adcmp671: 400 mv、±0.275 %リファレンス電圧内蔵の低 ......v dd = 3.3 v、25 cで400 mv...

400 mV、±0.275%リファレンス電圧内蔵の

低消費電力、調整可能なUV/OVモニタ

データシート ADCMP671

Rev. 0

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。 ※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved.

本社／105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル電話 03（5402）8200

大阪営業所／532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー電話 06（6350）6868

特長最小プロセッサ I/Oによるウィンドウ・モニタリング N + 1個のプロセッサ I/Oによる N個のレールの個別モニタリ

ング VDD = 3.3 V、25°Cで 400 mV ± 0.275% のスレッショールド電源電圧範囲: 1.7 V～5.5 V 低静止電流: 125°Cで最大 17 µA グラウンドを含む入力範囲内部ヒステリシス: 9.2 mV (typ) 低入力バイアス電流: 最大 2.5 nA オープン・ドレイン出力パワーグッド表示出力過電圧表示出力薄型 (1 mm)の 6ピン TSOT パッケージを採用

アプリケーション電源電圧のモニタリングリチウムイオン電池のモニタリングポータブル・アプリケーションハンドヘルド型計測機器

機能ブロック図

INHUV

OVINL

VDD

GND

400mV

ADCMP671PWRGD

OV

1016

0-00

1

図 1.

概要 ADCMP671 電圧モニタは、2個の低消費電力高精度コンパレータ

とリファレンス回路から構成されています。1.7 V～5.5 Vの電源

電圧で動作し、電源電流は最大 17 µAであるため、低消費電力

のシステム・モニタリングと携帯型アプリケーションに適してい

ます。このデバイスは、電源の低電圧故障と過電圧故障をモニ

タし、報告するようにデザインされています。低入力バイアス

電流とリファレンス電圧により、最小 400 mVまでの抵抗調整可

能なUVスレッショールドとOV スレッショールドが可能です。 ADCMP671 には 2 個のオープン・ドレイン出力があります。す

なわち、PWRGD 出力は電源がUVとOVのウインドウ内にあるこ

とを表示し、OV 出力は電源が過電圧状態にあることを表示し

ます。この出力の組み合わせを使うと、N個の電源をN + 1 個の

プロセッサ入力／出力 (I/O)でウインドウ・モニタすることがで

きます。各出力では、全温度範囲で 5 mA以上のシンク電流を流

すことができます。

ADCMP671 は 6 ピン TSOT パッケージを採用しています。この

デバイスは、−40°C～+125°C の温度範囲で動作します。

386

THR

ESH

OLD

VO

LTA

GE

(mV)

TEMPERATURE (°C)–40 –20 0 20 40 60 80 100 120

404

402

400

398

396

394

392

390

388

RISING INPUT

FALLING INPUT

INL2INH2

INL1INH1

TWO TYPICAL PARTSCOMPARATOR A AND COMPARATOR BVDD = 5V

1016

0-00

2

図 2.コンパレータ・スレッショールドの温度特性

日本語参考資料最新版英語データシートはこちら

http://www.analog.com/jp/ADCMP671




Akiko

長方形

http://www.analog.com/jp/special-linear-functions/comparators/adcmp671/products/data-sheets/resources.html?display=popup


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目次特長 ....................................................................................................1 アプリケーション .............................................................................1 機能ブロック図 .................................................................................1 概要 ....................................................................................................1 改訂履歴 ............................................................................................2 仕様 ....................................................................................................3 絶対最大定格 .....................................................................................7

熱抵抗 ............................................................................................7 ESDの注意 ....................................................................................7

ピン配置およびピン機能説明 ..........................................................8

代表的な性能特性 ............................................................................ 9 アプリケーション情報 .................................................................. 14

コンパレータと内蔵リファレンス電圧 ................................... 14 電源 ............................................................................................. 14 入力 ............................................................................................. 14 ヒステリシス .............................................................................. 14 電圧モニタリング方式............................................................... 14 出力 ............................................................................................. 15

外形寸法 .......................................................................................... 16 オーダー・ガイド ...................................................................... 16

改訂履歴 11/11—Revision 0: Initial Version


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仕様特に指定がない限り、VDD = 1.7 V～5.5 V、TA = 25°C。

表 1.

