njg1161pcd85 dbc typ. @ f = 704 ~ 915 mhz, 対1575 mhz 75 dbc typ. @ f = 1710 ~ 1980 mhz, 対1575...

NJG1161PCD

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1.5 GHz帯GPS, GLONASSフロントエンドモジュール ■ 特長 ● 動作電圧 1.5 ~ 3.3 V ● 低消費電流 3.6/4.6 mA typ. @ VDD = 1.8/2.8 V ● 高利得 17.0/18.5 dB typ. @ VDD = 1.8/2.8 V ● 低雑音指数 1.65/1.6 dB typ. @ VDD = 1.8/2.8 V, f = 1575 MHz 1.75/1.7 dB typ. @ VDD = 1.8/2.8 V, f = 1597 ~ 1606 MHz ● 高帯域外減衰 85 dBc typ. @ f = 704 ~ 915 MHz, 対 1575 MHz 75 dBc typ. @ f = 1710 ~ 1980 MHz, 対 1575 MHz 72 dBc typ. @ f = 2400 ~ 2500 MHz, 対 1575 MHz ● LNA 及び前後段のフィルタ内蔵 ● 小型パッケージサイズ 2.5 mm x 2.5 mm (typ.), t = 0.63 mm (max.) ● RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1

■ アプリケーション ● GPS 及び GLONASS 受信用途 ● アクティブアンテナ、ドライブレコーダ、ナビゲーション ● GNSS モジュール

■ ブロック図 (HFFP10-CD)

(Top view)

■ 概要 NJG1161PCD は GPS 及び GLONASS での使用を主目的

としたフロントエンドモジュールです。本製品は内蔵する高性

能 LNA 及びフィルタによる低雑音指数、高線形性及び高帯域

外減衰特性を特長とします。スタンバイ機能により通信機器

の低消費電流化に貢献します。本製品は-40 ~ +105°C の広い温度範囲で動作可能です。外

部回路をわずか 2 素子で構成し、小型・薄型の HFFP10-CDパッケージを採用することで実装面積の低減に貢献します。

■ 真理値表

■ 端子配置

VCTL モード H アクティブモード L スタンバイモード

番号端子名機能 1 GND 接地端子 2 VCTL 切替信号供給端子 3 VDD 電源電圧供給端子 4 NC(GND) 未接続端子

5 PreIN RF 信号入力端子 (前段フィルタ入力)

6 GND 接地端子

7 PreOUT RF 信号出力端子 (前段フィルタ出力)

8 LNAIN RF 信号入力端子 (LNA 入力)

9 NC(GND) 未接続端子

10 PostOUT RF 信号出力端 (後段フィルタ出力)

“H” = VCTL(H), “L” = VCTL(L)

NJG1161PCD


■ 製品名情報 NJG1161 PCD (TE1)

| | ┖---┒ 品名パッケージテーピング仕様

■ オーダーインフォメーション

製品名パッケージ RoHS HALOGEN- FREE メッキ組成マーキング製品重量

(mg) 最低発注数量

(pcs.)

NJG1161PCD HFFP10-CD Yes Yes Au 61B 18 3,000

■ 絶対最大定格

Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 項目記号定格単位

電源電圧 VDD 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V

入力電力 PIN (inband) (1) +15 dBm

PIN (outband) (2) +27 dBm 消費電力 PD (3) 580 mW 動作温度 Topr -40 ~ +105 °C 保存温度 Tstg -40 ~ +110 °C

(1): VDD = 2.8 V, f = 1575, 1597 ~ 1606 MHz (2): VDD = 2.8 V, f = 50 ~ 1460, 1710 ~ 4000 MHz (3): 4 層 (101.5 x 114.5 mm、スルーホール無)、FR4 基板実装時、Tj = 110°C ■ディレーティングカーブ

下記の消費電力－周囲温度特性例を御参考ください。

（面実装パッケージは消費電力（PD）の最大定格が少ない為、熱設計に注意して御利用ください。）

消費電力－周囲温度特性例基板実装時

-40 -25 0 25 50 75 100 105

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

消費電力

周囲温度 Ta[℃]

