Базовые матричные кристаллы

СодержаниеВведение 4Обазовыхматричныхкристаллах 4

Применениематричныхкристаллов 4

Часть1 4

Часть2 5

Типовоймаршрутпроектирования 5Вариантыразработки 5

Типовоймаршрутпроектированияцифро-аналоговыхБИС 5

ТиповоймаршрутпроектированияцифровыхполузаказныхИС 6

Номенклатураинтегральныхмикросхем 6БИСБМКпервогопоколения 6

БИСБМКвторогопоколения 7

НовыетипыБМК 8

Н1806ХМ1 9Общиехарактеристики 9

ОписаниеБИСБМКпервогопоколения 9

Предельно-допустимыеипредельныережимыэксплуатации 10

Н1806ВП1,1806ВП1 10Общиехарактеристики 10

Предельно-допустимыеипредельныережимыэксплуатации 10


1515ХМ1,Н1515ХМ1 12Общиехарактеристики 12


Н1593ХМ1,Н1593ХМ2 13Общиехарактеристики 13


1537ХМ1Т,Н1537ХМ1,1537ХМ1У 15Общиехарактеристики 15

ОписаниесерийБМКвторогопоколения 15

1537ХМ2,1537ХМ2А 16Общиехарактеристики 16


1537ХМ2У,1537ХМ2АУ 18Общиехарактеристики 18

Стойкостьквоздействиюспециальныхфакторов 18


3

Серия1592ХМХ 20ОписаниесерийБМКвторогопоколения 20


5517БЦ2У,5517БЦ2Н2 22Общиехарактеристики 22



Серия5515ХТ1У(Х) 24Общиехарактеристики 24



Серия5516БЦХ 27Общиехарактеристики 27


ОписаниеНОВЫХтиповБМК 27

Серия5522БЦХ 29Общиехарактеристики 29

ОписаниеНОВЫХтиповБМК 29

Чертежикорпуса 31Чертежкорпуса429.42-3 31

Чертежкорпуса4135.64-2 32



ЧертежкорпусаН14.42-1В 35




4

ВведениеНарынкеинтегральныхсхемпредставленрядБМКАО«АНГСТРЕМ»наиболеедоступныхотечествен-номупотребителюпоцене,качеству,удобству,возможностиоперативноговзаимодействияс произ-водителем,а такжезащищённыхоткапризовмеждународнойполитическойконъюнктуры.

ОАО «АНГСТРЕМ»предлагаетпотребителюрядцифровыхианалого-цифровыхБМК,представлен-ныхвданномкаталоге,которыйадресованинженеру-проектировщикуРЭА,осуществляющемупредварительнуюоценкувозможностивыполнениязаданногопроектадлясравненияимеющихсяв наличиибиблиотекитехнологий.Крометого,этоткаталогможноиспользоватьвкачествеспра-вочникапосериямитипамБМКприпроектировании.Поданномукаталогуможнооценитьпро-изводительность,электрическиехарактеристики,предельныеипредельно-допустимыережимыэксплуатации,задержкираспространенияиконструктивныеособенности.

НаиболееэффективноприменениеБМКвыпускаемыхАО«АНГСТРЕМ»дляразработкиРЭАсвысо-кимитребованиямипостойкостиквоздействиюрадиацииифакторовкосмическогопространства.

Вданномкаталогепредставленпереченьизделий,условноразделённыхна3части:первогопоко-ления*,второгопоколения**иновыетипыБМК.ТакжепредставленыосновныехарактеристикикаждоготипаБМКигабаритныечертежимикросхем.

*БМКпервогопоколения–разработки1980-1990гг.

**БМКвторогопоколения–разработки1990-2005гг.

О базовых матричных кристаллахПолузаказныеинтегральныесхемынаосновебазовыхматричныхкристаллов(БМК)являютсяпрак-тическинезаменимымикомпонентамидляразработчиковипроизводителейсложнойэлектроннойаппаратуры.

Применение матричных кристалловПрименениеихнезаменимовомногихслучаях:

― когданеобходимобыстроразработатьизапуститьвпроизводствоизделие;

― когдаобъёмпроизводстваизделияотносительноневелик,а подходящиедляегореализацииБИСотсутствуют;

― присозданииспецифическойаппаратурысоригинальнойсхемотехникой;

― примодернизациираннеесозданнойаппаратуры,спереводомеёнановуюэлементнуюбазу;

― прижеланиизаказчикасамостоятельноразработатьБИС,например,сцельюскрытьсвоё«know-how»;

― прижеланииуменьшитьмассогабаритныепоказатели,путёмзаменыбольшегочисламикросхемстандартнойлогикинасущественноменьшеечисломикросхем,реализованныхнаБМК.

Вовсехэтихимногихподобныхслучаяхвозникаютпротиворечивыетребования:обеспечениевысокойстепениинтеграцииБИСсбыстротойсозданияиотносительнонизкимиобъемамипроиз-водства,экономическинерентабельнымидляразработкизаказныхБИС.

НаиболееэффективноэтопротиворечиерешаетсяспомощьюполузаказныхБИСнаосновеБМК.В этомслучаепроцесссозданияипроектированияБИСрасчленяетсяна двечасти,причёмпозаказувыполняетсятольковторая,болеепростаячасть.

Часть 1РазработкаисозданиеБМК,т.е.стандартнойзаготовки,изкоторойвпоследствииможносделатьразнообразныемикросхемы.ВкаждомБМКимеетсянаборнескоммутированныхячеек.Изготовле-ниетакихБМКпроизводитсяпостандартнойтехнологиимассовогопроизводстваБИС.НаосновеБМКизготавливаютсятестовыемикросхемы,которыеподвергаютсявсемвидаматтестационныхиспытаний.НаБМКвыпускаютсягрупповыетехническиеусловия(ТУ).Такимобразом,всенаиболеедорогостоящиеидлительныепроцедурыпроектирования,производстваиаттестацииБИСвыпол-няютсянапервомэтапе.

5

Часть 2ДлясозданияполузаказныхБИСвыбираетсясоответствующийтипБМК.Проектированиезаключа-етсявразработкетопологийпеременныхслоёвконтактныхокониметаллизациикристалла,а про-изводство–внанесенииэтихслоёвнаранеесозданныетиповыезаготовки.

Типовой маршрут проектированияЗадачасозданияполузаказнойБИСнаосновеБМКзаключаетсявразработкеиверификациитопо-логиипеременныхслоёвконтактныхокониметаллизациикристалла,соединяющейбиблиотечныеячейкиБМКвсоответствиисэлектрическойсхемойзаказчика.Причёмзаказчикимеетвозможностьвыборастепенисвоегоучастиявразработке:отформированиятехническихтребованийдополно-стьюсамостоятельногосхемотехническогопроектирования.

Варианты разработкиВозможнонескольковариантовразработкиполузаказнойБИС:

― НаосновебиблиотекистандартныхэлементовБМК.

― ЗаказчиксамостоятельнопроектируетсхемуИСвбазебиблиотеки,получивотАНГСТРЕМАвсюнеобходимуюинформацию.

― Наосновеповеденческогопроекта.

― ЗаказчиксамостоятельноразрабатываетпроектнаповеденческомуровневязыкахVHDLи VerilogHDL.АНГСТРЕМпереводитэтотпроектвбазисбиблиотекБМК.

― Наосновепроекта,выполненногонаПЛИСтипаXILINX,ACTELиALTERA.АнгстремпроизводитавтоматизированныйпереводпроектоввбазисбиблиотекиБМК.

― Наосновеэлектрическойсхемы,выполненнойвлюбойбиблиотекеэлементов.АНГСТРЕМпроизводитавтоматизированныйпереводпроектоввбазисбиблиотекиБМК.

