dispositivos electrónicos transistores
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Dispositivos Electrónicos Transistores
Transistor BipolarCaracterísticas del transistor BC32725 , PNP, -45V TO-92
O TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -45V TO-92 O Polaridad del transistor: PNP O Voltaje del emisor del colector, CEO de V (Br): - 45V O Frecuencia Typ, pie de la transición: 100MHz O Disipación de energía, paladio: 625mW O Corriente de colector de la C.C.: 800mA O Aumento actual de C.C. máximo (hfe): 250 O RoHS obediente: Sí
Transistor BipolarCaracterísticas del transistor TIP30 NPN
O transistores de energía de 1.Silicon PNP 2.Packaging: TO-2203.VCEO (SUS) = -40V (minuto)4.VCE (sentado) = @IC= -1.0A de -0.7V (máximo)
O Transistores de energía del silicio NPN del ISC TIP30O DESCRIPCIÓNO ·Voltaje de mantenimiento del Collector-EmitterO : VCEO (SUS) = -40V (minuto)O ·Voltaje de saturación del Collector-EmitterO : VCE (sentado) = @IC= -1.0A de -0.7V (máximo)O ·Complemento para mecanografiar TIP29O USOSO Diseñado para el uso en amplificador de fines generales y
la conmutaciónO usos
Transistor JfetCaracterísticas del transistor 2N5116
O Transistor de efecto de campo de ensambladura, P-Channel JFETO Transistor de efecto de campo de ensambladura
P-Channel JFETO Code=2N5116
Brand=Vishay/SiliconixDetailed=JFET 30V 10pADatos Spe'c=AvailableSolo
O gFS delantero del transadmittance: 0.0045 Sohmios =150 de /Source RDS (continuaci3on) de la drenar-a-puertaatajo voltage=4 Vdieléctrico puncture=30 Vdrene la corriente (Vgs=0; Idss) = - 5 mA a - 25 mAPacking=200pcs/bag
Transistor JfetCaracterísticas del transistor 2N4117A 2N4117
Amplificador de N-Canal JFET de uso general - Calogic, LLCbaja fuga baja capacidad (TA = 25 º C a menos que se indique lo contrario) puerta-fuente o voltaje de la puerta-drenaje. . . . . . . . . . . . . . . . -40V Puerta actual. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA Rango de temperatura de almacenamiento. . . . . . . . . . . . . -65oC a +200 ° C Rango de temperatura. . . . . . . . . . . -55oC a +175 ° C disipación de energía. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW Desclasifique por encima de 25 º C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mW/oC
Transistor JfetCaracterísticas del transistor MMBFJ175LT1G
Transistor FetCaracterísticas del transistor RD70HVF1 MITSUBISHI RF
Abadejo del FET 2. del transistor del RF > 70W, Gp > 10.6dB @ Vdd = 12.5V, abadejo f = 175MHz 3. > 50W, Gp > 7.0dB @ Vdd = 12.5V, f = 520MHzSemiconductores de la energía del RF del silicioFET del transistor de MITSUBISHI RF
Dispositivos de alta frecuenciaMOSFET de la energía del Si RFTransistor del efecto de campo del Metal-Óxido-Semiconductor, MOSFET 1. DESCRIPCIÓNRD70HVF1 es un tipo transistor del FET del MOS diseñado específicamente para los usos de los amplificadores del poder más elevado del VHF/de la frecuencia ultra elevada.2. USOPara la etapa de la salida de los amplificadores del poder más elevado en sistemas de radio móviles de la venda del VHF/de la frecuencia ultra elevada.
