Instituto Politcnico Nacional Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica ICE Electrnica Digital Transistor BJT como Interruptor.

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Introduccin 3 Construccin y Composicin 3 Operacin 4 Zonas de Funcionamiento del Transistor Bipolar 5 Condiciones de corte y Saturacin. Polarizacin. 6 9

Aplicaciones por la zona del BJT en la que trabajan 11 Transistor en corte y saturacin 12 Redes de conmutacin con Transistores. 12 Circuitos de excitacin y proteccin. 18 Conclusiones 35 Bibliografa y Referencias 35

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Transistor Bipolar (BJT)Introduccin El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Este dispositivo consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL. Construccin y Composicin Consta de 3 capas, ya sea dos capas de material tipo N y una de tipo P, o bien, dos capas de material tipo P y una de tipo N. Al primero se le denomina Transistor NPN, mientras que al segundo transistor PNP. Se encuentran separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor: Se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base: La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector: La de extensin mucho mayor.

La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la de la base ligeramente dopada, y la del colector muy poco dopada, las capas exteriores tienen espesores mucho mayores, que los de los materiales N o P centrales.

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Sus diagramas representativos son los siguientes:

Operacin Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones p-n en contraposicin. Fsicamente, podemos hablar de tres regiones semiconductoras: Emisor, base y colector siendo la regin de base muy delgada.El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y voltajes en las terminales del transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP :

Asi, podemos verificar que:

Y tambin que:

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Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son:

donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente, F el factor de defecto y R la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros estn relacionados mediante el teorema de Reciprocidad, representado en la siguiente ecuacin:

Zonas de Funcionamiento del Transistor Bipolar ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos multimetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el multimetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.

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- SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. - CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). - RUPTURA: Avalancha, se destruye el transistor. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

Veamos para que sirve cada zona: ACTIVA: Amplificadores y dems Circuitos Lineales CORTE Y SATURACIN: Conmutacin (Corte abierto y Saturacin cerrado). En este caso el control es por corriente. Comparacin con el diodo: Con el diodo el control es por tensin. RUPTURA: Avalancha, se destruye el transistor. Condiciones de corte y Saturacin. Para un buen entendimiento de las condiciones necesarias para la transicin de una zona a la otra, se expondr un ejemplo grficamente:

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Ahora vamos a ver como pasamos de una zona a otra a travs de un ejemplo:

Una vez obtenido esto, el valor y el signo de los voltajes nos dir en que zona estamos trabajando.

Para pasar de una zona a otra, de saturacin a activa, se vara la UC de directa a inversa.

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Si el VCE se encuentra entre 0 V y 0,2 V, la UC est en directa y el transistor est en Saturacin. Si VCE es mayor o igual a 0,2 V la UC est en inversa y por lo tanto en transistor est en Activa.

Analizaremos ahora lo que ocurre en Corte.

La IB = 0, pero vamos a ver lo que ocurre internamente.

Hay "Portadores minoritarios generados trmicamente" en la zona p de la base que crean una pequea corriente llamada ICEo (corriente entre colector y emisor, esta "o" significa open = abierto en ingls, y quiere decir que el circuito est abierto por la base). De ese valor hacia abajo se pone una pila que polarice la UE en inversa, de la siguiente forma:

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Polarizacin Polarizar un transistor es una condicin previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y voltajes que van a circular por el dispositivo. Para que un BJT pueda polarizarse en su regin activa o lineal, deben cumplirse las siguientes condiciones. La unin Base-Emisor Una unin p-n de un transistor se encuentra en polarizacin inversa, mientras que la otra en polarizacin directa. Dado que es considerado una fuente de corriente dependiente de la corriente de base, podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor para obtener ciertas caractersticas de corriente y voltaje en la malla de salida, que es donde se obtiene la amplificacin.

La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes. Existen varios modos de polarizar un transistor Bipolar, los cuales se enumeraran a continuacin:

Circuito de polarizacin de base. Circuito de polarizacin con realimentacin de emisor. Circuito de polarizacin con realimentacin de colector. Circuito de polarizacin por divisor de tensin. Circuito de polarizacin de emisor con 2 fuentes de alimentacin. Circuito de polarizacin con realimentacin de emisor y realimentacin de colector.