― Наосноветехническихтребований.ЗаказчикформулируеттехническоезаданиенаполузаказнуюБИСпослечегоАНГСТРЕМпроизводитеёпроектированиевбазисеБМК.

ВзависимостиоттипаБМКнаполныйциклтребуетсяотполуторадотрёхмесяцев.

Типовой маршрут проектирования цифро-аналоговых БИС

ТЗ на разработку СхЭ

Разработка СхЭ, моделирование

Предварительный просмотр проекта

Проектно-технические работы

Изготовление образцов

ЗАКАЗЧИК

6

Типовой маршрут проектирования цифровых полузаказных ИС

ЗАКАЗЧИК Вариант маршрута проектирования

Библиотека БМК Синтез из ПЛИС

Синтез из VHDL Verilog ТЗ на разработку

Формирование базы данных

Моделирование и верификация

Предварительный просмотр проекта

Проектирование топологий и верификация

Финишный просмотр проекта

Изготовление образцов

Номенклатура интегральных микросхем БИС БМК первого поколения

Наименование изделия (ТУ)

Тип

корп

уса

Коли

чест

во

фун

кцио

наль

-ны

х вы

водо

в

Част

ота

след

о-ва

ния

импу

ль-

сов

MHz

, max

1)

Сред

нее

врем

я за

держ

ки н

а ве

нтил

ь, н

с

Коли

чест

во

элем

енто

в (в

ен-

тиле

й)

Напр

яжен

ие

пита

ния

U CC, В

Опис

ание

(стр

.)

Серийноепроизводствосприёмкой«5».ЗаказынаразработкуновыхзашивокБМКпервогопоколенияпри-нимаютсяпосогласованию.Н1806ХМ1(бК0.347.436ТУ) Н14.42-1В 40 8 4 11500

(1500) 5±10% 8

1806ВП1(бК0.347.325ТУ) 429.42-3 40 8 4 11500

(1500)5±10%9±10% 9

Н1806ВП1(бК0.347.325ТУ) Н14.42-1В 40 8 4 11500

(1500)5±10%9±10% 9

1515ХМ1(бК0.347.414ТУ) 4135.64-2 62 10 3 23550

(3200) 5±10% 11

Н1515ХМ1(бК0.347.414ТУ) Н18.64-1В 62 10 3 23550

(3200) 5±10% 11

Н1593ХМ1(АЕЯР.431260.118ТУ) Н18.64-1В 62 35 1,5 13952

(3364) 5±10% 12

Н1593ХМ2(АЕЯР.431260.118ТУ) Н18.64-1В 62 35 1,5 25600

(6400) 5±10% 121)D-триггервсчётномрежиме

7

БИС БМК второго поколения


Тип

корп

уса

Коли

чест

во ф

ункц

ио-

наль

ных

выво

дов

Част

ота

след

ован

ия

импу

льсо

в M

Hz, m

ax 1)

Сред

нее

врем

я за

держ

ки н

а ве

нтил

ь, н

с

Коли

чест

во

элем

енто

в (в

енти

лей)

Напр

яжен

ие п

итан

ия

U CC, В

Опис

ание

(стр

.)

Выполняютсязаказынаразработкуиизготовлениеопытныхпартийновыхзашивоксприёмкой«5».Серийноепроизводствосприёмкой«5»икатегории«ОСМ».

1537ХМ1Т(бК0.347.551ТУ) 429.42-3 40 20 3,0 19328

(4512) 5±10% 14

1537ХМ1У(бК0.347.551ТУ) Н14.42-1В 40 20 3,0 19328

(4512) 5±10% 14

Н1537ХМ1(бК0.347.551ТУ) Н18.64-1В 62 20 3,0 19328

(4512) 5±10% 14

1537ХМ2(бК0.347.715ТУ) 4229.132-3 120 20 2,0 72640

(17800) 5±10% 15

1537ХМ2А(бК0.347.715ТУ) 4229.132-3 120 40 1,0 72640

(17800) 5±10% 15

1537ХМ2У(бК0.347.715ТУ) Н18.64-3В 62 20 2,0 72640

(17800) 5±10% 17

1537ХМ2АУ(бК0.347.715ТУ) Н18.64-3В 62 40 1,0 72640

(17800) 5±10% 17

1592ХМ1(АЕЯР.431260.096ТУ) 4229.132-3 100 50 1,0 434032

(108508) 5±10% 19

1592ХМ1Т(АЕЯР.431260.263ТУ) 4236.208-2 176 50 1,0 434032

(108508) 5±10% 19

1592ХМ2Т(АЕЯР.431260.264ТУ) 4229.132-3 116 50 1,0 274512

(63468) 5±10% 19

1592ХМ3У(АЕЯР.431260.265ТУ) Н18.64-1В 58 50 1,0 152912

(34390) 5±10% 19

1592ХМ4У(АЕЯР.431260.111ТУ) Н18.64-1В 58 50 1,0 55250

(11275) 5±10% 19

5517БЦ2У(АЕЯР.431260.392ТУ) Н18.64-1В 62 20 1,6 24000

(6000) 5±10% 21

5517БЦ2Н2(АЕЯР.431260.392ТУ) Модиф.2 62 20 1,6 24000

(6000) 5±10% 21

5515ХТ1АУ(АЕЯР.431260.153ТУ) Н16.48-1В 43 10 3 2000

(230)5±10%(±15*) 23

5515ХТ1БУ(АЕЯР.431260.153ТУ) Н16.48-1В 43 10 3 2000

(230)5±10%(±12*) 23

5515ХТ1ВУ(АЕЯР.431260.153ТУ) Н16.48-1В 43 10 3 2000

(230)5±10%(±9*) 23

5515ХТ1ГУ(АЕЯР.431260.153ТУ) Н16.48-1В 43 10 3 2000

(230)5±10%(±6*) 23

5515ХТ1ДУ(АЕЯР.431260.153ТУ) Н16.48-1В 43 10 3 2000

(230)5±10%(±5*) 23

1)D-триггервсчётномрежиме

*Напряженияпитанияаналоговойчасти

8

Новые типы БМК


Тип

корп

уса

Фун

кцио

наль

ных

выво

дов

Част

ота

след

ован

ия

импу

льсо

в M

Hz, m

ax 1)

Сред

нее

врем

я за

держ

ки н

а ве

нтил

ь, н

с

Коли

чест

во

вент

илей

Напр

яжен

ие п

итан

ия

ядра

БМ

К U CC

1, В

Напр

яжен

ие п

итан

ия

пери

фер

ии U

CC 2

, В

Опис

ание

(стр

.)

НовыеразрабатываемыетипыБМК.Принимаютсязаказынаизготовлениеопытныхпартийсприёмкой«5»посогласованиюсВПМОРФ.

5516БЦ1ТАЕЯР.431260.385ТУ 4229.132-3 116 60 1,0 100000 5±10% 5±10% 26

5516БЦ1Т1АЕЯР.431260.385ТУ 4236.208-2 176 60 1,0 100000 5±10% 5±10% 26

5516БЦ2Т(АЕЯР.431260.386ТУ) 4229.132-3 116 60 1,0 60000 5±10% 5±10% 26

НовыетипыБМКосвоенныевсерийномпроизводстве.Выполняютсязаказынаразработкуиизготовлениеопытныхпартийсприёмкой«5».Серийноепроизводствосприёмкой«5».