PD

[mW]

NJG1161PCD


■ 電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: Ta = 25°C, 指定の外部回路による

項目記号条件最小標準最大単位電源電圧 VDD 1.5 - 3.3 V 切替電圧 (High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V 切替電圧 (Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V

動作電流 1 IDD1 RF OFF, VDD = 2.8 V, VCTL = 1.8 V

- 4.6 6.4 mA

動作電流 2 IDD2 RF OFF, VDD = 1.8 V, VCTL = 1.8 V

- 3.6 5.9 mA

動作電流 3 IDD3 RF OFF, VDD = 2.8 V, VCTL = 0 V

- 0.1 5.0 μA

動作電流4 IDD4 RF OFF, VDD = 1.8 V, VCTL = 0 V

- 0.1 5.0 μA

切替電流 ICTL VCTL = 1.8 V - 5.0 15.0 μA

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■ 電気的特性 2 (RF 特性) 共通条件: VDD = 2.8 V, VCTL = 1.8 V, fRF = 1575 MHz, 1597 ~ 1606 MHz,

Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による項目記号条件最小標準最大単位

小信号利得 (GPS) 1 Gain_GPS1 f = 1575 MHz (GPS) 基板、コネクタ損失 (0.19 dB) 除く

17.0 18.5 - dB

小信号利得 (GLONASS) 1 Gain_GLN1 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) 基板、コネクタ損失 (0.19 dB) 除く

17.0 18.5 - dB

雑音指数 (GPS) 1 NF_GPS1 f = 1575 MHz (GPS) 基板、コネクタ損失 (0.09 dB) 除く

- 1.6 2.1 dB

雑音指数 (GLONASS) 1 NF_GLN1 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) 基板、コネクタ損失 (0.09 dB) 除く

- 1.7 2.2 dB

1dB 利得圧縮時入力電力 1 P-1dB(IN)1 f = 1 575, 1597 ~ 1606 MHz - -15.0 - dBm 入力 3 次インターセプトポイント 1

IIP3_1 f1 = 1575 MHz, f2 = f1 +/-1 MHz, PIN = -30 dBm

- -3.0 - dBm

アウトバンド入力 2 次インターセプトポイント 1

IIP2_OB1 f1 = 824.6 MHz at +15 dBm, f2 = 2400 MHz at +15 dBm, fmeas = 1575.4 MHz

- +72 - dBm



- +50 - dBm

700MHz 高調波 1 2fo1 妨害波条件: 787.76 MHz at +15 dBm 高調波測定周波数: 1575.52 MHz

- -30 - dBm

アウトバンド 1dB 利得圧縮時入力電力 1

P-1dB(IN) _OB1-1

fjam = 900 MHz, fmeas = 1575 MHz at PIN = -40 dBm

- +24 - dBm

P-1dB(IN) _OB1-2


- +24 - dBm

ローバンド減衰量 1 BR_L1 f = 704 ~ 915 MHz, 対 1575 MHz - 85 - dBc ハイバンド減衰量 1 BR_H1 f = 1710 ~ 1980 MHz, 対 1575 MHz - 75 - dBc WLAN バンド減衰量 1 BR_W1 f = 2400 ~ 2500 MHz, 対 1575 MHz - 72 - dBc RF IN ポートリターンロス (GPS) 1

RLi_GPS1 f = 1575 MHz (GPS) - 10 - dB

RF IN ポートリターンロス (GLONASS) 1

RLi_GLN1 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) - 10 - dB

RF OUT ポートリターンロス (GPS) 1

RLo_GPS1 f = 1575 MHz (GPS) - 11 - dB

RF OUT ポートリターンロス (GLONASS) 1

RLo_GLN1 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) - 15 - dB

群遅延時間偏差 1 GDTD1 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) - 8.0 - ns

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■ 電気的特性 3 (RF 特性) 共通条件: VDD = 1.8 V, VCTL = 1.8 V, fRF = 1575 MHz, 1597 ~ 1606 MHz,

Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による項目記号条件最小標準最大単位

小信号利得 (GPS) 2 Gain_GPS2 f = 1575 MHz (GPS) 基板、コネクタ損失 (0.19 dB) 除く

15.5 17.5 - dB

小信号利得 (GLONASS) 2 Gain_GLN2 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) 基板、コネクタ損失 (0.19 dB) 除く

15.5 17.5 - dB

雑音指数 (GPS) 2 NF_GPS2 f = 1575 MHz (GPS) 基板、コネクタ損失 (0.09 dB) 除く

- 1.65 2.20 dB

雑音指数 (GLONASS) 2 NF_GLN2 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) 基板、コネクタ損失 (0.09 dB) 除く

- 1.75 2.35 dB

1dB 利得圧縮時入力電力 2 P-1dB(IN)2 f = 1575, 1597 to 1606 MHz - -17.0 - dBm 入力 3 次インターセプトポイント 2

IIP3_2 f1 = 1575 MHz, f2 = f1 +/-1 MHz, PIN = -30 dBm

- -6.0 - dBm



- +72 - dBm



- +50 - dBm

700MHz 高調波 2 2fo2 妨害波条件: 787.76 MHz at +15 dBm 高調波測定周波数: 1575.52 MHz

- -30 - dBm

アウトバンド 1dB 利得圧縮時入力電力 2

P-1dB(IN) _OB2-1


- +24 - dBm

P-1dB(IN) _OB2-2


- +24 - dBm

ローバンド減衰量 2 BR_L2 f = 704 ~ 915 MHz, 対 1575 MHz - 85 - dBc ハイバンド減衰量 2 BR_H2 f = 1710 ~ 1980 MHz, 対 1575 MHz - 75 - dBc WLAN バンド減衰量 2 BR_W2 f = 2400 ~ 2500 MHz, 対 1575 MHz - 72 - dBc RF IN ポートリターンロス (GPS) 2

RLi_GPS2 f = 1575 MHz (GPS) - 10 - dB

RF IN ポートリターンロス (GLONASS) 2

RLi_GLN2 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) - 10 - dB

RF OUT ポートリターンロス (GPS) 2

RLo_GPS2 f = 1575 MHz (GPS) - 10 - dB

RF OUT ポートリターンロス (GLONASS) 2

RLo_GLN2 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) - 13 - dB

群遅延時間偏差 2 GDTD2 f = 1597 ~ 1606 MHz (GLONASS) - 8.0 - ns

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■ 特性例共通条件: VDD = 2.8 V, VCTL = 1.8 V, Ta = 25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

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■ 特性例共通条件: VDD = 2.8 V, VCTL = 1.8 V, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

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■ 共通条件共通条件: VCTL = 1.8 V, Ta = 25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

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■ 特性例共通条件: VCTL = 1.8 V, Ta = 25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

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■ 外部回路図

<部品リスト>

番号定数備考

L1 8.2 nH 村田製作所製 LQW15AN_00シリーズ

C1 1000 pF 村田製作所製 GRM03シリーズ

(Top View)

8.2 nH

1000 pF

RF OUT

RF IN

VDD

VCTL

L1

C1

GND

3

2

4

VCTL

5

1

8

9

7

6

10

VDD

NC(GND)

Pre/IN

Pre/OUT

GND

LNAIN

NC(GND) Post/OUT

Pre-Filter

LNA

Post-Filter

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■ 基板実装図

<PCB レイアウトガイドライン> デバイス使用上の注意 • RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置してください。 • 外部素子は FEM に極力近づけるように配置してください。 • RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパターンレイアウトを行って

ください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してください。

基板情報基板材質: FR-4 基板厚: 0.2 mm マイクロストリップライン幅: 0.4 mm (Z0 = 50 ) 基板サイズ: 14.0 mm x 14.0 mm

スルーホール直径= 0.2 mm, 0.4 mm

パッケージ端子

PCB パターン

パッケージ外形

RF IN

(Top View)

