無線機設計におけるrf技術のすべて無線機設計におけるrf技 …22 調整前...
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2005年度秋期実用マイクロ波講座
無線機設計におけるRF技術のすべて無線機設計におけるRF技術のすべて
2005年 9月~12月
松下電器産業(株) 上野 伴希(工学博士)
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研修アジェンダ
1.システム設計概要
2.低雑音アンプ(LNA)その1
5.ローカル発振器
10.ダイレクトコンバージョンRX/TX
8.パワーアンプ(PA)
4.ミクサ
9.その他の回路
6.変復調その1
3.低雑音アンプ(LNA)その2
7.変復調その2
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2.低雑音アンプ(LNA)その1-基本設計2.低雑音アンプ(LNA)その1-基本設計
2005年 9月14日(水)
1.インピーダンス整合の原理
2.Sパラメータ
3.スミスチャート
4.インピーダンス整合の基礎回路
5.同時共役整合
6.アンプ回路設計実例ノウハウ
7.ノイズマッチ
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インピーダンス整合(設計基礎)
有能電力と反射係数
Pav:有能電力
2
+
=Ls
LL RRVRP
+−
−=22
14 sL
sL
s RRRR
RV
( )2||1 rPav −=
r:反射係数
r = 0:反射なし RL = Rs
V
RsI
RL
信号源負荷
Pav =V2
4Rs
交流回路
負荷消費電力は
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インピーダンス整合(設計基礎)
共役整合とは
整合回路の基本素子
*Ls ZZ = *Ls YY =
Rs
RL
信号源インピーダンス
GLBLGs Bs
Xs XL
負荷
信号源アドミタンス
負荷
HP形LP形 インピーダンストランス
Rs Xs
RL
XLXs
XL
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Sパラメータ
Sパラメータの定義
V1 V2
a1a2b1
b2
Zo = R
RZo
R
ZoSマトリックス
b1 a1a2
=S11S21
S12S22b2
v1+ v1-V1 = +
v2+ v2-V2 = +
v1+
Zoa1 =
v1-
b1 = Zo
v2+a2 = Zo
v2-b2 = Zov+;入射波電圧
v-;反射波電圧
2ポート回路特性をSマトリックスで表現
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Sパラメータ
Sパラメータの意味
S21;(トランスデューサ)電力利得
S11;入力反射係数(入力インピーダンス)
b1a2= 0
a1S11
高周波回路直結
R
R信号源負荷
PavPL'
R
R信号源負荷
a1 b2
GT
01
111
2 =
=aa
bS
01
221
2 =
=aa
bSb2
a2= 0
a1S21
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スミスチャート
スミスチャートとは
or
or
ZZZZ
+−
=Γ1.(複素数)反射面
2.それにインピーダンス座標を加えたもの
3.アドミタンス座標追加可能
4.SWR円座標追加可能
Zr
Γ-平面
Γ
0 ∞
+ja
-ja
a
SWR円
-
スミスチャート
インピーダンスの1次変換
aZa
aZaZ
rr
r
+−=
+−
=21Γ
1次変換
fr
jX
Rr R0
f1
f2
a
+ja
-ja
+jRr
-jRr
①
②
③
④
⑤
⑥
∞
∞
f = 0
f =∞
⑦
⑥
⑥
⑧
⑨
インピーダンス 軌跡
-R
-∞
0 ∞⑥
④
①
③
⑤+ja
-ja
⑦
a
f1
fr
f2②
⑧
⑨
インピーダンス 軌跡
Γ-平面
2
r Zr
Rr
L
C
Z
素子
-
スミスチャート
スミスチャートは反射係数面
反射係数一定の軌跡はSWR円
aZaZ
r
r
+−
=Γ
インピーダンス(VSWR)と周波数帯域?