5522БЦ1АУ(АЕЯР.431260.748ТУ) Н18.64-1В 58 80 0,5 23000 5±10% 5±10% 28

5522БЦ1БУ(АЕЯР.431260.748ТУ) Н18.64-1В 58 50 0,8 23000 3,3±0,3 3,3±0,3 28

5522БЦ1ВУ(АЕЯР.431260.748ТУ) Н18.64-1В 58 80 0,5 23000 5±10% 3,3±0,3 28

5522БЦ4АТ(АЕЯР.431260.751ТУ) 4229.132-3 116 80 0,5 120000 5±10% 5±10% 28

5522БЦ4БТ(АЕЯР.431260.751ТУ) 4229.132-3 116 50 0,8 120000 3,3±0,3 3,3±0,3 28

5522БЦ4ВТ(АЕЯР.431260.751ТУ) 4229.132-3 116 80 0,5 120000 5±10% 3,3±0,3 28

5522БЦ4АТ1(АЕЯР.431260.751ТУ) 4236.208-2 176 80 0,5 120000 5±10% 5±10% 28

5522БЦ4БТ1(АЕЯР.431260.751ТУ) 4236.208-2 176 50 0,8 120000 3,3±0,3 3,3±0,3 28

5522БЦ4ВТ1(АЕЯР.431260.751ТУ) 4236.208-2 176 80 0,5 120000 5±10% 3,3±0,3 281)D-триггервсчётномрежиме

ДоосвоениявсерийномпроизводствемикросхемыновыхзашивокнаБМКсерии5516поставляютсяпоТУГК.

9

Н1806ХМ1Н1806ХМ1–базовыйматричныйкристалл(БМК)ёмкостьюдо1,5 тыс.вентилейнаКМОПструктурах;предназначендляисполь-зованияввычислительныхсистемахспециальногоназначения.

Изделиевыпускаетсяс«приёмкой5»и«приёмкой1».

Общие характеристикиПараметр Значение

Условноеобозначениекорпуса Н14.42-1ВНапряжениепитанияUCC,В 4,5–5,5КоличествофункциональныхвыводоввкорпусеН14.42-1В 40Рабочаятемператураt,˚С от-60˚Сдо+85ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC≥4,5В неменее4,0ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4Количествоэлементоввэлектрическойсхеме 11500Количествоэквивалентныхвентилей 1500

Описание БИС БМК первого поколенияОсновные электрические параметры

Наименование параметра,единица измерения,

режим измеренияОбозначение

Норма Температура, ˚CНе менее Не более

Выходноенапряжениенизкогоуровня,ВприUCC=5±10%В UOL – 0,4 25±10

от-60до85Выходноенапряжениевысокогоуровня,ВприUCC=5±10%В UOH 4,0 – 25±10

от-60до85Статическийтокпотребления,мАприUCC=5±10%В ICC –

1 25±1010 от-60до85

Токутечкинавходенизкогоивысокогоуровня,мкАприUCC=5±10%В

ILILILIH

–0,5 25±105 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»,мкАпринапряжениивысокогоинизкогоуровняUCC=5±10%В

IOZLIOZH

–5 25±1010 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%В td – * 25±10

от-60до85Входнаяёмкость,пФ СI – 15 25±10Выходнаяёмкость,пФ С0 – 15 25±10

*конкретныезначенияприводятсявкартахзаказа

Стойкость к воздействию специальных факторов

Наименование изделия

Основные параметры стойкости по ГОСТ В 20.39.404

И1 И2 И3 С1 С3 К1 К3Н1806ХМ1 1У 0,01х1У 1У 1У 0,1х1У 0,1х1У 0,5х1У

МикросхемывключенывпереченьМОП44.001.02.

10

Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации

Наименование параметров,

единица измеренияОбозначение

Норма

Предельно-допустимый режим Предельный режим

Не менее Не более Не менее Не болееНапряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 0 10,0Рассеиваемаямощность,Вт Ptot – 0,8 – 1,0Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 50 – 150Входноенапряжениесигнала,В UI 0 UCC 0 UCC

Н1806ВП1, 1806ВП1Н1806ВП1и1806ВП1–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо1,5тыс.вентилейнаКМОПструктурах,предназна-ченыдляиспользова-нияввычислительныхсистемахспециальногоназначения.

Изделиевыпускаетсяс «приёмкой5»и«при-ёмкой1».


УсловныеобозначениякорпусовдляН1806ВП1и1806ВП1 Н14.42-1Ви429.42-3НапряжениепитанияUCC,В 4,5–5,5;8,1–9,9КоличествофункциональныхвыводоввкорпусахН14.42-1Ви429.42-3 40Рабочаятемператураt,˚С от-60˚Сдо+85ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC≥4,5В неменее4,0ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4Количествоэлементоввэлектрическойсхеме 11500Количествоэквивалентныхвентилей 1500


Наименование параметров,единица измерения Обозначение

НормаПредельно-допустимый

режим Предельный режим

Не менее Не более Не менее Не более

Напряжениепитания,ВUCC1 0 5,5 0 7,0UCC2 0 9,9 0 12,5

Рассеиваемаямощность,Вт Ptot – 0,8 – 1,0Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 50 – 150

11

Описание БИС БМК первого поколенияОсновные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Обозначение

Норма Температура, ˚CНе менее Не более

Выходноенапряжениенизкогоуровня,ВприUCC1=9±10%ВUCC2=5±10%В

UOL – 0,4 25±10от-60до85

Выходноенапряжен.высокогоуровня,ВприUCC1=9±10%ВUCC2=5±10%В

UOH7,64,0 – 25±10

от-60до85

Статическийтокпотребления,мАприUCC1=9±10%ВUCC1=5±10%В

ICC1 –1 25±10

10 от-60до85

Токпотребления,мАприUCC1=9±10%ВUCC2=5±10%В

ICC2 –0,2 25±10

2 от-60до85

Токутечкинавходениз.ивысок.уровня,мкАприUCC1=9±10%ВUCC2=5±10%В

ILILILIH

–0,5 25±10

5 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»принапряже-ниивысок.инизк.уровня,мкАприUCC1=9±10%ВUCC2=5±10%В

IOZLIOZH

–5 25±10

10 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC1=9±10%ВUCC2=5±10%В

td – * 25±10от-60до85

Входнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10Выходнаяёмкость,пФ С0 – 15 25±10*конкретныезначенияприводятсявкартахзаказа


Наимено-вание изделияОсновные параметры стойкости по ГОСТ В 20.39.404

И1 И2 И3 С1 С3 К1 К3Н1806ВП1

1У 0,01х1У 1У 1У 0,1х1У 0,1х1У 0,5х1У1806ВП1

Проектированиемикросхемсдвумяисточникамипитанияразрешаетсяпосогласованиюспредприя-тием-изготовителем.


12

1515ХМ1, Н1515ХМ11515ХМ1иН1515ХМ1–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо3,2тыс.вентилейнаКМОПструктурах,предна-значеныдляиспользованияввычислительныхсистемахспециальногоназначения.



