TRANSISTORES

Prof. Román Seclén B.

DEFINICION

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor de estado solido. En ingles: transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control

Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos domésticos de uso diario.

Prof. R. Seclen B.

CLASIFICACION

TRANSISTOR

BIPOLAR DE UNION O JUNTURA

BJT NPN

PNP

Darlington NPN

EFECTO DE CAMPO, DE

UNIÓN JFET Canal n

Canal p

FOTOTRANSISTOR

UNIJUNTURA O

UNIUNIONUJT

NPN

PNP

METAL –OXIDO-

SEMICONDUCTOR MOSFE

T Empobre-cimiento

Prof. R. Seclen B.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR -BJT

Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha, formando tres regiones:

EMISOR: E BASE : B COLECTOR:C

SIMBOLOGIA

1. TRANSISTOR NPN2. TRANSISTOR PNP

Se fabrican usando el Silicio y Germanio

Prof. R. Seclen B.

TRANSISTOR NPN

Estructura y funcionamiento

Los NPN consisten en una capa de material dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. El funcionamiento normal se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en sentido directo y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa

Prof. R. Seclen B.

TRANSISTOR PNP

Estructura y funcionamiento

Los PNP consisten en una capa de material dopado N (la "base") entre dos capas de material dopado P. El funcionamiento normal se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directo y el diodo B-C se encuentra polarizado en sentido inverso

Prof. R. Seclen B.

TRANSISTOR PNP

TENSIONES REFERENCIALES DE FUNCIONAMIENTO

Tensión: Vc mayor o igual que VbTensión : Vb mayor o igual que Ve

Ejemplo 1:

Tensión: Ve mayor o igual que VbTensión : Vb mayor o menor que Vc

Vc:4.9 v

Vb: 5.6 v

Ve: 5.1 v

TRANSISTOR NPN

Ejemplo 2:

Vc:14.2 v

Vb: 0.8 v

Ve: 0 v

Vc:10.3 v

Vb: 9.8 v

Ve: 10.6 v

Ve: 5.0 v

Vc: 0.9 v

Vb: 4.7 v

Prof. R. Seclen B.

1. REGION DE CORTE

Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector y la corriente de emisor es cer0, (Ic = Ie = 0)

El voltaje entre el colector y el emisor (Vce)del transistor es el voltaje de alimentación del circuito

Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es cero (Ib = 0)

CURVA Y REGIONES DE TRABAJO

Prof. R. Seclen B.

2. Región de saturación

Está saturado cuando la corriente de colector es igual a la corriente de emisor e igual a la corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)

La magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de los resistores conectados

Este caso se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector ß (beta) veces más grande. (Ic = ß * Ib)

CURVA Y REGIONES DE TRABAJO

Prof. R. Seclen B.

3. Región activa:

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en corte entonces está en una región intermedia, la región activa.

En esta región la (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de ß (ganancia de corriente de un amplificador) y de las resistencias conectadas en el colector y emisor).

Esta región es la más importante si lo utiliza el transistor como un amplificador.

CURVA Y REGIONES DE TRABAJO

Prof. R. Seclen B.

CURVA Y REGIONES DE TRABAJO

Prof. R. Seclen B.

1. EMISOR COMUN 2. BASE COMUN

Configuraciones del transistor como amplificador

Se amplifica la señal de ACIngresa por base y sale por colector

La señal de AC, Ingresa por emsisor base y sale por colector

Prof. R. Seclen B.

3. COLECTOR COMUN

Configuraciones del transistor como amplificador

La señal de AC, ingresa por base y sale por Emisor.Se le conoce también como seguidor emisivo

Prof. R. Seclen B.

Primer numero y letra: Fabr. Asia-Malasia…2S : transistorSegunda Letra: Si es bipolar tipoA: PNPB: P NPC: NPND: NPNLuego números de fabricación.

CODIFICACIONES

Códigos de transistores

CODIFICACION (Fab. Americana)Pre fijo: 2N: Transistor

OTRO CODIGO:Usar manual de reemplazos : ECG u otro

Prof. R. Seclen B.

IDENTIFICACION FISICA DE TERMINALES

En el caso de transistores de mediana o gran potencia, el Colector esta unido con el terminal de disipación de calor o con frecuencia en el centro de los tres terminales

En los circuitos impresos y esquemas se utiliza la letra “Q” para ubicar al transistor, o “T” si no ha sido utilizada para indicar el transformador

Prof. R. Seclen B.

Indicaciones de prueba

Colocar el instrumento digital en posición de semiconductor.

Entre BASE - EMISOR y BASE - COLECTOR, debe marcar como un diodo. En conducción un valor según lo indicado en manual de reemplazos)

Entre COLECTOR – EMISOR no debe marcar en ambos sentidos.

Si la medición indica lo contrario el transistor se encontrará averiado , indicándose entre terminales si esta abierto, cruzado o alterado

COMPROBACION DEL TRANSISTOR

Prof. R. Seclen B.

PRÁCTICA

Comprobación de transistores.

Prof. R. Seclen B.