ネットワーク情報概論 ネットワーク情報化社会を支える半導体産業 -- ...

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専修大学ネットワーク情報学部. ネットワーク情報概論 ネットワーク情報化社会を支える半導体産業 -- 技術と歴史 --. 平成15 年 6月17日 インテル株式会社 大野 直次. IT ・ネットワーク情報産業 と半導体・ LSI 産業・技術との関係. IT ・ネットワーク情報産業・技術. IT ・ネットワーク情報産業. Hardware / System  - Server  - Personal Computer  - Telephone, Cellar phone  - Hub 、 Network. Hardware 構成部品 -筐体  -回路基板 - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: ネットワーク情報概論 ネットワーク情報化社会を支える半導体産業 --  技術と歴史  --

Naotsugu Ohno 1

ネットワーク情報概論

ネットワーク情報化社会を支える半導体産業

-- 技術と歴史 --

平成15 年 6月17日

インテル株式会社

大野 直次

専修大学ネットワーク情報学部

Page 2: ネットワーク情報概論 ネットワーク情報化社会を支える半導体産業 --  技術と歴史  --

Naotsugu Ohno 2

IT・ネットワーク情報産業・技術

半導体・ LSI産業・技術

Hardware/ System - Server - Personal Computer - Telephone, Cellar phone - Hub 、 Network

Hardware 構成部品 -筐体 -回路基板 -電源 -抵抗 -コンデンサ- -トランジスター、半導体 - LSI         e.t.c  

IT ・ネットワーク情報産業と半導体・ LSI 産業・技術との関係

IT ・ネットワーク情報産業

半導体・ LSI 産業・技術

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Naotsugu Ohno 3

       現代は情報化社会といわれている。 18 世紀後半に英国で始まった産業革命と対比して 20 世紀後半から情報( IT )革命が進行しているといわれている。

産業革命の駆動力蒸気機関の発明・改良           ○ 動力の機械化           ○ 大量生産・大量輸送

情報革命の駆動力半導体を利用した電気信号の増幅器(トランジスタ)の              発明と LSI によるその機能の増大化           ○ 人間の頭脳や神経活動の一部の機械化           ○ 情報処理作業の短縮化、情報処理量の増大化

産業革命と情報革命

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Naotsugu Ohno 4

       

半導体に関する技術と人と研究開発戦略の流れ

①  電信機、無線機の発明と発達    AT&T (アメリカ電話電信会社)②  真空管の発達と、その増幅機能の利用により電話網の充実                         AT&T (アメリカ電

話電信会社)③  半導体を使った増幅器(トランジスタ)の発明と発展                        ショックレー半導体

研究所④   IC の発明と発展            フェアチャイルド半導体社⑤   MPU (マイクロプロセッサ)と大容量メモリ( DRAM )の発明と発展      インテル、日本の半導体メー

カー  (そして最近は、韓国、台湾)

IC 以前            1950 年代及び以前IC 時代            1960 年代LSI 時代           1970 年代VLSI 時代          1980 年代サブミクロン VLSI 時代  1990 年代ギガビット時代       2000 年代

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Naotsugu Ohno 5

       

半導体・ LSI に関する研究開発とビジネスの歴史①  基本的発明②  それの改善、改良、精緻化③  発明された半導体・ LSI を使用しての応用製品の開発とこれによる   半導体・ LSI 部品需要の形成

[ 出典/日経 BP企画: ICガイドブック(第8版/ 2000年版) (日本電子機械工業会、平成 12年) ]

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Naotsugu Ohno 6

       

集積度による分類   個別半導体: トランジスタ、ダイオード等               集積回路( IC)                 小規模集積回路( SSI) :   100 素子 / チップ 以下                 中規模集積回路( MSI) :  100~1,000 素子 / チップ                 大規模集積回路( LSI) :   1,000~100,000 素子 / チップ                 超大規模集積回路( VLSI) : 100,000 素子 / チップ 以上基板構成による分類  モノリシック IC      シリコン基板                             SOI 基板               ハイブリッド IC      厚獏 IC                             薄膜 IC                SOI 基板によるデバイス構造による分類     バイポーラ型デバイス     npn 構造                                  pnp 構造                MOS 型デバイス        nMOS 構造                                 pMOS 構造                                  CMOS 構造                BiCMOS 型デバイス:バイポーラと CMOS との混在機能による分類     デジタル用デバイス                  メモリ        RAM : DRAM 、 SRAM 、 FRAM                              ROM : RPROM 、 EEPROM 、マスク ROM 、 Flash                  ロジック       MPU                             汎用ロジック                  メモリ・ロジック混在  システムLSI               アナログ用デバイス               デジタル・アナログ混在デバイス   

半導体デバイスの分類

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Naotsugu Ohno 7

       

プリント基板上部品の半導体・ LSI 化

半導体・ LSI デバイスとは、

[ 出典/菊池 正典:やさしくわかる半導体 (日本実業出版社、  2000) ]

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Naotsugu Ohno 8

       

ベル研究所で開発された最初の点接触型トランジスタ           ( 1947 年;ブラッテン、バーディーン)

[ 出典/志村 幸雄:にっぽん半導体半世紀( 20世紀最大の技術革新を支えた人と企業) (ダイヤモンド社、 1999) ]

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ショックレー、接合型トランジスタの理論発表    1949 年

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半導体・ LSI デバイスの製造フロー

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CMOS インバータ回路とチップ構造図

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Naotsugu Ohno 13

       

CMOS LSI 製造工程フロー

1. 基板工程の製造フロー     ウェル形成

素子分離

ゲート電極形成

    ソース・ドレイン形成

      

層間絶縁膜1形成[ 出典/日経 BP企画: ICガイドブック(第8版/ 2000年版) (日本電子機械工業会、平成 12年) ]

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Naotsugu Ohno 14

       

2.  配線工程の製造フロー  コンタクトホール形成

   

    第一層配線( M1)形成

    層間絶縁膜2形成

スルーホール形成

 第一層配線( M2 )形成

[ 出典/日経 BP企画: ICガイドブック(第8版/ 2000年版) (日本電子機械工業会、平成 12年) ]

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半導体デバイスにおける巨大化と微細化の両面

[ 出典/前田 和夫:はじめての半導体プロセス (工業調査会、  2000) ]

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Naotsugu Ohno 16

半導体生産高の地域別シェアの推移[ 出典/前田 和夫:はじめての半導体プロセス (工業調査会、  2000) ]