Условныеобозначениякорпусовдля1515ХМ1иН1515ХМ1 4135.64-2иН18.64-1ВНапряжениепитанияUCC,В 4,5–5,5Количествофункциональныхвыводоввкорпусах4135.64-2иН18.64-1В 62Рабочаятемператураt,˚С от-60˚Сдо+85ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,В,приUCC≥4,5В неменее4,0ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,В,приUCC≥4,5В неболее0,4Максимальнаячастотавходныхсигналов,МГц* 10Среднеевремязадержкинавентиль,нс 3ПотребляемаямощностьPCC,мВт неболее2,25ПотребляемаямощностьоднимвентилемPCCmax,мкВт 0,75Количествоэлементоввэлектрическойсхеме 23550Количествоэквивалентныхвентилей 3200*D–триггервсчётномрежиме

Описание БИС БМК первого поколенияПредельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации




Не менее Не более Не менее Не болееНапряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 -0,4 7,0

Напряжениевход.сигнала,В UI 0 UCC -0.4 UCC+0,4

Рассеиваемаямощность,Вт Ptot – 0,8 – 1,0

Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 150 – 250

13

Основные электрические параметрыНаименование параметра, единица измерения, режим

измерения Обозначе-ниеНорма Температура,

˚CНе менее Не более

Выходноенапряжен.низкогоуровня,ВприUCC=5±10%ВIOL=1,6мА

UOL – 0,4 25±10от-60до85

Выходноенапряжен.высок.уровня,ВприUCC=5±10%В,IOH=0,5мА

UOH 4,0 – 25±10от-60до85

Статическийтокпотребления,мАприUCC=5±10%В ICC –0,4 25±101 от-60до85


ILILILIH

–0,4 25±103 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»принапря-жениивысокогоинизкогоуровня,мкАприUCC=5±10%В

IOZLIOZH

–3 25±10

10 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%В td – 3,0 25±10

от-60до85Входнаяёмкость,пФ СI – 6 25±10

Выходнаяёмкость,пФ С0 – 10 25±10



И1 И2 И3 С1 С3 К1 К31515ХМ1

2У 1У 0,3х1У 2У 0,1х1У 0,1х1У 0,1х1УН1515ХМ1


Н1593ХМ1, Н1593ХМ2Н1593ХМ1иН1593ХМ2–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо3,3и6,4тыс.вентилейсоответственнонаКМОПструктурах,построенныенаединойбиблиотеке,предназна-ченыдляиспользованияввычислительныхсистемахспеци-альногоназначения.



Условноеобозначениекорпуса Н18.64-1В

НапряжениепитанияUCC,В 4,5–5,5

КоличествофункциональныхвыводоввкорпусеН18.64-1В 62

Рабочаятемператураt,˚С от-60˚Сдо+85

ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC≥4,5В неменее4,0

ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4

14

Параметр Значение

МаксимальнаячастотавыходныхсигналовfCmax,МГц*приUCC≥4,5В 50

Среднеевремязадержкинавентиль,нс 1,5ДинамическаямощностьпотреблениянавентильPCCО,мВтприUCC=5,5Виf=50 МГц

неболее1,5

КоличествоэлементоввэлектрическихсхемахН1593ХМ1иН1593ХМ2 13952и25600

Количествоэквивалентныхвентилей 3364и6400

*D–триггервсчётномрежиме

Описание БИС БМК первого поколенияПредельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации




Не менее Не более Не менее Не болееНапряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 – 7,0


Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 150 – 250Входноенапряжениевысокогоуровня,В UIH (UCC-0,8) – – –

Входноенапряжениенизкогоуровня,В UIL – 0,8 – –

Выходнойтокниз.ивыс.уровня,мА IOL,IOH – 2 – 8

Основные электрические параметрыНаименование параметра,

единица измерения,режим измерения

Обозначе-ниеНорма Температура,


Выходноенапряжениенизкогоуровня,приUCC≥4,5В,иIOL≤2мА

UOL – 0,4 25±10от-60до85

Выходноенапряжениевысокогоуровня,приUCC≥4,5В,иIOH≤2мА

UOH 4,0 – 25±10от-60до85

Статическийтокпотребления,мАПриUCC≤5±10%В ICC – 1 25±10

от-60до85

Токутечкинавходенизкогоивысокогоуровня,мкАприUCC≤5,5В

ILILILIH

–1 25±103 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»,мкАпринапряжениивысокогоинизкогоуровняUCC≤5,5В

IOZLIOZH

–1 25±103 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%ВиCL≤150пФ

td – 1,5 25±10от-60до85

Входнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10Выходнаяёмкость,пФ С0 – 10 25±10


Наимено-вание изделияОсновные параметры стойкости по ГОСТ ВР 20.39.414.2

7И1 7И6 7И7 7И8 7С1 7С4 7К1 7К4

Н1593ХМ11Ус 0,2х1Ус 10х1Ус 0,02х1Ус 1Ус 0,1х1Ус 0,5х1К 0,05х1К

Н1593ХМ2


15

1537ХМ1Т, Н1537ХМ1, 1537ХМ1У

1537ХМ1Т,Н1537ХМ1и1537ХМ1У–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо3,2тыс.вентилейнаКМОПструктурах,предназначенныедляиспользованияввычислительныхсистемахспециаль-ногоназначения.

Изделиевыпускаетсяс«приёмкой5»икатегориикачества«ОСМ».


Условныеобозначениякорпусов1537ХМ1Т,Н1537ХМ1,1537ХМ1У 429.42-3,Н18.64-1В,Н14.42-1ВНапряжениепитанияUCC,В 4,5–5,5Количествофункциональныхвыводоввкорпусах429.42-3,Н14.42-1ВиН18.64-1В 40,40и62

Рабочаятемператураt,˚С от-60˚Сдо+85ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC≥4,5В

неменее4,0

ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В

неболее0,4

Среднеевремязадержкинавентиль,нс 3,0ПотребляемаямощностьPCC,мВт 2,25ПотребляемаямощностьоднимвентилемPCCmax,мкВт 0,75Количествоэлементоввэлектрическойсхеме 23000Количествоэквивалентныхвентилей 3240

Описание серий БМК второго поколения Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации




Не менее Не более Не менее Не болееНапряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 -0,2 7,0Рассеиваемаямощность,Вт Ptot – 1,0 – 1,2Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 150 – 1000Входноенапряжениевысокогоуровня,В UIH UCC-0,1 – – UCC+0,4

Входноенапряжениенизкогоуровня,В UIL – 0,8 -0,4 –

Выходнойтокнизкогоуровня,мА IOL – 1,6 – 0,8Выходнойтоквысокогоуровня,мА IOH – 0,5 – 0,8Входноенапряжениесигнала,В UI 0 UCC 0 UCC

16

Основные электрические параметрыНаименование параметра, единица измерения,

режим измерения Обозначе-ниеНорма Температура,


Выходноенапряжениенизкогоуровня,ВприIOL=1,6мАIOL=30мкА

UOL –0,4 25±10

от-60до850,1Выходноенапряжениевысокогоуровня,ВприIOH=0,5мАIOH=30мкА

UOH

4,0– 25±10

от-60до854,4

Статическийтокпотребления,мАприUCC=5±10%В ICC –

0,4 25±100,8 от-60до85


ILILILIH

–0,4 25±103 от-60до85


IOZLIOZH

–3 25±1010 от-60до85

Времязадержки,нсприUCC=5±10%В td – 3,0 25±10от-60до85

Входнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10Выходнаяёмкость,пФ С0 – 10 25±10


Наименование изделияОсновные параметры стойкости по ГОСТ В 20.39.404

И1 И2 И3 С1 С3 К1 К3

1537ХМ1Т2У 2У 2У 2У 2У 2У 2УН1537ХМ1

1537ХМ1У


1537ХМ2, 1537ХМ2А1537ХМ2и1537ХМ2А–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо18тыс.вентилейнаКМОПструктурах,построен-ныенаединойбиблиотеке,предназначенныедляиспользо-ванияввычислительныхсистемахспециальногоназначения.