aYaY
aYaY
aZaZ
r
r
r
r
r
r
/1/1
/1/1
+−
−=+−
=+−
=Γ
Zr→1/Yrを代入するとアドミタンスチャート
Zr
0 ∞
+ja
-ja
a
Γ-平面
SWR円
Γr
||1||1
ΓΓρ
−+
=
-
インピーダンス整合の基礎回路
整合回路と基本素子
インピーダンスの推移
C1C1C2
L1
L1R2= 500Ω
R1 = 50Ω
R2= 500Ω
L2
Ls = L1 + L2
Rx Rx
L-セクション π-セクション
-j100
-j50
-j25j40m j10m
j20m
j50
j100j25-j10m
-j20m
-j40m
50 20m A
B
+j9.4m+j126
+j23mC
100MHz
500Ω
15pF201nH
36.6pF
πセクションの例
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インピーダンス整合の基礎回路
分布定数線路
インピーダンスの推移
伝送線路+容量性スタブ
伝送線路
容量性スタブ
250Ω
伝送線路
容量性スタブ
250Ωストリップライン50Ω
12GHz
50Ω35Ω 7.9mm
3.6mm
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同時共役整合
トランジスタ増幅回路の整合
整合⇒共役インピーダンス⇒共役反射係数
L
L
SSSSS
ΓΓ
22
12211111 1
'−
+=s
s
SSS
SSΓΓ
11
12212222 1
'−
+=
S11'
R
RSマトリックス
S22'
入力整合回路 出力整合回路
Γs
ΓL
sS Γ='*11 LS Γ='*22 より,式が解ける共役整合の条件
L
Ls S
SSSΓΓ
Γ22
122111 1
*−
+=s
sL S
SSS
ΓΓ
Γ11
122122 1
*−
+=
-
同時共役整合
トランジスタの同時共役整合
212212211
22221
)1)(1(
)1)(1(
LsLs
LsT
SSSS
SG
ΓΓΓΓ
ΓΓ
−−−
−−=(トランスデューサ)利得
共役整合の条件
安定係数 12
1
1221
222
211
212212211 >
−−−+=
SSSSSSSS
K
1
21
211
2
4
C
CBBs
−±=Γ
2
22
222
2
4
C
CBBL
−±=Γ
2222
2111 1 DSSB −−+=
2211
2222 1 DSSB −−+=
*22111 DSSC −=*11222 DSSC −=
21122211 SSSSD −=
−−= 12
12
21max KKS
SG最大有能利得
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同時共役整合
整合の実際
ΓΓ
−+
=11
oi ZZ
Z2Z1
S11' S22'
L1
C1 L2
C2
1>K
50Ω
= 6.24 + j0.541
= 46.62-j124.32
周波数
1000MHzZ1
Z2
L1 C1L2
C2
2SC3356
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アンプ回路設計実例ノウハウ
ユニラテラル(S12 = 0)を仮定
シミュレーションの活用
L
L
SSSSS
ΓΓ
22
12211111 1
'−
+=s
s
SSS
SSΓΓ
11
12212222 1
'−
+=
2SC3356
(9.5) 5nH
(11.2) 12pF
(0.98) 0.5pF
(11.4) 15nH
50Ω 50Ω
周波数 [MHz] 1000-10
0
10
20
30
周波数500~1000MHz
マーカ∆f =100MHz
50Ω norm.
SWR円
3.02.01.5
S11
S22
調整前
調整前
調整後
500
500
500
2SC3356,800MHzでの設計(K
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アンプ回路設計実例ノウハウ
段間の整合
Z1
Z2
Z2*
段間直接整合
S11
SWR円3.02.01.5
周波数900~1100MHz
900
900 900 1000 1100周波数 [MHz]
S22
40
0
10
20
30
マーカ∆f =50MHz
50Ω norm.
S11
S22
S22S22
S11
S11
1段x2従属接続段間マッチング
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アンプ回路設計実例ノウハウ
広帯域増幅回路の設計 ミスマッチングを利用
1段-入力整合,出力回路ミスマッチング
複数段-入力出力整合,段間回路ミスマッチング
入力負荷
出力負荷
出力定利得円
-1-2
-3dB
Γs
ΓL
100周波数 [MHz]
0
10
20
30
10 1000
帯域上端でマッチング
帯域
S21
ミスマッチで利得低下
シミュレーション設計がよい
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アンプ回路設計実例ノウハウ
フィードバック回路
特性
広帯域増幅回路の設計
RLR1 R2
C
200
0
10
20
周波数 [MHz]1000 1200
-20
-10
500
S21
R + L
R + LR
RS11
トランジスタ2SC3356
TrのSパラメータ
負帰還回路 R負帰還回路 R+L
R = 200Ω L = 40nH
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アンプ回路設計実例ノウハウ
シャント素子
回路パターン
分布定数回路によるマッチング
シリーズ素子
L C
L C
ZoZoβ β
ll
先端ショートストリップライン
先端オープンストリップライン
Zoβ
l
ストリップ線路
50Ω22.5Ω
24Ω入力
出力
NE3210S01
50Ω
35Ω入力出力35Ω
50Ω
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アンプ回路設計実例ノウハウ
スミスチャート上のインピーダンス変化
シリーズ伝送線路によるマッチング
50Ω norm.
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ノイズマッチ
入力負荷インピーダンスをどこに合わせる?
NF最良点となる入力負荷インピーダンス
Γopt
0.35
0.50.7
1.01.5dB
同時共役整合の負荷インピーダンス Z1*
Fmin
50Ω norm.
周波数12.45GHz
NE3210S01メーカ提供のデータ
Γopt,Fmin,Rn/50(雑音抵抗)
Rn/50 = 0.09
出力負荷整合はシミュレーションで
-
ノイズマッチ
ノイズマッチを僅かにずらす
Γopt
0.35
0.50.7
1.01.5dB
同時共役整合の負荷インピーダンス Z1*
Fmin
50Ω norm.
周波数12.45GHz
NE3210S01
-
ノイズマッチ
ノイズマッチ
NFと入力SWRの妥協設計
妥協設計
0
10
-10
周波数 [GHz]
10 1512.2~12.7
-20
Zo = 35Ω
l1 = 8.7mm
Zo = 70Ω
l2 = 7.0mm k = 1k = 1
S11
S21
S22
l2 = 1.0mm
l1 = 6.0mm
S22
S11
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ノイズマッチ
RF-ICの例
Off-Chip
LLoad
RF in
RF out
LeRbais
Vbais
Vcc
(ノイズマッチ用)
(例) Le = 0.15nH,5.8GHz,SiGe 0.35µプロセス