Parameter Min Typ Max Unit Test Conditions/Comments THRESHOLDS1

Rising Input Threshold Voltage (VTH(R)) 396.6 400.4 404.3 mV VDD = 1.7 V 399.3 400.4 401.5 mV VDD = 3.3 V 398.5 400.4 402.2 mV VDD = 5.5 V Falling Input Threshold Voltage(VTH(F)) 387 391 395.4 mV VDD = 1.7 V 389.2 391 392.9 mV VDD = 3.3 V 388.5 391 393.2 mV VDD = 5.5 V Rising Input Threshold Voltage Accuracy ±0.275 % VDD = 3.3 V Falling Input Threshold Voltage Accuracy ±0.475 % VDD = 3.3 V Hysteresis = VTH(R) − VTH(F) 7.8 9.2 11.1 mV

INPUT CHARACTERISTICS Input Bias Current 0.01 1 nA VDD = 1.7 V, VIN = VDD

0.01 1 nA VDD = 1.7 V, VIN = 0.1 V OPEN-DRAN OUTPUTS

Output Low Voltage2 140 200 mV VDD = 1.7 V, IOUT = 3 mA 130 200 mV VDD = 5.5 V, IOUT = 5 mA Output Leakage Current3 0.01 0.1 µA VDD = 1.7 V, VOUT = VDD

0.01 0.1 µA VDD = 1.7 V, VOUT = 5.5 V DYNAMIC PERFORMANCE2, 4

High-to-Low Propagation Delay 10 µs VDD = 5.5 V, VOL = 400 mV Low-to-High Propagation Delay 8 µs VDD = 5.5 V, VOH = 0.9 × VDD Output Rise Time 0.5 µs VDD = 5.5 V, VOUT = (0.1 to 0.9) × VDD Output Fall Time 0.07 µs VDD = 5.5 V, VOUT = (0.1 to 0.9) × VDD

POWER SUPPLY Supply Current5 5.7 10 µA VDD = 1.7 V

6.5 11 µA VDD = 5.5 V 1 RL = 100 kΩ、VOUT = 2 V振幅。 2 VIN = 10 mV入力オーバードライブ。 3 VIN = 40 mVオーバードライブ。 4 RL = 10 kΩ。 5 無負荷電流。


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特に指定がない限り、VDD = 1.7 V～5.5 V、0°C ≤ TA ≤ 70°C。

表 2.


Rising Input Threshold Voltage (VTH(R)) 395.3 405.3 mV VDD = 1.7 V 397.3 403.3 mV VDD = 3.3 V 396.8 403.8 mV VDD = 5.5 V Falling Input Threshold Voltage (VTH(F)) 385.8 397.3 mV VDD = 1.7 V 386.2 394.8 mV VDD = 3.3 V 385.8 395.2 mV VDD = 5.5 V Rising Input Threshold Voltage Accuracy ±0.75 % VDD = 3.3 V Falling Input Threshold Voltage Accuracy ±1.1 % VDD = 3.3 V Hysteresis = VTH(R) − VTH(F) 6.8 12.2 mV

INPUT CHARACTERISTICS Input Bias Current 1 nA VDD = 1.7 V, VIN = VDD

1 nA VDD = 1.7 V, VIN = 0.1 V OPEN-DRAIN OUTPUTS

Output Low Voltage2 250 mV VDD = 1.7 V, IOUT = 3 mA 250 mV VDD = 5.5 V, IOUT = 5 mA Output Leakage Current3 0.1 µA VDD = 1.7 V, VOUT = VDD

0.1 µA VDD = 1.7 V, VOUT = 5.5 V POWER SUPPLY

Supply Current4 13 µA VDD = 1.7 V 14 µA VDD = 5.5 V 1 RL = 100 kΩ、VOUT = 2 V振幅。 2 VIN = 10 mV入力オーバードライブ。 3 VIN = 40 mVオーバードライブ。 4 無負荷。


Rev. 0 － 5/16 －

特に指定がない限り、VDD = 1.7 V～5.5 V、-40°C ≤ TA ≤ +85°C。

表 3.


