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12016.7.12 OEG様セミナー資料
2016年7月12日
筑波大学 数理物質系 物理工学域
教授 岩室 憲幸
SiC・GaNパワー半導体の最新技術・課題ならびにデバイス評価技術の重要性
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22016.7.12 OEG様セミナー資料
内 容
1.パワーデバイスの基礎
1) パワーデバイスの仕事
2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2.SiCパワーデバイスの最新技術と課題
1)なぜSiCが注目されているのか
2)高温動作ができると何がいいのか
3)SiC-MOSFETの課題
4)SiC トレンチMOSFET技術
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32016.7.12 OEG様セミナー資料
内 容
3.GaNパワーデバイスの最新技術と課題
1)なぜGaNパワーデバイスなのか
2)SiCとGaNデバイスの構造の違い
3)GaN-HEMTの特徴と課題
4.パワーデバイス評価技術の重要性
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第1章
パワーデバイスの基礎
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(Ref.サンケン電気㈱HP)
パワエレ&パワーデバイスの仕事
交流や直流を各機器に使いやすいように変換する⇒パワーエレクトロニクスは最適な形に電力変換する技術⇒パワーデバイスはそのために使う半導体デバイス
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62016.7.12 OEG様セミナー資料
10 100 1000 100001
10
100
1000
10000
ハイブリッド自動車
PDP
太陽光発電、家電、ロボット
電圧(V)
電流
(A)
産業
IGBT
パワーMOSFET
電力
鉄道
風力
情報機器電源、自動車電装品
(出典:2008年電気学会公開シンポジウム資料)
パワーデバイスの適用分野(現状)
Si-MOSFET,IGBTが主役この領域はサイリスタ
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72016.7.12 OEG様セミナー資料
モータバッテリ インバータ
インバータ
チョッパ
エンジン
発電機
動力分割
機構
直流
交流
直流⇒交流
トヨタプリウス内のパワエレ装置
パワー半導体(IGBTモジュール)
PCU
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プリウス PCU内部写真
(Ref:http://micom.hamazo.tv/)
意外と「空間」が多くを占めている
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92016.7.12 OEG様セミナー資料
外部端子
アルミワイヤ
樹脂ケース
Cuベース
グリース(コンパウンド)
冷却体
はんだ チップ
DCB基板
IGBTモジュール
封止ゲル
半導体チップが正常に動作できるようにチップ接合温度 “ Tj ” を下げる設計
パワー半導体(IGBTモジュール)の縦構造
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102016.7.12 OEG様セミナー資料
高温動作ができるとなにがいいのか?ハイブリッドカー(Lexus LS600h)
HVインバータシステム
省スペース化⇒小型化
㈱デンソー様資料より
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112016.7.12 OEG様セミナー資料
パワーMOSFET, IGBTは、パワーデバイスの主役として、
長期間活躍している。なぜか?
市場からの要求
・コストパフォーマンス
・機能、性能
・使いやすさ(駆動回路が簡単、壊れにくい)
これにマッチしたから長寿命製品として君臨している
Si-MOSFET,IGBTの伸長
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122016.7.12 OEG様セミナー資料
必要とされる特性
低オン抵抗
高速スイッチ 高破壊耐量
トレードオフ関係
ポイント:上記3特性を同時に向上・ ・
パワーデバイスに要求される特性
低損失特性と高破壊耐量特性の両立
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132016.7.12 OEG様セミナー資料
第2章
SiCパワーデバイスの最新技術と課題
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Ge・初めての半導体デバイス
・μe=3900 cm2/Vs
・μh=1900 cm2/Vs
・Eg = 0.66eV 最高動作温度 40℃
・Eg = 1.12eV 最高動作温度 150℃
・ほとんどの分野で活躍
・高速動作
・高温動作
GaAs・Eg = 1.42eV 最高動作温度 350℃
・発光動作 (LD, LED など)
・高速動作 (HEMT, MESFET など)
・特殊プロセス
・バイポーラデバイスは困難
・良質な酸化膜形成困難(MOSFET, 保護膜)
SiC
Si
GaN
半導体デバイス材料の変遷
ダイアモンド
ワイドバンドギャップ半導体
酸化ガリウム
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各材料の主要物理定数比較・ワイドバンドギャップ半導体材料は最大電界強度Emaxが高い・酸化ガリウムは最大電界強度が高い
酸化ガリウムGa2O3
4.8-4.9
300(推定)
