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Halbleiterbauelemente
Kontakt Metall-Halbleiter Gleichrichter (Schottky-Kontakt oder
Schottky-Barriere) Ohmscher Kontakt
p – n Gleichrichter Zener Diode Photodiode (Solarzelle) Tunneldiode Transistor Andere Elemente auf der Basis von
Halbleitern (für hybride Schaltkreise) Widerstand Isolator Kondensator
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Negativ/positiv geladene Oberfläche
Bänderschema von einem n-Typ-Halbleiter mit negativ geladener Oberfläche
Bei der Oberfläche gibt es daher wenig freie Elektronen – die negative Ladung der Oberfläche stellt eine Potentialbarriere für Elektronen dar.
Bänderschema von einem p-Typ-Halbleiter mit positiv geladener Oberfläche
Bei der Oberfläche gibt es wenig „freie Löcher“ – die positive Ladung der Oberfläche stellt eine Potential-barriere für freie Löcher dar.
Usus: die Kanten der Energiebänder werden verzerrt dargestellt, nicht die Fermi-Energie
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Kontakt: Metall und n-Halbleiter
Energiebänder vom Metall und von einem n-Typ-Halbleiter
SF
MFSM EE
0
Potentialbarriere
Energiebänder von einem Metall und einem n-Typ-Halbleiter (ohne Kontakt)
Die Fermi-Energien sind unterschiedlich
Elektronen fließen ins Metall, bis sich die Fermi-Energien ausgleichen. Die Metalloberfläche lädt sich negativ auf. Dabei bildet sich eine Potentialbarriere. Im Gleichgewicht gibt es nur einen Diffusionsstrom (gleich in den beiden Richtungen)
Elektronen
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Kontakt: Metall und p-Halbleiter
Energiebänder vom Metall und von einem p-Typ-Halbleiter
0
Potentialbarriere
Energiebänder:Die Fermi-Energien sind unterschiedlich
Elektronen fließen in den Halbleiter, bis sich die Fermi-Energien ausgleichen. Die Metalloberfläche lädt sich positiv auf. Dabei bildet sich eine „negative“ Potentialbarriere. Im Gleichgewicht gibt es nur einen Diffusionsstrom (gleich in den beiden Richtungen)
SF
MFSM EE
Elektronen
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AustrittsarbeitMetalle
Material [eV]Ag 4,7Al 4,1Au 4,8Be 3,9Ca 2,7Cs 1,9Cu 4,5Fe 4,7K 2,2Li 2,3Na 2,3Ni 5,0Zn 4,3
HalbleiterMaterial [eV]Diamant 4,8Ge 4,6Si 3,6Sn 4,4
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Elektrische Ströme
Diffusionsstrom Driftstrom
Metall Halbleiter
I = 0
Metall Halbleiter
I > 0
U
– +
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Driftstrom
Sperrrichtung
Die Potentialbarriere wird im äußeren E-Feld höher
Hindernis für Elektronen
Flussrichtung
Die Potentialbarriere wird im äußeren E-Feld niedriger
Beschleunigung der Elektronen
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Driftstrom
Metall Halbleiter
TkTCAI
B
MMH
exp2
A … FlächeC … KonstantenT … Temperatur … Affinität … Austrittsarbeit kB … Boltzmann-
KonstanteV … externe
Spannung
Tk
eVTCAI
B
HMHM
exp2
Halbleiter Metall
tbhängigkeiSpannungsastromSättigungs
2
2
1expexp
expexpexp
Tk
eV
TkACTI
TkC
Tk
eV
Tk
eVCATIII
BB
M
B
M
BB
HMMHHM
Gesamtstrom
vergrößert
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Ohmscher Kontakt
Elektronen
Beispiel:
Al / Ge : Al > Si der Kontakt Al / Ge ist gut leitend
Technologische Beispiele:
Al / Si oder Al / SiO2
Al > Si der Kontakt Al / p-Si ist gut leitend
der Kontakt Al / n-Si kann jedoch wie ein Gleichrichter funktionieren
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Ohmscher Kontakt : Al / n-Si
Met
all
n +-S
chic
ht
n-H
albl
eite
r
Die n+-Schicht muss schmal sein.
Tunnel-Effekt
Elektronenstrom
Problem: Elektrotransport
Übertragen von Atomen durch einen hohen Elektronenstrom
Lösungen:
Al Al + Cu, Al Al + Si
Beschichtung mit Gold
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p-n Gleichrichter (Diode)
Im Gleichgewicht (ohne externe Spannung)
Diode unter Spannung
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Elektrochemisches Potential
Elektrochemisches Potential im Gleichgewichtzustand:
const.ln
ln
;
grad;DiffFeld
ne
TkU
ndx
dTk
dx
dn
n
Tk
dx
dUeeE
Tk
eD
dx
dn
n
eDeE
cDjdx
dneDjEnej
B
BB
B
… Das elektrochemische Potential der Elektronen hat im Gleichgewichtzustand (bei Stromlosigkeit) überall den gleichen Wert.
Diffusionsstrom
Feldstrom
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p-n Gleichrichter (Diode)
Elektronen Löcher
const.ln ne
TkU B const.ln p
e
TkU B
Potentialsprung
rechts
links
links
rechtsrechtslinks0 lnln
p
p
e
Tk
n
n
e
TkU BB
Ohne Spannung
0DiffFeld
0FeldDiff
jjj
jjj
Mit Spannung
1exp
;exp
exp;ln
0
0Diff0Feld
Tk
eUjj
jjTk
eUjnevj
Tk
Uenn
e
TkU
B
B
B
B
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Halbleiterdiode (Gleichrichter)
U
I
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Zener DiodeDie Sperrrichtung wird genutzt
Ionisationsprozess
Lawinenartiger Anstieg des elektrischen Stroms
Freie Elektronen sind im Spiel
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Photodiode (Solarzelle)
g
g
g
E
hc
hc
E
EhE
1
Eg
Eg [eV] [m]
Ge 0,7 1,8Si 1,1 1,1GaAs 1,5 0,83
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Tunnel D
iode
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Transistor
Transistor ohne externe Spannung
E CB
2 Potentialbarrieren
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Transistor
n p n
Potential-barriere
Beschleunigung im elektrischen Feld
Verstärker
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Bauelemente in hybriden Schaltkreisen
Widerstand: Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von der Dotierung im p-BereichKondensator: Andere elektrische Ladung im p- und im n-Bereich, dazwischen Isolator
(Dielektrikum)
TechnologieAusgangsmaterial: SiO2 Si Czochralski Methode (Si-Einkristalle)
Diffusionsprozess: Diffusion von Phosphor (n) oder Bor (p) in Si. Maske – SiO2.