Rising Input Threshold Voltage (VTH(R)) 391.2 407.8 mV VDD = 1.7 V 393.1 405.9 mV VDD = 3.3 V 393.5 405.4 mV VDD = 5.5 V Falling Input Threshold Voltage (VTH(F)) 383.3 400.9 mV VDD = 1.7 V 384.7 398.4 mV VDD = 3.3 V 384.4 398.2 mV VDD = 5.5 V Rising Input Threshold Voltage Accuracy ±1.6 % VDD = 3.3 V Falling Input Threshold Voltage Accuracy ±1.75 % VDD = 3.3 V Hysteresis = VTH(R) − VTH(F) 5.4 12.6 mV

INPUT CHARACTERISTICS Input Bias Current 1 nA VDD = 1.7 V, VIN = VDD

1 nA VDD = 1.7 V, VIN = 0.1 V OPEN-DRAIN OUTPUTS





Rev. 0 － 6/16 －

特に指定がない限り、VDD = 1.7 V～5.5 V、-40°C ≤ TA ≤ +125°C。

表 4.


Rising Input Threshold Voltage (VTH(R)) 391.2 407.8 mV VDD = 1.7 V 393.1 405.9 mV VDD = 3.3 V 393.1 405.8 mV VDD = 5.5 V Falling Input Threshold Voltage (VTH(F)) 381.1 400.9 mV VDD = 1.7 V 381.2 398.4 mV VDD = 3.3 V 381 398.2 mV VDD = 5.5 V Rising Input Threshold Voltage Accuracy ±1.6 % VDD = 3.3 V Falling Input Threshold Voltage Accuracy ±2.2 % VDD = 3.3 V Hysteresis = VTH(R) − VTH(F) 5.4 13.5 mV

INPUT CHARACTERISTICS Input Bias Current 2.5 nA VDD = 1.7 V, VIN = VDD

2.5 nA VDD = 1.7 V, VIN = 0.1 V OPEN-DRAIN OUTPUTS





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絶対最大定格表 5.

Parameter Rating VDD −0.3 V to +6 V INH, INL −0.3 V to +6 V OV, PWRGD −0.3 V to +6 V Output Short-Circuit Duration1 Indefinite Input Current −10 mA Operating Temperature Range −40°C to +125°C Storage Temperature Range −65°C to +150°C Lead Temperature

Soldering (10 sec) 300°C Vapor Phase (60 sec) 215°C Infrared (15 sec) 220°C

1 出力を長時間短絡する場合、ジャンクション温度を絶対最大定格以内に維持

するためにヒート・シンクの使用が必要になります。

上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒

久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格

の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ

ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは

ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ

イスの信頼性に影響を与えます。

熱抵抗 θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージ

の場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態で規定。

表 6.熱抵抗

Package Type θJA Unit 6-Lead TSOT 200 °C/W

ESD の注意

ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで

す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ

れないまま放電することがあります。本製品は当社

独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい

ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ

た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ

て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対

する適切な予防措置を講じることをお勧めします。


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ピン配置およびピン機能説明

1PWRGD 6 OV

2GND 5 VDD

3INH 4 INL

ADCMP671TOP VIEW

(Not to Scale)

1016

0-00

3

図 3.ピン配置

表 7.ピン機能の説明

ピン番号記号説明 1 PWRGD アクティブ・ハイのオープン・ドレイン・パワー・グッド出力。入力が UV/OV ウインドウ内のときアサートされます。

例えば、INHがハイかつ INL がロー。 2 GND グラウンド。 3 INH 外付け抵抗分圧器回路を使って電源の低電圧故障をモニタします。内部でコンパレータの非反転入力に接続されています。

コンパレータの他の入力は 400 mV のリファレンス電圧に接続されています。 4 INL 外付け抵抗分圧器回路を使って電源の過電圧故障をモニタします。内部でコンパレータの反転入力に接続されています。コ

ンパレータの他の入力は 400 mV のリファレンス電圧に接続されています。 5 VDD 電源ピン。 6 OV アクティブ・ローのオープン・ドレイン出力で過電圧故障の表示。過電圧故障が生じたときアサートされます。例えば

INLがハイ。


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代表的な性能特性

0

10

20

30

40

50

PER

CEN

T O

F U

NIT

S (%

)