8.0
27
10
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SiCのSiに対する利点(SBDの場合)
→Wmは1/10→Rは1/300倍
•VB=EcWm/2
•ND=εEc2/2qVB
•R=Wm/qμND
①n-層を薄くできる②n-層濃度を高くできる⇒低オン抵抗化
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172016.7.12 OEG様セミナー資料
SiCならびにGaNデバイス構造
GaN基板はSiCの10倍以上の価格⇒GaN on Siが主流に
SiC 基板
SiC EPI
Si 基板
Buffer
SiC デバイス GaN デバイス
GaN EPI
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GaN EPI
Si基板上へのMOCVDによるエピ膜成長
Si(111)
Buffer
GaN デバイス
AlNAlGaN
GaNAlN
GaNAlN
GaN
AlNGaN
AlNGaN
超格子バッファ層
応力緩和
圧縮歪
圧縮歪
GaN/AlN多層膜による応力緩和⇒抵抗が高い膜
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192016.7.12 OEG様セミナー資料
GaN EPI
横型素子素子表面のみに電流が集中して流れる→大電流用途向きではない
縦型素子素子全体に均一に電流が流れる→大電流用途向き
SiC GaN
SiCエピ層
電極
電極
Si基板(111)
Buffer
電極 電極電流の流れ
電流の流れ
SiCならびにGaNデバイス構造
SiC 基板
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202016.7.12 OEG様セミナー資料
SiC・GaNデバイスの対象領域
10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 100001
2
10
5
20
50
100
200
500
1000
2000
オンボード電源
ノートPCイオン電池
自動車電装機器
SW電源ACアダプタ
家電
ハイブリッド自動車電気自動車
産業機器
電車
電力基幹系統機器
HDD
通信機器電源
低耐圧デバイス 中耐圧デバイス 高耐圧デバイス
SiCが期待される領域
GaNが期待される領域
定格電圧(V)
定格
電流
(A
)
新エネ・分散電源
汎用インバータ
サーバー(FEP)
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212016.7.12 OEG様セミナー資料
何故SiCパワーデバイスなのか?
1.‘優秀’な保護膜SiO2がある
2.Siパワーデバイス特性限界説
3.新適用市場からの要求(Siでは物理的に困難な市場)
①高温動作
②耐厳環境動作
③小型軽量化
④高性能高効率化
4.ポストSiへの期待
①新材料への期待
②これまでの開発実績
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222016.7.12 OEG様セミナー資料
バルクウェハ切断研磨
ダイヤモンド砥粒、放電加工
エピタキシャルウェハ
エピタキシャル薄膜成長(1600〜1800˚C)
SiC粉末インゴット
昇華法(〜2200˚C)
SiC 単結晶
基板
SiC エピ エピ成膜1)精密膜厚制御2)低欠陥密度3)均一性4)広範囲の濃度制御
SiCウェハができるまで
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232016.7.12 OEG様セミナー資料
SiC結晶・ウェハができるまで
バルクウェハ切断研磨
ダイヤモンド砥粒、放電加工
エピタキシャルウェハエピタキシャル薄膜成長
(1600〜1800˚C)
SiC粉末インゴット
昇華法(〜2200˚C)
直径10cm、厚さ数cm
直径30cm、厚さ~1m
SiC
Si
1枚:~10万円
1枚:数千円
Siに比べコスト高
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242016.7.12 OEG様セミナー資料
SiCデバイス 6インチ生産ラインを構築(富士電機株式会社 2013年10月)
(長野県松本市)
Φ6 SiCパワーデバイスの生産
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252016.7.12 OEG様セミナー資料
SiCパワー半導体の製品発表1200V All SiC-MOSFETモジュール搭載太陽光PCS(富士電機㈱ 2014年5月発表)
変換効率の向上と装置小型化・効率98.8%・体積▲20%
ただし、SiC-MOSFET 製品化加速にはもう少し時間がかかりそう
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262016.7.12 OEG様セミナー資料
SiCパワー半導体の製品応用例
ホンダ新型FCVにSiCが搭載(2016年3月)
(出典:EE Tiems Japan)
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272016.7.12 OEG様セミナー資料
SiC-MOSFETの課題
1.信頼性が不十分。電気的な負荷をかけると、特性が変動しやすい
2.オン抵抗はSi-IGBTに比べ小さくて良好。しかしまだ材料特性を十分出し切るほど小さくない(不十分)
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282016.7.12 OEG様セミナー資料
ゲート電圧印加後のしきい値変動
(M.Furuhashi et al, ISPSD2013, pp.55)
Vg=+20V、125℃、1000時間経過後のVth変動結果
SiC-MOSFETはゲート印加後のしきい値変動に課題あり
