NANOMATERIAISALUNO: GELSON GOMES ALVES20901844

• O que é CVD?• Tipos de CVD

– MO-CVD, PE-CVD, etc

• CVD processos / aplicações

http://www.nature.com/srep/2013/130215/srep01172/fig_tab/srep01172_F1.html

• Chemical vapor deposition (CVD) é um processo químico utilizado para a produção de materiais sólidos de alta pureza e de alto desempenho.

• O processo é frequentemente utilizado na indústria de semicondutores para produzir filmes finos.

• Num processo típico de CVD, a pastilha (substrato) é exposta a um ou mais precursores de voláteis, que reagem e / ou decompõem-se na superfície do substrato para produzir o depósito pretendido.

http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition

• Chemical Vapor Deposition é a formação de uma película não volátil sólida sobre um substrato por meio da reação de produtos químicos na fase de vapor (reagentes) que contêm os componentes necessários.

• Os gases reagentes são introduzidos numa câmara de reação e são decompostas e reage a uma superfície aquecida de modo a formar a película fina.

• Processos de microfabricação amplamente utilizados CVD para depositar materiais em várias formas, incluindo: policristalino, monocristalino, amorfa, e epitaxial.

• Estes materiais incluem: silício, fibra de carbono, nanofibras de carbono, filamentos, nanotubos de carbono, SiO2, silício, germânio, tungsténio, carboneto de silício, nitreto de silício, oxinitreto de silício, nitreto de titânio, e vários high-k dieléctricos.

• O processo de CVD também é usado para produzir diamantes sintéticos.

http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition

• Na técnica de deposição física de vapor, o material é aquecido para produzir um vapor, que é então introduzido através dos poros do molde e arrefecida até solidificar.

• A deposição de vapor é normalmente capaz de preparar os nanofios de menor diâmetro (• 20 nm).

• Filamento quente de deposição de vapor químico. Utiliza o metano e o gás hidrogênio como fonte e filamentos de tungstênio.

• Crescimento como diamante nanocristalino de carbono amorfo e nanotubos de carbono.

• Pirometro Cyclop 100 é utilizado para medir tanto o filamento e a temperatura da amostra.

• Fase de aquecimento opcional programável permite controlar temperaturas de substrato até 800 C com termopar.

Horizontal APCVD Reactor

Chemical Vapor Deposition Apparatushttp://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition

Chemical Vapor Deposition Apparatushttp://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition

Fonte: http://www.hlphys.jku.at/fkphys/epitaxy/mocvd.html

• Minimiza os impactos dos processos em alta temperatura anteriormente utilizados.

DESVANTAGENS

VANTAGEM

A REAÇÀO DE CVD É MUITO COMPLEXA E ENVOLVEUMA SÉRIE DE REAÇÒES.

• CVD é uma família de técnicas

- CVD, PVD, PE-CVD, MO-CVD• Química em fase de vapor• Reações na superfície do substrato• O plasma pode "melhorar" as condições de reação• Usado principalmente na indústria de semicondutores

• Demonstrou com sucesso a fase de vapor técnica em que a condensação do óxido de espécies acima das suas temperaturas de decomposição leva ao crescimento de nanofios metálicos. O aumento da temperatura para além da temperatura de decomposição reduziu o diametro dos nanofios.

• Esta técnica pode ser estendida para a sintese dos nanofios de metal.

CONCLUSÀO DO ARTIGO

VAPOR PHASE SYNTESIS OF TUNGTEN NANOWIRES

• Microelectronics Processing Course - J. Salzman - Jan. 2002 . Microelectronics Processing Chemical Vapor Deposition

• http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition• Microelectronics Processing Course - J. Salzman – Fall

2006 . Microelectronics Processing . Ion Implantation • American Vacuum Society (AVS)

• “A mente que se abre a uma nova ideia jamais volta ao seu tamanho original.” -

Albert Einstein