RISING INPUT THRESHOLD VOLTAGE (mV)

60

394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406

VDD = 5VTA = 25°C

1016

0-00

4

図 4. 立上がり入力スレッショールド電圧の分布

0

5

10

15

20

25

30

PER

CEN

T O

F U

NIT

S (%

)

HYSTERESIS (mV)

35

6.0 6.4 6.8 7.2 7.6 8.0 8.4 8.8 9.2 9.6 10.0 10.4 10.8

VDD = 5VTA = 25°C

1016

0-00

5

図 5.ヒステリシスの分布

396

RIS

ING

INPU

T TH

RES

HO

LD V

OLT

AG

E (m

V)

TEMPERATURE (°C)

404

402

400

398

–40 –20 1200 20 40 60 80 100

4321 FOUR TYPICAL PARTS

VDD = 5V

1016

0-00

6

図 6.代表的な 4個のデバイスの温度対立上がり入力スレッショールド電圧

0

10

20

30

40

PER

CEN

T O

F U

NIT

S (%

)

FALLING INPUT THRESHOLD VOLTAGE (mV)

50

388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400

VDD = 5VTA = 25°C

1016

0-00

7

図 7. 立下がり入力スレッショールド電圧の分布

398

RIS

ING

INPU

T TH

RES

HO

LD V

OLT

AG

E (m

V)

TEMPERATURE (°C)

402

401

400

399

–40 –20 1200 20 40 60 80 100

VDD = 5.0VVDD = 3.3VVDD = 2.5VVDD = 1.8V

1016

0-00

8

図 8.様々な VDD 電圧での温度対立上がり入力スレッショールド電圧

395

RIS

ING

INPU

T TH

RES

HO

LD V

OLT

AG

E (m

V)

SUPPLY VOLTAGE (V)

401

400

399

398

397

396

1.7 5.75.24.74.23.73.22.72.2

TA = –40°C

TA = +25°C

TA = +85°C

TA = +125°C

1016

0-00

9

図 9.電源電圧対立上がり入力スレッショールド電圧


Rev. 0 － 10/16 －

4.04.55.05.56.06.57.07.58.08.59.09.5

10.010.511.011.5

HYS

TER

ESIS

(mV)

TEMPERATURE (°C)

12.0

–40 –20 1200 20 40 60 80 100

INL2INH21NL11NH1

FOUR TYPICAL PARTSVDD = 5V

1016

0-01

0

図 10.代表的な 4個のデバイスのヒステリシス温度特性

4

5

6

7

8

9

10

11

HYS

TER

ESIS

(mV)

SUPPLY VOLTAGE (V)

12

1.7 5.75.24.74.23.73.22.72.2

TA = +125°C

TA = +25°C

TA = +85°C

TA = –40°C

1016

0-01

1

図 11.電源電圧対ヒステリシス

10

45.2

SUPP

LY C

UR

REN

T (µ

A)

SUPPLY VOLTAGE (V)

9

8

7

6

5

1.7 2.2 2.7 3.2 3.7 4.2 4.7

TA = +125°CTA = +85°C

TA = +25°C

TA = –40°C

NO LOAD CURRENT

1016

0-01

2

図 12.電源電圧対静止電源電流

4.04.55.05.56.06.57.07.58.08.59.09.5

10.010.511.011.5

HYS

TER

ESIS

(mV)

TEMPERATURE (°C)

12.0

–40 –20 1200 20 40 60 80 100


1016

0-01

3

図 13. 様々な VDD 電圧でのヒステリシス温度特性

–5

THR

ESH

OLD

SH

IFT

(mV)

SUPPLY VOLTAGE (V)

1

1.5 2.52.42.32.22.12.01.91.81.71.6

TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = –40°C

0

–1

–2

–3

–4

1016

0-01

4

図 14.最小電源電圧

50

01.5

SUPP

LY C

UR

REN

T (µ

A)

SUPPLY VOLTAGE (V)

40

30

20

10

0 0.5 1.0

TA = +125°CTA = +85°C

TA = +25°C

TA = –40°C

1016

0-01

5

図 15.スタートアップ電源電流


Rev. 0 － 11/16 －

1

SUPP

LY C

UR

REN

T (µ

A)