RF OUT

L1

C1

VCTL VDD

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■ 推奨フットパターン (HFFP10-CD パッケージ)

: ランド : マスク (開口部) *メタルマスク厚 : 100 m : レジスト (開口部)

PKG: 2.5 mm x 2.5 mm

単位: mm

Metal MASK Detail

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■ NF 測定ブロックダイアグラム

使用測定器 NF アナライザ : Keysight N8975A

ノイズソース : Keysight 346A NF アナライザ設定

Measurement mode form

Device under test : Amplifier

System downconverter : off

Mode setup form

Sideband : LSB

Averages : 8

Average mode : Point

Bandwidth : 4 MHz

Loss comp : off

Tcold : ノイズソース本体の温度を入力 (303.15K)

キャリブレーション時

Noise Source (Keysight 346A)

NF Analyzer (Keysight N8975A)

Input (50) Noise Source Drive Output

* 測定精度向上のため、プリアンプ

を使用しています

* ノイズソース、プリアンプ、NFアナ

ライザは直接接続

Preamplifier AVAGO

VMMK-2103 Gain 15 dB

NF 2.0 dB

NF 測定時

Noise Source (Keysight 346A)

DUT

NF Analyzer (Keysight N8975A)

Input (50) Noise Source Drive Output IN OUT

* ノイズソース、DUT、プリアンプ、

NF アナライザは直接接続

Preamplifier AVAGO

VMMK-2103 Gain 15 dB

NF 2.0 dB

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■ パッケージ外形図 (HFFP10-HH)

TOP VIEW

SIDE VIEW

BOTTOM VIEW

パッケージサイズ : 2.5 ± 0.1 mm 0.63 mm max.

電極寸法公差 : ± 0.05 mm 単位 : mm 基板 : セラミック端子処理 : Au Lid : SnAg/Kovar/Ni 重量 (typ.) : 18 mg

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■ 包装仕様 (HFFP10-CD)

テーピング寸法

Feed direction

φD0

φD1A

B

P1

W1

P2 P0

EF

W

T

T2

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

W

W1

DIMENSION

2.8±0.1

2.8±0.1

1.5

1.0

1.75±0.1

3.5±0.05

4.0±0.1

4.0±0.1

2.0±0.1

0.3±0.1

0.85±0.1

8.0±0.2

5.3±0.2

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS100μm max

+0.10+0.10

リール寸法

A

E

C D

B

W1

W

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ180

φ 66±0.5

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

9

1.2

0-1.5

0+1.0

テーピング状態

梱包状態 Label

Put a reel into a box

Label

Unit: mm

more than 240mm 3000pcs/reel

Empty tape

more than 400mm

Sealing with covering tape

Feed direction

Devices Empty tape

Insert direction

(TE1)

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【注意事項】

１．当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがあります。当社半導

体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任において

フェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十分留意され

ますようお願いします。２．このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではあ

りません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、産業財産権その他の権利の

実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３．このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前に

当社営業窓口までご相談願います。 (ア) 航空宇宙機器 (イ) 海底機器 (ウ) 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) (エ) 生命維持に関する医療装置 (オ) 防災 / 防犯装置 (カ) 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) (キ) 各種安全装置

４．このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがありま

すので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生

じた場合、当社は一切その責任を負いません。

５．ガリウムヒ素（GaAs）製品取り扱い上の注意事項（対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ）上記対象製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素（GaAs）を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕

いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混

ぜないでください。

６．この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。７．本製品は、中空パッケージであり、外部からのストレスに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して

注意していただき、評価を行った上で、ご使用願います。 ① 本製品を実装後、トランスファーモールドやポッティングなど行う場合は、成型上に関わる収縮ストレスや温度変化に

対する耐性の確認を御願いいたします。 ② 本製品を実装する場合には、コレット径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N 以下での実装を推奨いたします。 ③ 動荷重に関しては、接触面積/スピード/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。

８．このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の取

り交わしが必要です。

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