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Las ecuaciones y redes de polarizacin esquematizadas y sintetizadas para las ms importantes de estas redes son las siguientes:

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Aplicaciones por la zona del BJT en la que trabajan:

Amplificacin: ACTIVA.

Conmutacin: SATURACIN y CORTE.

El valor de IB depende de la RB, por lo tanto podemos controlar la posicin del punto Q variando el valor de la RB.

Para los temas que tratamos en la actual investigacin, nos enfocaremos en las redes de conmutacin con transistores, dado que estas son las que llevan al transistor a las regiones de corte y saturacin.

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Transistor en corte y saturacin. Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch la corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin. Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor (VCE) mximo (casi igual al voltaje de alimentacin). La zona amarilla en el grfico. Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero Volts). La zona en verde en el grfico.

Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor an, cero. Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se est operando entre encendido y apagado (funcionamiento de interruptor) Si se conoce cul es la corriente que necesita la carga para activarse, se tiene el valor de corriente que habr de conducir el transistor cuando este en saturacin y con el valor de la fuente de alimentacin del circuito, se puede obtener la recta de carga. Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturacin, Ic debe ser mximo y VCE mnimo y para que est en corte, Ic debe ser el mnimo y VCE el mximo.

Redes de conmutacin con Transistores. Mediante un diseo apropiado, se pueden utilizar como interruptores para aplicaciones de cmputo y control. La red de la figura abajo mostrada puede ocuparse como un inversor para circuitos lgicos de cmputo.

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El voltaje de salida Vc es el opuesto del que se aplica en la terminal de la base o de entrada. Ademas la ausencia de una fuente de CD conectada al circuito de la base. La nica fuente de CD se encuentra conectada al colector o lado de salida y para aplicaciones de computo esta es generalmente igual a la magnitud alta de la seal aplicada, generalmente 5v.

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Un diseo apropiado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin alterne entre el corte y la saturacin durante la recta de carga arriba mostrada. Para esto asumiremos que I c = ICEO = 0 mA cuando IB = 0 A que es una excelente aproximacin dadas las mejoras tcnicas recientes en los BJTs. Ademas tambin hay que asumir que VCE = VCESal = 0V en lugar de lo comn que serian entre .1 V y .3V. Cuando Vi = 5V, el transistor se encontrar encendido y el diseo y el diseo deber asegurar que la red se encuentra altamente saturada por un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB que aparece cerca del nivel de saturacin. En la curva mostrada, esto requiere que IB>50 A. El nivel de saturacin de la corriente del colector estar definido por la siguiente ecuacin para esta red:

El nivel de IB en la regin activa justo antes de que ocurra la saturacin puede aproximarse mediante la siguiente ecuacin:

Para la red que estamos analizando cuando Vi= 5V, el nivel de IB resultante esta dado por:

As al sustituir los valores:

Lo cual se cumple. Desde luego cualquier nivel de IB mayor a 60 A pasara a travs de un punto Q sobre la recta de carga que se encuentra muy cercana al eje vertical. Cuando Vi= 0V, IB = 0 A y dado que estamos asumiendo que Ic = ICEO = 0 mA, el voltaje en Rc determinada por VRc= IcRc= 0V, resulta en Vc= +5V para la respuesta indicada en la grafica de arriba.

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Adems de contribuir con la lgica computacional, el transistor tambin puede emplearse como un interruptor utilizando los mismos extremos en la recta de carga. En la saturacin, la corriente I c es muy alta y el voltaje VCE es muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia, entre ambas terminales, determinado por:

Su representacin es la siguiente:

Condiciones de saturacin y la resistencia de terminal resultante. Si utilizamos un valor promedio tpico de VCE como 0.15 V tenemos:

El cual es un valor relativamente bajo e igual a 0 ohms cuando es colocado en serie con resistores del rango de los Kohms.

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Para Vi= 0 V, como se puede ver en la figura, la condicin de corte ocasionara un nivel de resistencia de la siguiente magnitud:

Resultando en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor tpico de I CEO = 10 A a magnitud de la resistencia de corte es :

Lo cual se aproxima a circuito abierto para muchas situaciones. Existen transistores que se denominan transistores de conmutacin debido a la velocidad con la que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura de abajo los periodos de tiempo definidios como ts, td, tr y tf graficados en funcin de la corriente de colector. Su impacto sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la corriente del colector. El tiempo total requerido para que el transistor conmute de estado de apagado a encendido se denomina como t encendido y se define por:

El tiempo total que requiere un transistor para cambiar del estado encendido al estado apagado es conocido como t apagado y se define as:

Donde ts es el tiempo de almacenamiento y tf es el tiempo de cada de 90% a 10% del valor inicial.