Siデバイスではほぼ0V(変動なし)
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292016.7.12 OEG様セミナー資料
ゲート酸化膜の形成方法
酸化膜成膜
熱酸化
SiO2堆積膜
特徴:膜が緻密、カーボンクラスターがSiO2中に入る(SiC + O2 → SiO2 + C)
特徴:カーボンクラスターの発生がない、膜密度が小さい
ドライ酸化
ウエット酸化(Si-MOSFETで使われている)
LTO, HTO
PECVD
POA(Post Oxidation Anneal):H2、NH3などSiC/SiO2界面欠陥をH終端したり、窒化することで移動度が向上する
O2酸化
酸窒化
Si-MOSFETで使われている熱酸化法を基に、SiC-MOSFETへの最適化が検討されている
![Page 30: SiCヷGaNパワヸ半導ㆳの最新技術ヷ課題 ならびにデバイス評価 … · 2 2016.7.12 oeg様セミナヸ資料 内 容 1.パワヸデバイスの基礎 1) パワヸデバイスのㆁㅙ](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022040421/5e0a5f95ab372420ba7e6f53/html5/thumbnails/30.jpg)
302016.7.12 OEG様セミナー資料
E C
E i
E FM
E V
半導体表面
アクセプタイオン
による空間電荷
E FS
x d
qV G
qV s
qV f
電子
--- n-エピ
p+
ソース電極
ゲートpoly-Si -----
SiO2 SiCゲート電極界面準位に捉えられた
負電荷
界面準位のMOSFET特性への影響
(a)エネルギーバンド図 (b)MOSFET断面図
界面準位が電子を捕獲する⇒電子が散乱⇒①移動度の低下②Vthの増大
p
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312016.7.12 OEG様セミナー資料
1
10
100
1000
100 1000 10000
素子耐圧(V)
オン
抵抗
Ron
A(mΩ
cm2 )
各種パワーデバイスの耐圧とRonA
SiC-MOSFETのRonAと実測値と理論線との「かい離」大⇒低RonA化への余地大きい⇒①μmosの向上と②トレンチMOSFET開発
(@RT)
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322016.7.12 OEG様セミナー資料
トレンチMOSFETの利点
利点
・高チャネル密度(総チャネル幅大)
・Jfet抵抗成分がない
⇒低オン抵抗化に有利
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n+
n-
p
n+
Source
Drain
SiC-MOSFET Si-MOSFET
①トレンチゲート底部にP+層をイオン注入で形成②深いp-base層形成
①② ②
SiCとSiのトレンチMOSFET構造の違い
SiCの場合、ゲート酸化膜の電界強度緩和には特別の考慮が必要
T.Kojima et al.(FUPET, SSDM2015)
Gate
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第3章
GaNパワーデバイスの現状と課題
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1.Siパワーデバイス特性限界説
2.SiC 結晶品質改善限界説
3.新適用市場からの要求(Siでは物理的に困難な市場)
①高温動作
②耐厳環境動作
③小型軽量化
④高性能高効率化
4.未開拓材料への期待
①新材料への期待
②これまでの開発実績(青色発光での)
何故GaNパワーデバイスなのか?
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GaN-HEMTデバイスの特徴
ここを高速で電子が流れる
HEMT:高電子移動度トランジスタHigh Electron Mobility Transistorの略
この特長を活かしてスイッチを作る⇒パワーデバイス
+++++++ +++++++------- -------
Si基板(111)
ここに電子がたまる
バンド図
・AlGaNとGaNで良好なヘテロ接合:高い移動度・ピエゾ効果で多量の電子が発生
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372016.7.12 OEG様セミナー資料
GaNデバイス搭載太陽光PCS発売(安川電機)
2014.12.11発表
主な特長(1)世界最小のコンパクトサイズ取付面積は従来モデルの約1/2を実現
(2)発電量の最大化最大変換効率98%
(3)高い静粛性可聴領域を超える高周波スイッチング
販売計画(1)販売開始 : 2015年1月(2)販売計画 : 34,000台/年
㈱安川電機HPより
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382016.7.12 OEG様セミナー資料
Transphorm社の発表(IEDM2014)
(2014.12.15発表)デバイス構造
GaN on Si HEMT+Si-MOS Cascode Wafer
Φ6GaN on Si HEMT(CMOS Compatible process)
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392016.7.12 OEG様セミナー資料
GaN on Siパワーデバイスの主な課題
1. 大口径Siウェハ (>Φ6)活用によるコストダウン
2. 電気特性
1) Normally-off2) Current collapse
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402016.7.12 OEG様セミナー資料
GaN on Si HEMT on Φ6 Si sub.