OUTPUT SINK CURRENT (mA)

1000

100

10

0.001 1001010.10.01

TA = –40°C VDD = 5.0VVDD = 3.3VVDD = 2.5VVDD = 1.7V

1016

0-01

6

図 16. 出力シンク電流対電源電流、TA = −40°C

1

SUPP

LY C

UR

REN

T (µ

A)


1000

100

10

0.001 1001010.10.01


TA = 85°C

1016

0-01

8

図 17. 出力シンク電流対電源電流、TA = 85°C

–71.0

INPU

T B

IAS

CU

RR

ENT

(nA

)

INPUT VOLTAGE (V)

–3

–5

0 0.2 0.6

–1

3

1

0.4 0.8

TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = –40°C

CURRENT IS POSITIVEGOING INTO THE DEVICEVDD = 5V0V < VIB < 1V

1016

0-02

0

図 18.入力電圧対ロー・レベル入力バイアス電流

1

SUPP

LY C

UR

REN

T (µ

A)


1000

100

10

0.001 1001010.10.01


TA = 25°C

1016

0-01

7

図 19. 出力シンク電流対電源電流、TA = 25°C

0.10

INPU

T B

IAS

CU

RR

ENT

(nA

)

INPUT VOLTAGE (V)

1k

10k

100

10

1

–0.3 –0.2 –0.1

TA = +125°C

TA = +85°CTA = +25°C

TA = –40°C

CURRENT IS GOINGOUT OF THE DEVICE.VDD = 5V–0.3V < VIB < 0V

1016

0-01

9

図 20.入力電圧対グラウンドより下の入力バイアス電流

0.015

INPU

T B

IAS

CU

RR

ENT

(nA

)

INPUT VOLTAGE (V)

1

0.1

1 2 4

10

3

TA = –40°C

TA = +125°C

TA = +85°C

TA = +25°C

CURRENT IS GOING INTO THE DEVICEVDD = 5VVIB > 1V

1016

0-02

1

図 21.入力電圧対ハイ・レベル入力バイアス電流


Rev. 0 － 12/16 －

1

OU

TPU

T SA

TUR

ATI

ON

VO

LTA

GE

(mV)


100

10

0.001 0.10.01

1000

101


TA = 25°C

1016

0-02

2

図 22. 出力シンク電流対出力飽和電圧、TA = 25°C

1

OU

TPU

T SA

TUR

ATI

ON

VO

LTA

GE

(mV)


100

10

0.001 0.1

1000

100.01 1


TA = 85°C

1016

0-02

4

図 23. 出力シンク電流対出力飽和電圧、TA = 85°C

0

SHO

RT-

CIR

CU

IT C

UR

REN

T (m

A)

OUTPUT VOLTAGE (V)

40

20

0 2

70

4

60

30

10

50

VDD = 5.0V

VDD = 3.3V

VDD = 2.5V

VDD = 1.8V

TA = 25°C

1016

0-02

6

図 24.出力電圧対出力短絡電流

1

OU

TPU

T SA

TUR

ATI

ON

VO

LTA

GE

(mV)


100

10

0.001 0.1

1000

100.01 1

VDD = 5.0VTA = –40°C

VDD = 3.3VVDD = 2.5VVDD = 1.8V

1016

0-02

3

図 25. 出力シンク電流対出力飽和電圧、TA = −40°C

0

SHO

RT-

CIR

CU

IT C

UR

REN

T (m

A)

OUTPUT VOLTAGE (V)

40

20

0 2

80

4

60

30

10

70

50TA = +85°C

TA = +25°C

TA = +125°C

TA = –40°CVDD = 5V

1016

0-02

5

図 26.出力電圧対出力短絡電流

0.001

OU

TPU

T LE

AK

AG

E C

UR

REN

T (n

A)

OUTPUT VOLTAGE (V)

0.01

0 1 2 3

10

4 5

1

0.1

TA = +125°C

TA = +85°C

TA = +25°C

TA = –40°C

VDD = 5V

1016

0-02

7

図 27.出力電圧対出力リーク電流


Rev. 0 － 13/16 －

0

PRO

PAG

ATI

ON

DEL

AY

(µs)