Условныеобозначениякорпусовдля1537ХМ2и1537ХМ2А 4229.132-3


Количествофункциональныхвыводоввкорпусе4229.132-3 120

Рабочаятемператураt,˚С от-60˚Сдо+85

17

Параметр Значение


ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4ЧастотаследованияимпульсовfC*,МГцдля1537ХМ21537ХМ2А

2040

Среднеевремязадержкинавентиль,нсдля1537ХМ21537ХМ2А

2,01,0

Количествоэлементоввэлектрическойсхеме 126000

Количествоэквивалентныхвентилей 17800


Описание серий БМК второго поколенияПредельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации





Напряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 – 7,0


Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 150±30 – 250Входноенапряжениевысокогоуровня,В UIH UCC-1,0 – – UCC+0,4


Выходнойтокнизкогоуровня,мА IOL – 1,6 – 0,8

Выходнойтоквысокогоуровня,мА IOH – 0,5 – 0,8



Обозначе-ниеНорма Температура


Выходноенапряжениенизкогоуровня,ВприUCC=5±10%В,UIL≤0,8В,UIH≥(UCC–1)ВиIOL≤1,6мА

UOL – 0,4 25±10от-60до85

Выходноенапряжениевысокогоуровня,ВприUCC=5±10%В,UIL≤0,8В,UIH≥(UCC–1)ВиIOH≤0,5мА

UOH UCC-0,5 – 25±10от-60до85

Статическийтокпотребления,мАПриUCC=5±10%В ICC –

1,0 25±10

2,5 от-60до85


ILILILIH

–1 25±10

10 от-60до85


IOZLIOZH

–3 25±10

10 от-60до85Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%Вдля:1537ХМ21537ХМ2А

td – 2,01,0

25±10от-60до85

Входнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10



18



И1 И2 И3 С1 С3 К1 К31537ХМ2

3У 3У 3У 2У 2У 2У 2У1537ХМ2А

1537ХМ2У, 1537ХМ2АУ1537ХМ2Уи1537ХМ2АУ–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо18тыс.вентилейнаКМОПструктурах,построен-ныенаединойбиблиотеке,предназначенныедляиспользо-ванияввычислительныхсистемахспециальногоназначения.



Условныеобозначениякорпусовдля1537ХМ2Уи1537ХМ2АУ Н18.64-3В


КоличествофункциональныхвыводоввкорпусахН18.64-3В 62

Рабочаятемператураt,˚С от-60до+85

ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC≥4,5В неменее4,0ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В

неболее0,4

ЧастотаследованияимпульсовfC*,МГцдля1537ХМ2У1537ХМ2АУ

2040

Среднеевремязадержкинавентиль,нсдля1537ХМ2У1537ХМ2АУ

2,01,0






И1 И2 И3 С1 С3 К1 К3

1537ХМ2У3У 3У 3У 2У 2У 2У 2У

1537ХМ2АУ

19






Напряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 – 7,0

Рассеиваемаямощность,Вт Ptot – 1,5 – 2,0Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 150±30 – 250

Входн.напряжениевысокогоуровня,В UIH UCC-1,0 – – UCC+0,4


Выходнойтокнизкогоуровня,мА IOL – 1,6 – 0,8

Выходнойтоквысокогоуровня,мА IOH – 0,5 – 0,8






UOL – 0,4 25±10от-60до85


UOH UCC-0,5 – 25±10от-60до85


1,0 25±10

2,5 от-60до85

Токутечкинавходенизкогоивысокогоуровня,мкАприUCC=5±10%

ILILILIH

–1 25±10

10 от-60до85


IOZLIOZH

–3 25±10

10 от-60до85Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%Вдля1537ХМ21537ХМ2А td – 2,0

1,025±10

от-60до85Входнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10



20

Серия 1592ХМХ

1592ХМх–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо100тыс.вентилейнаКМОПструктурах,построенныенаединойбиблиотеке,предназначеннойдляавтоматизированногопроектированияполузаказныхинтегральныхсхемсрабочейчастотойдо50МГц.Серия1592ХМХиспользуетсядлябыстрогопостроенияполузаказныхИСизделийспециальногоиобщегоназначения,заменяябольшоеколичествоИСнизкойисреднейстепениинтеграции.

Вэлементахбиблиотекиввода-выводапримененыспециальныесредстваповышениядинамиче-скойпомехоустойчивости.БиблиотекаэлементовсерииБМК1592ХМхсодержит179элементовядраи 76элементовввода-вывода.

Изделиевыпускаетсяс«приёмкой5»икатегориикачества«ВП».

Описание серий БМК второго поколенияОтличительные характеристики

Тип БМК Количество элементов в схеме(Количество эквивалентных вентилей) Корпус Количество функциональных

выводов1592ХМ1 423088(105772) 4229.132-3 100

1592ХМ1Т 434032(108508) 4236.208-2 176

1592ХМ2Т 274512(63468) 4229.132-3 116

1592ХМ3У 152912(34390) 18.64-1В 58

1592ХМ4У 55250(11572) 18.64-1В 58

Общие характеристики Параметр Значение


МаксимальныйтоквстатикеIсс,мА 1,0

ТокнагрузкивыходныхэлементовIOH,мА до10

Максимальнаямощностьрассеивания,Вт 3,0



ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4Динамическаямощностьпотреблениянавентиль2И-НЕPCCO,мкВтприUCC=5,5Виf=60МГц

неболее300

Времязадержкивентиля2И-НЕtD1,нсснагрузкойнаодинвходилиниейсвязиL=1мм неболее1,0

ВремязадержкисигналаотячейкивходадовыходаtD3,нсприUCC≥4,5ВиCL≤50пФ

неболее8,0

МаксимальнаячастотавыходныхсигналовFCmax*,МГцприUCC≥4,5ВиFCmax=60МГцвдиапазонетемпературот-60˚Сдо+85˚С

50


21



7.И1 7.И6 7.И7 7.И8 7.С1 7.С4 7.К1 7.К4

1592ХМх 1Ус 0,2х1Ус 10х1Ус 0,02х1Ус 1Ус 0,1х1Ус 5х1К 0,5х1К

Основные электрические параметры общие для всей серии 1592ХМх

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Обозначение

Норма Температура,˚CНе менее Не более


UOL – 0,4 25±10от-60до85


UOH 4,0 – 25±10от-60до85


ILILILIH

–1 25±105 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»,мкАпринапряжениивысок.инизк.уровняUCC=5±10%В

IOZLIOZH

–1 25±105 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%В td – 1,0 25±10

от-60до85Входнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10Выходнаяёмкость,пФ С0 – 10 25±10

Различия электрических параметров Наименование параметра,



C˚Не менее Не более

Статическийтокпотребления,мАприUCC=5±10%В

1592ХМ1

ICC

–0,5 25±102,5 от-60до85

1592ХМ1Т –0,5 25±102,5 от-60до85

1592ХМ2Т –0,4 25±102,0 от-60до85

1592ХМ3У –0,2 25±100,6 от-60до85

1592ХМ4У –0,15 25±100,4 от-60до85






Напряжениепитания,В UCC 4,5 5,5 – 7,0Рассеиваемаямощность,Вт1592ХМ11592ХМ1Т1592ХМ2Т Ptot

– 4,0 – 4,5

1592ХМ3У1592ХМ4У – 0,8 – 1,0

Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 50 – 250

22




Не менее Не более Не менее Не болееВходнноенапряжениевысокогоуровня,В

― приТТЛ-уровнях UIH

2,2 – – –

― приКМОП-уровнях UCC-0,8 – – –Входноенапряжениенизкогоуровня,В

― приТТЛ-уровнях UIL

– 0,8 – –

― приКМОП-уровнях – 0,8 – –Выходнойтокнизкогоивысокогоуровня,мА

IOL**IOH**

– 0,5;2,0;4,0;6,0;8,0;10,0 – 1,0;4,0;8,0;

12,016,0;20,0

∗∗–Значениеопределяетсятипомиспользуемоговыходногоэлементабиблиотеки.