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Donde td, el tiempo de retraso en el estado de la carga de la entrada y el inicio de una respuesta de la salida. El elemento de tiempo tr es el tiempo de subida de 10% a 90% del valor final.

Para un transistor de propsito general y cuando Ic= 10 mA , tenemos: ts = 120 ns td = 25 ns tr = 13 ns tf = 12 ns por lo que: t encendido = tr + td = 13 ns + 25 ns = 38 ns t apagado = ts + tf = 120 ns + 12 ns = 132 ns y dado que su rendimiento es mas optimo que el de un transistor normal, es mejor hacer cuando de conmutacin se trata.

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Circuitos de excitacin y proteccin. Introduccin. -Area de funcionamiento seguro, soa Los datos proporcionados por la curva de salida incluida en las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante del dispositivo, en las que se muestran los valores de la corriente IC en relacin con la tensin colector-emisor VCE, no son suficientes para conocer si el transistor BJT se encuentra trabajando en un punto seguro, sin sobrepasar los lmites trmicos. Para ello se suministra la curva SOA (Safe Operating Area). Esta curva est definida por aquellos puntos que cumplen que el producto IC VCE no sobrepase la mxima potencia disipable permitida por el transistor elegido, es decir, definen el rea de funcionamiento seguro del transistor. En la figura 2.21 adems de la curva para un funcionamiento continuo del transistor, se encuentran otras curvas similares, con un rea mayor. Estas curvas indican el funcionamiento seguro del transistor cuando trabaja en conmutacin en los tiempos establecidos por la grfica. Zona 1: (IC (mx) continuous). Representa el mximo valor de corriente que puede circular por el colector para una tensin colector emisor dada. El funcionamiento del transistor con corrientes mayores puede dar lugar a la ruptura del mismo. Zona 2: (DC operation dissipation limites). Este tramo indica la mxima disipacin de potencia del dispositivo. Es la zona en la cul el producto de IC y VCE proporciona la disipacin mxima del dispositivo. Si esta curva es sobrepasada se producen sobrecalentamientos y la destruccin del transistor. Zona 3: (IS/B limited). Es el lmite permitido para evitar la destruccin del dispositivo por el fenmeno de ruptura o avalancha secundaria. Zona 4: (VCEO(mx)). El ltimo tramo es el lmite debido a la tensin de ruptura primaria del transistor e indica la mxima tensin que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo.

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-Sobreintensidades Las sobreintensidades estn asociadas al periodo de saturacin del transistor. Cuando aumenta la corriente IC si la tensin VCE es elevada, la disipacin de potencia se incrementa y se puede llegar a alcanzar la mxima temperatura de la unin. Conforme la corriente IC aumenta, la potencia disipada aumenta y por tanto tambin la temperatura; la resistencia interna del transistor RCE disminuye (resistencia con coeficiente negativo de temperatura), por lo que circular ms corriente por el dispositivo se disipar ms potencia que provocar un nuevo aumento del calor y as sucesivamente. Esta realimentacin positiva puede causar la destruccin del dispositivo. (Efecto segunda ruptura). Los fusibles normalmente no se utilizan para proteger el BJT, ya que, la accin del transistor es mucho ms rpida que la del fusible. -Sobretensiones Las sobretensiones estn asociadas al estado de corte del transistor bipolar. En este estado se debe prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la tensin mxima permitida). Las cargas minoritarias aceleradas por el campo de la unin, producido por la polarizacin inversa, colisionan rompiendo las uniones y produciendo ms cargas, las cuales tambin son aceleradas, producindose una realimentacin y la conduccin final del dispositivo. Transitorios Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados de la misma forma para los transistores como para cualquier otro tipo de dispositivo semiconductor.