INPUT OVERDRIVE (mV)0 20 40 60

70

60

50

40

30

20

10

80 100

TA = 25°CINH LHINL LHINH HLINL HL

1016

0-02

8

図 28.入力オーバードライブ対伝搬遅延

1016

0-02

9

CH3 5.0V CH4 5.0V M40.0µs

1

4

3

INL VTH(R)

INL VTH(F)INH VTH(R)

INH VTH(F)

PWRGD

OV

VIN

R_PULLUP = 10kΩV_PULLUP = 5V

図 29.伝搬遅延

0.01

RIS

E A

ND

FA

LL T

IMES

(µs)

OUTPUT PULL-UP RESISTOR (kΩ)

1

0.1 1

100

10

10

0.1

100 1000

RISE

FALL

VDD = 5VCL = 20pFTA = 25°C

1016

0-03

0

図 30.出力プルアップ抵抗対立上がり／立下がり時間

VDD (V)

5

4

3

2

V OU

T (V

)

1

0543210

PWRGDOV

OUTPUTS BEING PULLED UP TO VDD WITH 10kΩINH = LOWINL = LOW

1016

0-03

1

図 31.電源電圧対出力電圧、INHと INLがロー

VDD (V)

5

4

3

2

V OU

T (V

)

1

0543210

PWRGDOV

OUTPUTS BEING PULLED UP TO VDD WITH 10kΩINH = HIGHINL = LOW

1016

0-03

2

図 32.電源電圧対出力電圧、INHがハイで INLがロー

VDD (V)

5

4

3

2

V OU

T (V

)