Библиотекасерии1592ХМхлеглавосновубиблиотекрадиационно-стойкихБМКсерий5516и5522.Проектымикросхем,реализованныенаБМКсерии1592,напрямуюпереводятсянапроектыБМКсерии5516и5522.


5517БЦ2У, 5517БЦ2Н25517БЦ2Уи5517БЦ2Н2–базовыематричныекристаллы(БМК)ёмкостьюдо6тыс.вентилейнаКМОПКНС(кремнийнасапфире)структурах,предназначеннойдляиспользованияв вычислительныхсистемахспециальногоназначенияс высокимитребованиямикспециальнымВВФ.

Изделиевыпускаетсяс«приёмкой5».


Условныеобозначениякорпусовдля5517БЦ2Уи5517БЦ2Н2 Н18.64-1Вибескорпусноеисполнение


Рабочаятемператураt,˚С от-60до+85ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC=(4,5–7,5)В

неменее(UCC–0,3)

ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC=(4,5–7,5)В

неболее0,3

Максимальнаячастотавходныхсигналов,МГц* 20

Среднеевремязадержкинавентиль,нс 1,6




23



7.И1 7.И6 7.И7 7.И8 7.С1 7.С4 7.К1 7.К4

5517БЦ2У3х5Ус 2,5х6Ус 6Ус 1,3х2Ус 5Ус 0,4х4Ус 4,2х1К 0,2х1К

5517БЦ2Н2





Не менее Не более Не менее Не болееНапряж.питания,В UCC 4,5 7,5 0 9,0


Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 50 – 450Входноенапряжениевысокогоуровня,В,для:

― КМОП; UIH

(0,75•UCC) – – –

― ТТЛ 2,2Входноенапряжениенизкогоуровня,В,для:

― КМОП; UIL –(0,25•UCC) – –

― ТТЛ 0,8Выходнойтокнизкогоивысо-когоуровня,мА

IOL**IOH**

– 1,5;2,5;4,0 – 3,0;5,0;8,0

∗∗Значениеопределяетсятипомиспользуемоговыходногоэлементабиблиотеки.


единица измерения, режим измерения ОбозначениеНорма Температура

˚CНе менее Не болееВыходноенапряжениенизкогоуровня,ВприUCC=(4,5–7,5)ВиIOL≤1,5;2,5и4,0мА

UOL – 0,3 25±10от-60до85

Выходноенапряжениевысокогоуровня,ВприUCC=(4,5–7,5)ВиIOL≤1,5;2,5и4,0мА

UOH (UCС–0,3) – 25±10от-60до85

Статическийтокпотребления,мАприUCC=(4,5–7,5)В

ICC –0,5 25±10

0,6 от-60до85

Токутечкинавходенизкогоивысокогоуровня,мкАприUCC=(4,5–7,5)В

ILILILIH

-0,4 0,4 25±10

-0,5 0,5 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»,мкАпринапряжениивысокогоинизкогоуровняUCC=(4,5–7,5)В

IOZLIOZH

-0,4 0,4 25±10

-0,5 0,5 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=(4,5–7,5)В td – 1,6 25±10от-60до85




24

Серия 5515ХТ1У(Х)5515ХТ1У(х)–аналогово-цифровыебазовыематричныекристаллы,предназначенныедляускоренногопроизводстваодно-кристальныханалогово-цифровыхсистемврадиоэлек-троннойаппаратуреспециальногоназначения.

(х=А,Б,В,Г,Д–типономиналыпонапряжениюпитанияана-логовойчасти)



Условноеобозначениекорпусадля5515ХТ1У(гр.А,Б,В,Г,Д) Н16.48-1ВОбщеечисловыводов 48Числоаналоговыхвыводов 24и3общихЧислоцифровыхвыводов 19и2общихБыстродействиенавентиль,нс 2-3Суммарныйноминалрезисторов,кОмконденсаторов,пФ

8777,2294

Выходнойтокмощныхn-p-nиp-n-pтранзисторов,БиКМОПтехнология,мА 30

Емкостьцифровойматрицы,вентиль 230

Емкостьаналоговойматрицыn-p-np-n-p

223129

Напряжениепитания(дляцифровойчасти)UCC,В 4,5–5,5


Аналого-цифровой(АЦ)БМКпредставляетсобоймногофункциональнуюаналого-цифровуюматрицу,котораясодержитнаборфиксированорасположенныхактивныхипассивныхэлементов.БМКпредназначендляускоренногополученияспециализированныхполузаказныханалого-цифро-выхБИС,а такжеможетбытьиспользованприразработкеаналоговсреднечастотныхмикросборокс напряжениемпитанияаналоговойчастиБМК±15 В,±12 В, ±9 В,±6 В,±5 В.

КонструктивноАЦБМКсостоитизаналоговойицифровойчастейипредставляетсобойкристаллразмером5,01×4,23 мм.МеждуаналоговойицифровойчастямиБМКрасположенрядточныхрези-сторов(номиналом2,64 кОмкаждый).

Описание серий БМК второго поколенияНаполеаналоговойчастирасположеныдваряданескоммутированныханалоговыхбазовыхячеек,содержащих18ячееквнутреннейматрицы(по9ячееквряду),предназначенныхдляреали-зациианалоговыхблоков.Попериметруаналоговойматрицырасположены24контактныеплощадки, периферийныеаналого-выеячейкиимощныеn-p-nиp-n-pтранзисторы.Объёманалоговойчастипозволяетреализоватьдо8операционныхусилителейобщегопримененияпринеобходимостисрезистивнойобвязкой.ЦифроваячастьБМКсодержит115цифровыхбазовыхячееквнутреннейматрицыи19перифе-рийныхцифровыхячеек.Объёмцифровойчастипозволяетреализовать230логическихвентилейКМОПиБиКМОПтипаилидо57D–триггеровстактовойчастотойдо10МГц.Периферийныециф-

25

ровыеячейкиобеспечиваютдо19входов/выходов,втомчислестретьимсостояниемистокомнагрузки2мАипозволяютсоздаватьсложныелогическиеэлементы,обеспечивающиеуровнивход-ныхивыходныхсигналовБИСпостыковкесТТЛиКМОПсхемами,а такжезащитуотвоздействиястатическогоэлектричества.

Конструкция• 5515ХТ1У(гр.А,Б,В,Г,Д)конструктивновыполненывметалло-керамическихкорпусахН16.48-1В(сзолотымпокрытием);

• 5515ХТ1Н4(гр.А,Б,В,Г,Д)конструктивновыполненывбескорпусномисполнениинаобщейпластине,неразделенные(модификация4)иразделенныхнакристаллы.

