polarizzazioni del bjt
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~. POLARIZZAZIONI DEL BJT. Polarizzazione in «corrente». Polarizzazione in «tensione». I C. R C. R B. I B. V CC. V CC. I C. R C. V BE ~ 0.7V. R 1. I B. R B. ~. v u. v g. V BE ~ 0.7V. I B =(V CC -0.7V)/R B. R 2. R E. Polarizzazione della base. V CC. I C. R C. R 1. I B. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
POLARIZZAZIONI DEL BJT
Polarizzazione in «corrente»
IC
R1
vu
RC
IB
~ vgVBE ~ 0.7V
RE
VCC
R2
VCC
ICRB
VBE ~ 0.7V
RCIB
~
RB
IB =(VCC-0.7V)/RB
Polarizzazione in «tensione»
21
2
RR
RVVV CCBBeq
21
21
RR
RRReq
Polarizzazione della base
21
2121
21
2
//RR
RRRRR
VRR
RV
B
CCBB
B
E
C
IC
R1
vu
RC
IB
RE
VCC
R2
VBB
RE
IB
RB
IE
IC
ECBBEBBBB RIIVRIV )(
E
BEBBC
BBBBF
R
VVI
VRI
e 1 se
Polarizzazione del CEE che massimizza la dinamica di uscita per segnali bipolari
B
E
C
IC
R1
RC
IB
VBE ~ 0.7V
RE
VCC
R2
2;
2.0 CMAXCQ
EC
CCCMAX
II
RR
VVI
Infatti:
CCQCC
CEC
CCCC
EC
CECCC
EEC
CCCC
CMINCMAXCQ
ECMAXCMINCCCMAX
RIV
RRR
VV
RR
VRRRV
RRR
VVVV
VVV
RIVVVV
)(2)(2
2.0)2(
2.02.0
2
1
2
2.0;
Per ottenere questo valore si è trascuratoil termine 0.2V
Amplificatore a transistor in configurazione Emettitore Comune con resistenza di emettitore
(CEE)
B
E
C
IC
R1
vu
RC
IB
~ vg VBE ~ 0.7V
RE
VCC
R2
Circuito equivalente del CEE per piccoli segnali a bassa frequenza
r gm v
ib
vi~RC
b
e
c
RE
iu
Amplificazione, Impedenza di ingresso e impedenza di uscita per configurazione CEE
Cu
Eg
CV
Ei
I
RR
RrR
RA
RrR
A
1
)1(
BJT in configurazione CC(Emitter Follower)
B
E
C
ICR1
vu
IB
~ vi VBE ~ 0.7V
RE
VCC
R2
Polarizzazione configurazione CC
Circuito equivalente per piccoli segnali a bassa frequenza BJT conf. CC
rgm v
ib
vi~
b
e
c
RE
vu
Disponendo diversamente i componenti ma senza modificare la topologia:
b e
c
gm vRE
ib
vg ~
Rgr
)1(
)1(
)1()()(
b
bm
b
uI
EEb
bi
EbbEbmbbEmbbb
i
ig
i
iA
RRri
R
RiriRirgiriRgiri
v
v
vv
vb
iu
Caratteristiche dell’Emitter-Follewer (continua)
10)1()1()1(
)1(
)0(;)1(
)0(
;)0()1(
)0()1(
1)1(
1])1([
)1(
r
Rr
Rrr
Rr
RR
rRi
RrRi
Ri
RiR
iR
R
r
iRr
Ri
i
gA
E
E
bE
bEu
bEb
E
bEb
Eb
EbE
cc
cau
EbE
Eb
b
m
b
uV
vv
vv
v
vvv
:cui da
Configurazione CBNella configurazione a base comune (CB) la Base del transistor è in comune tra ingresso e uscita dell’amplificatore
-VEE
VCC
RE
RC
vi vu
++
- -B
E
Cvu
b
e c
RC
ii
vg
~
Rg
r
vi
iu
-RE
+
v
gmv
Amplificatore con BJT in configurazione:Base Comune
Circuito equivalente per piccoli segnali
Impedenza d’Ingresso
r
rg
r
iRgir
iiR
miimi
ii
ii
1)(
;
vvv
vv
Amplificazione di corrente
;11
)1(
rgv
rvg
i
vg
i
iA
mm
i
m
i
oi
Amplificazione di tensione
;
r
RRg
RgA C
CmCm
i
uV
v v
vv
Impedenza d’uscita
;Cm
Cm
cc
cau R
vg
Rvg
i
vR
BE
CR1
vu
RC
Ip
vg
RE
VCC
R2~R’E
R’2
R’1
CEE CC
Amplificatori in «Cascata»
BE
CR1
vu
RC
Ip
vg
RE
VCC
R2~R’E
R’2
R’1
CEE CC
Accoppiamento in AC
Amplificatori in «Cascata»
BE
CR1
vu
RC
Ip
vg
RE
VCC
R2~R’E
CEE CC
Accoppiamento in «continua»
IC
IB’
'BC II
Esempio
BE
C
RC=3.2k Ω
Ip
vg
RE=0.68Ω
VCC =10 V
R2
~R’E=0.5k Ω
IC=1.4mA
VE=0.95V
Rg=50 Ω
R2=8.2k Ω
R1=45k Ω
RL=10 Ω
kHz
CRLo
8.4103.310
1
28.6
1
1
2
1
6
C=3.3F
VC=5.6V
VE’=5.0V
VB=1.55V
Frequenza di taglio per la misura dell’impedenza di uscita
IE’=10mA
VCE’=5.0V
Esempio – Transistor a Collettore Comune
IB=200A
160A
120A
80A
40A
108642
10
20
30
40
00
Retta di carico (statica):
Punto di Lavoro
CECECC VIRV '
Retta di carico (dinamica):
)(1
)(||
1'
CQCEL
CQCELE
CQC
VR
VRR
Ii
v
v
CQCQ IV ,
Cor
rent
e di
Col
lett
ore
,IC (
mA
)
VCEQ
ICQ
Tensione Emettitore-Collettore ,VCE (V)VRI
Vi
RIVi
LCQ
ceMAXCEQCCE
LCQCEQCCE
1.0
)0(
)0(
vv
v
Esempio
IB=200A
160A
120A
80A
40A
10842
10
20
30
40
00
Cor
rent
e di
Col
lett
ore
,IC (
mA
)
VCEQ
ICQ
6VCE (V)