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Las inductancias serie limitan el tiempo de variacin de la corriente y los condensadores paralelo limitan el tiempo de variacin de la tensin. Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina LS y se usan para limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dic/dt en el paso a conduccin. Si la corriente IC crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede darse el fenmeno de ruptura secundaria. El valor de la inductancia LS puede ser calculado a partir de la relacin

La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc. Para cargas inductivas, durante el paso a corte la tensin VCE no debe incrementarse muy rpidamente a medida que la corriente de colector decae, ya que, tambin podra darse el fenmeno de ruptura secundaria. Una red snubber en paralelo, formada por un condensador soluciona este inconveniente.

Sabiendo que al final del paso a corte VCE = Vcc y que i IL se puede calcular el valor del capacitor

Se busca minimizar las prdidas de potencia en los interruptores electrnicos, las cuales pueden ser de varios y diversos tipos: Prdidas en conduccin Prdidas en conmutacin.

La solucin: Acelerar las transiciones. Los circuitos de proteccin se disean para alterar la forma de onda de conmutacin, de forma que se reduzcan las prdidas de potencia y se proteja el interruptor. -Circuitos de excitacin de transistores bipolares. Caracteristicas del BJT: Es un dispositivo controlado por corriente. El tiempo de puesta en conduccin depende de la rapidez con la que se inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.

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Las velocidades de conmutacin de entrada se pueden reducir aplicando inicialmente un pico elevado de corriente de base y disminuyendo la corriente hasta la necesaria para mantener el transistor en conmutacin. De igual manera se necesita un pico de corriente negativa en el apagado. Esquema

Formulacin Cuando la seal pasa a nivel alto R2 estar cortocircuitada inicialmente. La corriente de base inicial ser I B1. Cuando C se cargue, la corriente de base ser IB2. Se necesitar de 3 a 5 veces la constante de tiempo de carga del capacitor para considerarlo totalmente cargado. La seal de entrada pasa a nivel bajo en el corte y el condensador cargado proporciona el pico de corriente negativa.

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Forma de onda de la IB

Para su mejor entendimiento analizaremos un ejemplo prctico: Disear un circuito de excitacin de un BJT (TIP31C). Que tenga un pico de 1A de corriente de base y de 0.2A en conduccin. La tensin de excitacin es de 0 a 5V, cuadrada, con un ciclo de trabajo del 50% y una frecuencia de conmutacin de 25Khz.

Simulacion:

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Potencias perdidas en ambos casos

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Circuitos Bootstrap Cuando se requiere que el circuito de excitacin sea flotante con respecto a la masa del circuito. Se llaman de lado alto. Uno de ellos podra ser el bootstrap.VCC

M1 Vi T1

RL

M2

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Circuitos de Aislamiento de la excitacin Muchas veces resulta necesario aislar las excitaciones de dos interruptores para evitar cortocircuitos o perturbaciones. Aislamiento ptico: Optoacopladores. Aislamiento magntico: Transformadores. Forma de onda de salida del acoplador inductivo.

Optoacopladores

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Con el objeto de profundizar en el funcionamiento de las protecciones del transistor, se realiza a continuacin un estudio de la funcin de las redes snubber, as como del diseo de las mismas. Se estudiaran dos casos particulares: Red snubber para el transitorio, turn on. Red snubber para el transitorio, turn off.

Caracterstica de transferencia para carga inductiva con y sin red snubber. Sin red snubber se sobrepasa la curva SOA en la conmutacin de conduccin a corte provocndose la destruccin del dispositivo por el efecto de segunda ruptura.

Red snubber para el transitorio Turn on (encendido) El objetivo de esta red es hacer que la tensin VCE disminuya mientras aumenta IC Para ello se coloca una inductancia LS en serie con el diodo Df para reducir la tensin. Este tipo de red snubber no es muy usado, los semiconductores son muy rpidos para entrar en conduccin y por esta razn no es crtico el uso de circuitos de proteccin de encendido. La reduccin de la tensin viene dada por la expresin

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Durante el estado de conduccin del transistor, la corriente Io circula por la inductancia LS. Cuando el transistor pasa a corte, la energa almacenada en la inductancia (1/2 LS Io 2) se disipa en la resistencia RLS a travs del diodo DLS con una constante de tiempo igual a LS/RLS. Para determinar el valor de RLS se debe tener en cuenta, por un lado que esta resistencia deber ser lo suficientemente elevada para que durante toff la intensidad iLS disminuya al menos hasta el 10% de la intensidad Io

Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado) Mediante este circuito se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, la corriente I C disminuya, para evitar que el producto sea elevado, limitando de este modo la disipacin de potencia del transistor. Para ello, se coloca un condensador en paralelo con el transistor. Este condensador debe absorber ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer. Esta red: Suaviza las formas de onda de tensin en el apagado del transistor. Parte de las prdidas de conmutacin se trasladan a otros componentes.

