システム全体で十分に
評価し,適用可否を判断いただくとともに,弊社の半導体製品の故障又は誤動作により,結果として,人身
事故,火災事故,社会的損害などを生じさせないよう,電源と半導体製品の間に適切な容量のヒューズまた
はブレーカーを取り付けて 2 次破壊を防ぐなど,安全性を考慮した冗長設計,延焼対策設計,誤動作防止設
計などの安全設計に十分ご留意ください。
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