Электрические параметры микросхемНаименование параметра,

единица измерения, режим измерения ОбозначениеНорма Температура,

˚Cне менее не болееПараметрыцифровойчастиБМК

Выходноенапряжениенизкогоуровняцифровойчасти,ВприUСCD≥4,5В,IOLD≤2мА

UOLD – 0,4 25±10от-60до125

Выходноенапряжениевысокогоуровняцифровойчасти,ВприUCCD≥4,5В,IOHD≤2мА

UOHD 3,5 – 25±10от-60до125

Токутечкинизкогоивысокогоуровнейнавходецифровойчасти,мкАприUCCD≤5,5В

ILILDILIHD

-5 5 25±10от-60до125

Выходнойтокнизкогоивысокогоуровнейвсостоя-нии«Выключено»,мкАприUCCD≤5,5ВиUOHD=UCCD,UOLD=0В

IOZLDIOZHD -5 5 25±10

от-60до125

Токпотреблениявстатическомрежимецифровойчасти,мАприUCCD≤5,5В

IССD – 5 25±10от-60до125

Входнаяемкостьцифровойчасти,пФ СID – 10 25±10Выходнаяемкостьцифровойчасти,пФ СОD – 10 25±10

Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации микросхем




Не менее Не более Не менее Не болееНапряжениепитания,В

― цифровойчастиUССD 4,5 5,5 – 7,0

― аналоговойчасти:

• микросхем5515ХТ1АУ–Х

UССA1 13,5 16,5 – 17,0

UССA2 -16,5 -13,5 -17,0 –

UССA1)=UCCA1+|UССA2|

27,0 33,0 – 34,0

• микросхем5515ХТ1БУ–Х

UССA1 10,8 13,2 – 14,0

UССA2 -13,2 -10,8 -14,0 –


21,6 26,4 – 28,0

• микросхем5515ХТ1ВУ–Х

UССA1 8,1 9,9 – 11,0

UССA2 -9,9 -8,1 -11,0 –


16,2 19,8 – 22,0

• микросхем5515ХТ1ГУ–Х

UССA1 5,4 6,6 – 8,0

UССA2 -6,6 -5,4 -8,0 –


10,8 13,2 – 16,0

26





• микросхем5515ХТ1ДУ–Х

UССA1 4,5 5,5 – 7,0

UССA2 -5,5 -4,5 -7,0 –


9,0 11,0 – 14,0

Напряжениеналюбомвходецифровойчасти,В UID -0,32) (UССD+0,3)2) -0,4 (UССD+0,5)

Входноенапряжениенизкогоуровнядляцифровойчасти,В UILD -0,32) 0,83) -0,4 –

Входноенапряжениевысокогоуровнядляцифровойчасти,В UIHD (UССD-0,8)3) (UССD+0,3)2) – (UССD+0,5)

Выходнойтокнизкогоивысокогоуровняцифровойчасти,мА IOLD,IOHD – 2 – 4

Рассеиваемаямощность,Вт Рtot – 0,8 – 1,0

СопротивлениенагрузкиОУ,кОм RL 2 – 1 –

Емкостьнагрузкидляцифровойчасти,пФ СLD – 254) – 50

ЕмкостьнагрузкиОУ,пФ СLА – 124) – 25

Описание серий БМК второго поколенияПараметры аналоговой части БМК для микросхемы 5515ХТ1У (операционного усилителя (ОУ) общего применения типа 140УД7)

Наименование параметра, единица измерения,режим измерения Обозначение

Норма Температура,˚CНе менее Не более

Макс.выходн.напряжениеОУ,ВприUCCА1=15В,UCCА2=-15ВиUCCА1=5В,UCCА2=-5 В,RL≥2кОм,СL

1)≤12пФUOMAXА

(UCCА1-3,5)4)(UCCА1-2)4)

(UCCА2+3,5)4)(UCCА1-2)4)

25±10от-60до125

НапряжениесмещениянуляОУ,ВприRL≥2кОм

UIOА-52)4)-33)4)

52)4)33)4)

25±10от-60до125

ВходнойтокОУ,нАприUCCА1=15В,UCCА2=-15В

IIA -3004) 3004) 25±10

РазностьвходныхтоковОУ,нАприUCCА1=15В,UCCА2=-15В

IIОА -1004) 1004) 25±10

ТокпотребленияОУ,мАприUCCА1=15В,UCCА2=-15В

IССА1 – 3 25±10от-60до125

КоэффициентусиленияОУприRL≥2кОм,СL

1)≤12пФ АUА1000002)4),100003)4) – 25±10

от-60до1251)Сучетомпаразитныхемкостей.2)ПриUCCА1=15В,UCCА2=-15В.3)ПриUCCА1=5В,UCCА2=-5В4)ВданнойтаблицеприведенынормыдлятиповогоОУобщегоприменения.КонкретныезначенияпараметровОУ,разработанныхнаосновеячееканалоговойчастиБМКприводятсяв картезаказасоответствующегорегистрационногономера.



7.И1 7.И6 7.И7 7.И8 7.С1 7.С4 7.К1 7.К4

5515ХТХ 1Ус 2х1Ус 2х4Ус 0,02х1Ус 1Ус 1Ус 0,5х2К 0,5х1К


27

Серия 5516БЦХ

СерияБМК5516БЦХ–базовыематричныекристаллы(БМК)емкостью60–100тысячвентилейнаКМОПКНС(кремнийнасапфире)структурах.РазрабатываемыйрядБМКпредназначендлясозданиянаегоосновеполузаказныхматричныхБИС(МБИС)высокойстепениинтеграциисмаксимальнойвходнойчастотойдо60мегагерц,позволяющихоперативноудовлетворятьпотребностиизготови-телейаппаратурыспециальногоназначения.


Условныеобозначениякорпусовдля5516БЦ1Ти5516БЦ2Т5516БЦ1Т1

4229.132-34236.208-2

НапряжениепитанияUCC,В 4,5–5,5Количествофункциональныхвыводоввкорпусах4229.132-34236.208-2

116176

Рабочаятемператураt,˚С от-60до+85ВыходноенапряжениевысокогоуровняUOH,ВприUCC≥4,5В неменее4,0ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4ЧастотаследованияимпульсовfC,МГц* 60Среднеевремязадержкинавентиль,нс 1,0Количествоэлементоввэлектрическойсхеме(количествоэквивалентныхвентилей)для5516БЦ1Ти5516БЦ1Т15516БЦ2Т

452324(113081)259688(64922)




7.И1 7.И6 7.И7 7.И8 7.С1 7.С4 7.К1 7.К45516БЦХ 3х5Ус 2х5Ус 6Ус 3Ус 5Ус 5Ус 2,5х1К 0,5х1К

Описание НОВЫХ типов БМК Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации




Не менее Не более Не менее Не болееНапряж.питания,В UCC 4,5 5,5 -0,4 7,5Рассеиваемаямощность,Вт Ptot – 4,0 – 4,5Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 50 – 250

28




Не менее Не более Не менее Не болееВходноенапряжениевысокогоуровня,В,для:

― КМОП; UIH

(UCC–0,8) – – –

― ТТЛ 2,2Входноенапряжениенизкогоуровня,В,для:

― КМОП; UIL – 0,8 – –

― ТТЛ 0,8Выходнойтокнизкогоивысо-когоуровня,мА

IOL**IOH**

– 0,5–10,0 – 8,0–20,0

∗∗–Значениеопределяетсятипомиспользуемоговыходногоэлементабиблиотеки.

Основные электрические параметрыНаименование параметра, единица измерения,

режим измерения ОбозначениеНорма Температура,

˚CНе менее Не болееВыходноенапряжениенизкогоуровня,ВприUCC=5±10%В,UIL≤0,8В,UIH≥(UCC–1)ВиIOL≤1,6мА

UOL – 0,4 25±10от-60до85


UOH UCC-0,5 – 25±10от-60до85


1,0 25±103,0 от-60до85


ILILILIH

–1,0 25±103,0 от-60до85


IOZLIOZH

–1,0 25±103,0 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5±10%В td –

1,0 25±101,5 от-60до85



ВыполняетсяОКР.Завершение–второйквартал2014года.

29

Серия 5522БЦХ

СерияБМК5522БЦХ–рядбазовыхматричныхкристаллов(БМК)повышеннойстойкостикСВФёмкостью20–120тысячвентилейнаКМОПструктурах,построенныенаединойбиблиотеке.

РазрабатываемыйрядБМКпредназначендлясозданиянаегоосновеполузаказныхматричныхБИС(МБИС)высокойстепениинтеграциисмаксимальнойвходнойчастотойдо80МГц,позволяющихоперативноудовлетворятьпотребностиизготовителейаппаратурыспециальногоназначения.