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Snubber para Turn On

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Formas de onda de la corriente y la tensin durante el turn-off. El rea sombreada representa la carga almacenada en la capacidad snubber durante el turn - off, carga que tendr que ser disipada por el transistor. El valor Cs1 se corresponde con el valor Cs calculado. Cuando el transistor pasa a conduccin, ste se comporta como un cortocircuito. CS se descarga a travs del transistor, provocando una sobreintensidad que viene limitada por RS. Durante el paso de conduccin a corte (on off) el condensador se carga a travs del diodo, DS y durante el paso de corte a conduccin (off on) se descarga a travs de RS. Se elige una resistencia tal que el condensador se descargue antes de que el transistor vuelva a apagarse. Es necesario un intervalo de tiempo igual a entre tres y cinco constantes de tiempo (para limitar la

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descarga instantnea del condensador sobre el transistor). Suponiendo que la descarga completa sean cinco constantes de tiempo.

El condensador se descarga a travs de la resistencia y el transistor cuando ste entra en conduccin. La energa almacenada, se transfiere mayoritariamente a la resistencia, luego la potencia absorbida por la resistencia es la energa dividida entre el tiempo, siendo ste el periodo de conmutacin.

-Circuitos de proteccin de transistores bipolares. Protegen al transistor reduciendo sus prdidas de potencia en la conmutacin. No reducen las prdidas totales de conmutacin. Protegen al dispositivo del estrs al que se ve sometido durante la conmutacin debido a las altas tensiones y corrientes.

P

P

IL

v

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Circuito de proteccin de transistor

v

iIL DL

P

Ds

C

P v

v i

i

P

Formulacin

Si la corriente del interruptor llega a cero antes de que el capacitor se cargue por completo la tensin del condensador se calcula a partir de la primera ecuacin, saliendo:

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El capacitor se elige a veces de forma que la tensin del interruptor alcance su valor final al mismo tiempo que la corriente vale cero.

Para calcular el valor de la resistencia, sta se elige de forma que el capacitor se descargue antes de que el transistor vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo para que se descargue el capacitor.

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Las prdidas en el transistor varan con el circuito que se aade. La primera frmula se refiere a las prdidas en el transistor sin circuito de proteccin.

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Conclusiones Una vez hecha la investigacin anteriormente expuesta, pude recabar datos bastante interesantes acerca del uso que le podemos dar a un transistor BJT ya sea PNP o NPN para aplicaciones de la matera de Electrnica Digital, ya sea como un interruptor de una simple bombilla, o como aplicaciones en lgica computacional. Tambin conoc a detalle sus condiciones para llevarlo a corte o saturacin, y como nos es til esta transicin, a diferencia de la contraparte de esta materia, Electrnica Lineal, en donde buscamos mantener al transistor en el rea precisamente lineal, para que funcione como un amplificador con ayuda del voltaje que se le es inyectado. De igual manera obtuve conocimientos de cules son los circuitos empleados para su excitacin, y su proteccin, para que no destruyamos el dispositivo, pude observar que son variados y con diversas tcnicas. Espero este trabajo de investigacin sea de utilidad para futuros compaeros incipientes ingenieros en comunicaciones y electrnica.

Bibliografa y Referencias: Boylestad, Robert L. Electrnica Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos Pearson Educacin Gualda, j. A.; Martnez, p. M. Electrnica Industrial, Tcnicas de Potencia. Marcombo Velasco, J. Sistemas Electrotcnicos de Potencia: Electrnica de regulacin y control de potencia. Paraninfo http://www.unicrom.com/Tut_caracteristicas_transistor_bipolar.asp http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/ECA/Tema%204%20BJT_07_08.pdf http://tamarisco.datsi.fi.upm.es/ASIGNATURAS/FFI/apuntes/Tema_5_2_Trans_Bip.pdf http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistores/default6.asp http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDAD1/1.2.1. pdf http://www.mitecnologico.com/Main/PolarizacionTransistorBipolarBjt http://www.ulpgc.es/descargadirecta.php?codigo_archivo=8702

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