1

0543210

PWRGDOV

OUTPUTS BEING PULLED UP TO VDD WITH 10kΩINH = HIGHINL = HIGH

1016

0-03

3

図 33.電源電圧対出力電圧、INHと INLがハイ


Rev. 0 － 14/16 －

アプリケーション情報 ADCMP671は、1.7 V～5.5 Vで動作する 400 mV リファレンス電

圧を内蔵した UV/OV モニタです。コンパレータは、9.2 mVのヒ

ステリシスを持ち、0.275% の精度です。出力はオープン・ドレ

インで、40 mAのシンク電流を流すことができます。

コンパレータと内蔵リファレンス電圧 ADCMP671 は 2 個のコンパレータを内蔵しています。非反転入

力が INH ピンに接続されたコンパレータ (反転入力は内部で

400 mV リファレンス電圧に接続)は低電圧検出用で、反転入力

が INL ピンに接続されたコンパレータ (非反転入力は内部で 400 mV リファレンス電圧に接続)は過電圧検出用です。コンパレータ

の立上がり入力スレッショールド電圧は、リファレンス電圧と

一致するようにデザインされています。

電源 ADCMP671 は 1.7 V～5.5 V で動作するようにデザインされてい

ます。0.1 µF のデカップリング・コンデンサを VDDと GNDの間

に接続することが推奨されます。

入力コンパレータ入力は最大 VDD 電圧範囲に制限されています。こ

れらの入力の電圧は VDD を超えることはできますが、最大許容

VDD 電圧を超えることはできません。入力に抵抗ストリングを

接続した場合、抵抗値を注意深く選択する必要があります。これ

は、入力バイアス電流がストリングの下の抵抗と並列になるた

めです。したがって、バイアス電流で発生する誤差を制御する

ため下の抵抗を先に選択してください。

外付け部品数を少なくするため、3 個の抵抗分圧器を使用して

UVスレッショールドと OV スレッショールドを設定してくださ

い。

ヒステリシスノイズまたはスイッチング・スレッショールドを低速通過する

信号パスにより出力で発生する発振を防止するため、各コンパ

レータは約 8.9 mVのヒステリシスを持っています。

電圧モニタリング方式電源レールをモニタリングする場合、モニタリングに必要な公

称動作電圧は VM で表され、IM は抵抗分圧器の公称電流に、VOV

は過電圧トリップ・ポイントに、VUV は低電圧トリップ・ポイ

ントに、それぞれなります。

図 34 に、電圧モニタリングの入力接続を示します。3本の外付け

抵抗(RX、RY、RZ)により、モニタする正電圧 (VM) を上側電圧 (VH) と下側電圧 (VL)に分割します。上側電圧は INH ピンへ、下側

電圧は INL ピンへ、それぞれ接続します。

INH

UV

OVINL

VDD

GND

12V

RX

RY

RZ

5V

400mV

ADCMP671 PWRGD

OV

1016

0-03

4

図 34.低電圧／過電圧モニタリングの構成

過電圧状態が発生するためには、下側電圧 (この場合は VL)がINL ピンで 0.4 Vのスレッショールドを超える必要があります。

下側電圧 VL、は次式で表されます。

V4.0=

++=

ZYX

ZOVL RRR

RVV

また、

M

MZYX I

VRRR =++

したがって、過電圧モニタのトリップ・ポイントを設定する RZ

は、次式で計算されます。

( )( )( )MOV

MZ IV

VR )4.0(=

低電圧状態が発生するためには、上側電圧 VHが INH ピンで 0.4 V のスレッショールドを下回る必要があります。上側電圧 VHは

次式で表されます。

V4.0=

+++

=ZYX

ZYUVH RRR

RRVV

RZは既知であるため、RYは次式のように表すことができます。

( )( )( ) Z

MUV

MY R

IVVR −=

)4.0(

RYと RZが既知の場合は、RXは次式で計算されます。

( )( ) YZ

M

MX RR

IVR −−=

VM、IM、VOV、または VUV が変る場合、各ステップは再計算す

る必要があります。





Rev. 0 － 15/16 －

出力 PWRGD 出力は、モニタしているレール電源が正常であること

を表示するときに使います。モニタしている電圧がUVスレッシ

ョールドとOV スレッショールドによるウインドウ内にあると

き、この信号がアサートされます。OV 出力は専用の過電圧表

示出力として機能し、過電圧故障からシステムを保護するアク

ションを採れるようにします。両出力はオープン・ドレインで

あるため、VDDより高い電圧へプルアップすることができます。

これらの出力では、最大 40 mAのシンク電流を流すことができ

ます。

マルチ電源モニタリング・アプリケーションでは、複数の

ADCMP671 を使い、 OV ピンを相互に接続して、1 つの過電圧

故障警報信号を発生することができます(図 35 参照)。パワーア

ップ時とパワーダウン時には、ボードのパワー・マネジメン

ト・プロセッサから、PWRGD 信号に基づき電源シーケンシン

グを管理することができます。電源過電圧故障が発生した場合、

この信号は専用のOV 警報であるため、プロセッサは迅速に対応

して必要な回路保護を提供することができます。また、プロセッ

サはPWRGD ピン情報の組み合わせを使って故障電源を特定す

ることができます。この機能により、プロセッサは N + 1 個の

入力ピンを使ってN チャンネルの電源を個別にモニタすること

ができます。

2.5VPWRGD

OV

2.5V GOOD1.8V GOOD1.0V GOOD0.9V GOOD

OV FAULT

BOARDMANAGER

ADCMP671

1.8VPWRGD

OVADCMP671

1.0VPWRGD

OVADCMP671

0.9VPWRGD

OVADCMP671

1016

0-03

5

図 35.N + 1個のプロセッサ I/Oを使った N 個のレールのモニタリング



Rev. 0 － 16/16 －

外形寸法

1028

08-A

*COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-193-AA WITHTHE EXCEPTION OF PACKAGE HEIGHT AND THICKNESS.

1 3

45

2

6

2.90 BSC

1.60 BSC 2.80 BSC

1.90BSC

0.95 BSC

0.10 MAX

*1.00 MAX

PIN 1INDICATOR

*0.900.870.84

0.600.450.30

0.500.30

0.200.08

SEATINGPLANE

8°4°0°

図 36.6ピン薄型スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ[TSOT] (UJ-6)

寸法: mm

オーダー・ガイド Model1 Temperature Range Package Description Package Option Branding ADCMP671-1YUJZ-RL7 −40°C to +125°C 6-Lead Thin Small Outline Transistor Package [TSOT] UJ-6 LLS 1 Z = RoHS 準拠製品。

adcmp671: 400 mv、±0.275 %リファレンス電圧内蔵の低 ......v dd = 3.3 v、25 cで400 mv...

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