Условныеобозначениякорпусовдля5522БЦ1(А,Б,В)У5522БЦ4(А,Б,В)Т5522БЦ4(А,Б,В)Т1

Н18.64-1В4229.132-34236.208-2

НапряжениепитанияUCC,Вдля5522БЦХ(А,В)5522БЦХ(Б)

4,5–5,5В3,0–3,6В

КоличествофункциональныхвыводоввкорпусахН18.64-1В4229.132-34236.208-2

58116176



ВыходноенапряжениенизкогоуровняUOL,ВприUCC≥4,5В неболее0,4

ЧастотаследованияимпульсовfC,МГц* 60

Среднеевремязадержкинавентиль,нс 1,0Количествовентилейвэлектрич.схемедля5522БЦ1(А,Б,В)У5522БЦ4(А,Б,В)Т5522БЦ4(А,Б,В)Т1

23000120000120000



Описание НОВЫХ типов БМК Стойкость к воздействию специальных факторов

Наименование изделияОсновные параметры стойкости по ГОСТ ВР 20.39.414.2

7.И1 7.И6 7.И7 7.И8 7.С1 7.С4 7.К1 7.К4

5522БЦХ 4Ус 2•5Ус 6Ус 0,07•1Ус 5Ус 10•5Ус 3•2К 0,5•2К

30



Норма

Предельно-допустимый режим Предельный режим


Напряжениепитания,В UCC4,5;3,02)

5,53,62) – 7,5

6,02)

Рассеиваемаямощнность,Вт Ptot – 4,0 – 4,5

Ёмкостьнагрузки,пФ CL – 50 – 200Входноенапряжениевысо-когоуровня,В,для:

― КМОП; UIH 2,2 – – –

― ТТЛ (UCC–0,8)Входноенапряжениениз-когоуровня,В,для:

― КМОП; UIL – 0,8 – –

― ТТЛ 0,8

Выходнойтокнизкогои высокогоуровня,мА

IOL1)–

(0,5-10,0)(0,5-6,0)2)

–

(3,0-15,0)(4,0-12,0)2)

IOН1)(0,3-6,0)

(0,25-5,0)2)(1,0-10,0)(2,0-10,0)2)

Основные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения,режим измерения Обозначение

норма Температура˚CНе менее Не более

Выходноенапряжениенизкогоуровня,ВприUCC=5,0В,

UOL – 0,40,4

25±10от-60до85

Выходноенапряжениевысокогоуровня,ВприUCC=5,0В,

UOHUCC-0,5UCC-0,62)

– 25±10от-60до85

Статическийтокпотребления,мАприUCC=5,0В,

ICC –1,0 25±10

3,0 от-60до85

Токутечкинавходенизкогоивысокогоуровня,мкАприUCC=5,5В,

ILILILIH

– 1,0 25±10

– 3,0 от-60до85

Выходнойтоквсостоянии«выключено»,мкАпринапряжениивысокогоинизкогоуровняприUCC=5,5В,

IOZLIOZH

– 1,0 25±10

– 3,0 от-60до85

Времязадержкинавентиль,нсприUCC=5,5В,

td –

0,5;0,82) 25±10

0,75;1,22) от-60до85

Входная/выходнаяёмкость,пФ СI – 10 25±10

1)Значениеопределяетсятипомиспользуемоговыходногоэлементабиблиотеки.2)ЗначенияприведеныдляизделийснапряжениемпитанияUCC=3,3±10%В

31

Чертежи корпусаЧертеж корпуса 429.42-3

0,77,

0min

1,251max 20 õ 1,25 = 25

26,62-0,530,00*

0,7

33,74m

ax

17,74m

ax

16,74-

0,43*

max

42 Âûâîäà 0,45-0,14*

0,2-0,07*

1,5+0,5*-0,4

3,2-0,9

Ò/2 0,088 Ì

1

Êëþ÷

21

2242

32

Чертеж корпуса 4135.64-2

19,74-

0,26

*

0,2-0,07*

1,5+0,5*-0,4

3,2-0,9

0,77,0m

in

1,251max 31 õ 1,25 = 38,75

40,75-0,530,00*

0,7

40,86m

ax

20,7max

64 Âûâîäà 0,52-0,16*

Ò/2 0,088 Ì

1

Êëþ

÷

32

3364

33

Чертеж корпуса 4229.132-30,7m

ax*

0,7m

ax*

29,26

max

*

0,7max*0,7max* 29,26 max*

Êëþ÷

1

2

28,0 0,26*

132 Âûâîäà 0,35-0,07*Ò/2 0,063/Å Ì

11,0 0,2ïî êîíòóðó

132

131

101 65

3532

98 68100

99 67

66

34

33

3,4max

50,5max0,2-

0,07

*0,62

5*

32 õ

0,625

* =

20*

0,625*

32 õ 0,625* = 20*

50,5max

34

Чертеж корпуса 4236.208-2

0,7max*0,7max* 42,4max*

8,6minïî êîíòóðó

0,7m

ax*

0,7m

ax*

42,4max

*

50,5max

Êëþ÷

208

157

156 103

104

53

521

41,0 0,4*

0,62

5*

51 õ

0,625

* =

31,875

*

0,625*

51 õ 0,625* = 31,875*

208 Âûâîäîâ 0,35-0,07*Ò/2 0,063/Á Ì

0,2-

0,07

*

3,4max

35

Чертеж корпуса Н14.42-1В0,7m

ax0,7

max

0,7 max 0,7 max

1

8 õ 1 = 8

1

42

20,3 m

ax

20,3 max

13,3 m

ax

1

11 õ

1 =

11

64 Âûâîäà 0,37-0,11*Ò 0,155 Ì


0,2-

0,07

*

2,9

max

13,3 max

36

Чертеж корпуса Н16.48-1В

0,7m

ax

0,7max15,5max

48 Âûâîäîâ 0,32-0,11*

0,7m

ax

7

Êëþ÷

6

1

48

43

42 31

30

19

18

0,7max

0,2-

0,07

*

15,5max

2,9m

ax

22,5max

22,5max


Ò 0,155 Ì

1

11 õ 1 = 11

1

11 õ

1 =

11

37


9 24

Êëþ÷

8

1

64

57

25

40

0,7

max

0,7

max

19,6 m

ax

0,7 max0,7 max 19,6 max

26,6 m

ax


64 Âûâîäà 0,32-0,11*

42 41

Ò 0,2 Ì

1 *15 õ 1* = 15*

1 *

15 õ

1*

= 15

*

0,2-

0,07

*

2,9

max

38


9 24

Êëþ÷

8

1

64

57

25

40

0,7

max

0,7

max

19,6 m

ax

0,7 max0,7 max 19,6 max

26,6 m

ax


64 Âûâîäà 0,32-0,11*

42 41

Ò 0,2 Ì

1 *15 õ 1* = 15*

1 *

15 õ

1*

= 15

*

0,2-

0,07

*

2,9

max

Контакты

АО «Ангстрем»124460,г.Москва,Зеленоград,ПлощадьШокина,дом2,строение3.Телефон:+7(499)731-14-53,731-14-70Факс:+7(499)731-32-70E-mail:[email protected]

Департамент цифровых ИСТелефон:+7(499)720-80-36E-mail:[email protected]

Телефон:+7(499)720-83-45Тел./(факс):+7(499)731-49-06E-mail:[email protected]

Департамент по БМКТел./факс:+7(499)731-01-29E-mail:[email protected]

15 100 63603

2017

Базовые матричные кристаллы · 3. Серия 1592ХМХ 20....

Documents