中国创造 ‧ 上海量产 超 世界水平 pecvd
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中国创造 ‧ 上海量产 超 世界水平 PECVD. 吉富新能源公司核心竞争力. 战略客户 : 通用光伏能源 ( 烟台 ). Silicon Valley R&D center Shanghai mini line /Equipment mfg. 吉富设备与其它主要竞争对手的比较. Jifu New Product Development. Jifu PECVD Flexible Solution enables Common Platform Equipment Design with Multiple Product Range. a-Si. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
中国创造‧上海量产
超世界水平 PECVD
吉富新能源公司核心竞争力
战略客户 : 通用光伏能源 ( 烟台 )
Silicon Valley R&D center
Shanghai mini line /Equipment mfg
吉富 日本 欧洲 美国
太阳能电池尺寸 (m) 1.1x1.4 1.1x1.4 1.1x1.3 2.4x2.8
光电转换效率 (%) 9.5 9.5 9.5 9.5
单位峰瓦售价 ($/Wp) 1x 2x 2x 1.5x
传输 single-H dual-V batch cluster
腔体温度(℃) 400 220 240 240
沉积速率 aSi/uSi (A/sec) 5/7 2/4 3/6 5/5
光衰退 (%) 10 20 15 15
稼动率 (%) 90 80 80 80
吉富设备与其它主要竞争对手的比较
Jifu New Product Development
Jifu PECVD Flexible Solution enables Common Platform Equipment Design
with Multiple Product Range
• a-Si
• Micro-Crystalline • Nano-Crystalline • Double Junction
‧ Multiple Junction
JiFu Equipment Confidential
PVD Laser
Proprietary Panels
硅薄膜的效率上限 32%
equation Lab cell Limit Value
Jsc Min {Jtop , Jbottom} 23/2 = 11.5[mA/cm2]
20[mA/cm2]
Voc Vtop + Vbottom 0.9 + 0.5= 1.4 Volt
1.4 + 0.6= 2.1 V
FF Average {FFtop, FFbottom} Aver {65%,75%} = 70%
76%
η 11.5 % 32 %
Basics of Jsc, Voc, FF
Eff ~ Jsc x Voc x FF
Jsc = short circuit current
Voc = open circuit voltage
FF = Filled Factor
Power = Jsc x Voc
硅薄膜和多晶硅比较
• 多发电(弱光和高温)
• 成本便宜
Thin Film yields better under High Temp & Diffuse Light Key Thin Film Benefit: Higher kWhr Yield
Comparison with CompetitorsJifu Japan Europe Korea
size (meter) 1.1x1.4 1.1x1.4 1.1x1.3 1.1x1.4
CE (%) 9.5 9.5 9.5 9.5
Price 1x 2x 2x 1.5x
transfer single-H dual-V batch cluster
Temp (deg c) 400 220 240 240
aSi/uSi (A/sec)
5/7 2/4 3/6 5/5
LID (%) 10 20 15 20
uptime (%) 90 80 80 80
问题:为何要买薄膜?答:薄膜比晶硅便宜大概 30% 以上 , 且成本下降空间更大
晶硅电池的硅材料价格波动很大
硅薄膜和其他薄膜比较
• 锑化铬 : 铬有毒
• 铜铟镓锡 : 合格率需提高
硅薄膜的挑战
• 降低设备成本 : 吉富
• 提高转换效率 : 吉富