(Ref: Nikkei Tech-on HP, 2013.3.19)
Panasonic will start to deliver 600V GaN on Si HEMT samples in April, 2013
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412016.7.12 OEG様セミナー資料
ノーマリ-オフ特性
VG
VD:一定
ID
VT
VT
nチャネル
pチャネル
エンハンスメント形 デプレション形
デプレション形 エンハンスメント形
不純物の注入によってチャネルを最初から形成しておくこともできる.この場合,ゲート電圧が0でもドレイン電圧が流れる.
エンハンスメント形ゲート電圧の印加によりドレイン
電流が流れ始める(normally-off)
デプレッション形ゲート電圧が0Vでもドレイン電流が流れる(normally-on)
パワーデバイスではノーマリ-オフ型が主流
(normally-off)(normally-on)
Id
Vg0
Vg-Id特性
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・Si基板上GaN GIT構造によるノーマリーオフ化(パナソニックテクニカルジャーナル2012年4月)
1)Vg=0Vでゲート下の電子を枯渇⇒ノーマリ-オフ2)Vg>0Vで、正孔が注入し伝導度変調⇒低オン抵抗
600V素子でRonA=2.6mΩcm2(Vg=4V), Vth=1.0V(高耐圧かつ低オン抵抗でノーマリ-オフ化を達成)
GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
Si基板
i-GaN
i-AlGaNp-AlGaN
-------- --------
ソース ドレイン
ゲート
2DEG
ここを高速で電子が流れる
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第4章
パワーデバイス評価技術の重要性
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SiC-MOSFET設計
①② ②
~5µm
SiC-MOSFET
酸化膜界面解析(~5nm)
図はSiの例
1.寸法
パワーデバイス評価は「ダイナミックレンジが広い」
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2.電圧・電流
3.温度
0 50 100 150 200 250 300 350 400-500
0
500
1000
1500
2000
SiC Drain Voltage SiC Drain Current SiC Lattice Temperature
Time [µs]
Dra
in V
olta
ge [V
], T
empe
ratu
re [K
]
-50
0
50
100
150
200
Dra
in curent [A]
図.SiC-MOSFET破壊時の
電流・電圧、素子内温度
計算結果
例2)素子内温度が1600K以上に
なると予想される
(出典:生井、他、電気学会全国大会 2016年3月)
パワーデバイス評価は「ダイナミックレンジが広い」
例1)素子耐圧 3300V、ゲートしきい値 3V
しきい値変動<±0.1V
もれ電流 100nA、定格電流 1000A
例1)Tj=-40℃~200℃
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まとめ1. パワーデバイスの現状
電流導通時、スイッチング時の損失を低減することがパワエレ装置の省エネ実現のキーポイント
2. SiCパワーデバイス開発状況と今後を概説1)MOSFETは本格量産にもう一歩2)しきい値の変動、ボディーダイオードVf劣化に課題3)低オン抵抗化へのアプローチ進む
i)トレンチMOSFETの開発が加速
3. GaNパワーデバイス開発状況と今後を概説
1)GaN-HEMTもパワエレ製品に搭載されてきた
2)1チップでの Normally-off化実現がポイント
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4. パワーデバイス評価はダイナミックレンジが広い
➟広いダイナミックレンジに対応できる正確な評価技術が今後ますます重要となってくる
まとめ
![Page 48: SiCヷGaNパワヸ半導ㆳの最新技術ヷ課題 ならびにデバイス評価 … · 2 2016.7.12 oeg様セミナヸ資料 内 容 1.パワヸデバイスの基礎 1) パワヸデバイスのㆁㅙ](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022040421/5e0a5f95ab372420ba7e6f53/html5/thumbnails/48.jpg)
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ご清聴ありがとうございました。