s e m i c o n d u c t o rhttp: / /www.semicon.toshiba.co. jp/

○○○○○○編システムカタログ

システムカタログ 2008-9

システムカタログ

モバイルソリューション

2 3

携帯電話をはじめとするモバイルコミュニケーションが私たちの生活を変えていきます。

そのハードウェアを支えるのが東芝の技術。

最先端技術を安心して利用していただくために、

私たちは揺るぎない信頼の製品づくりに邁進しています。

人と人、心と心をつなぐソリューションを求めて、東芝はモバイル用デバイスの新たな可能性に挑戦します。

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東芝半導体モバイルソリューション

RFアナログICW-CDMAトリプルバンド対応送受信ワンチップIC

高周波デバイスパワーアンプバッファアンプLNAトランジスタ可変容量ダイオードアンテナスイッチ

メモリ: マルチチップパッケージ携帯電話に最適な大容量NAND型フラッシュメモリ「mobile LBA-NAND」

SDカードmicroSDカード

RF部

電源用ディスクリートパワーマネジメント向けMOSFETリチウムイオン電池保護MOSFET

デジタル出力磁気センサTCS10/11シリーズ開閉機能のあるセットに最適な磁気センサ特性を実現

汎用品電源切替トリプルスイッチ低スタンバイ電流電源ICフォトカプラ

電源部

アプリケーション部

バックライト・キー照明用小型高輝度LEDショットキーバリアダイオードツエナーダイオードレベルシフタ照度センサ

白色LEDドライバICスイッチング方式・チャージポンプ方式DC/DCコンバータの他、非昇圧型定電流タイプ

照度検知用表面実装型フォトICTPS850シリーズカラー液晶モニタkeyのバックライト自動輝度調光用途に最適

CMOSエリアイメージセンサ

光学ズーム位置検出用小型フォトインタラプタTLP848超小型、表面実装型パッケージ

2M/3.2M/5M/8MDynastron®

超小型カメラモジュールCSCM

地上波デジタル受信IC(ワンセグOFDM復調IC)ETC90521/JBTC90521小型・薄型でワンセグ搭載機器の小型化に貢献

マルチメディアエンジンTC352980XBG <T5GE> FWVGAに対応したH.264による動画再生機能搭載

TC35711XBG <TG2>高性能3Dグラフィックスエンジン

ペリフェラルLSI高速シリアル伝送方式による画像データの伝送ほか, 周辺機能を制御できるよう汎用機能搭載MDDI Display Buffer　TC358720XBG他MIPI Display Buffer　TC358730XBG他IO拡張　TC35890XBG他

メモリ部 表示部

パワーアンプ用電源IC(CDMA向け)

CMOSエリアイメージセンサ

携帯電話用マルチメディア・エンジン

ペリフェラルLSI

メモリ・マルチチップパッケージ

モバイル端末向けメモリNAND型フラッシュメモリ

NAND Flash Storage

W-CDMA トリプルバンド対応 送受信ワンチップIC

デジタルテレビ受信用IC小型高輝度LED

白色LEDドライバIC携帯電話(CDMA)パワーアンプ用電源IC

照度検知用表面実装型フォトIC: TPS856小型・表面実装型フォトインタラプタ： TLP848

デジタル出力磁気センサ：TCS10/11シリーズ

小型低オン抵抗アナログスイッチESD保護用ダイオード

小型電源用デバイス: MOSFET/CMOS-LDO

ロゴは商標です。

C O N T E N T S

ヘッドフォン

スピーカ

マイク

RF/IF

CMOSイメージセンサ

アプリケーションプロセッサ

オーディオ用IC

LCDモジュール

LCDドライバ

バックライトLED

照度センサ

送受信切替スイッチ

バッテリーチャージャ

電源IC

磁気センサ

PLLVCO

高周波受信部

地上波デジタル受信

メモリカードI/F

メモリ(MCP)

バックライトLED

高周波送信部

ベースバンド信号処理

4

8M

5M

3.2M

2M

1.3M

0.33M

解像度

画素サイズさらなる微細化

内数値は光学サイズ[型]

3.3 μm 2.7 μm 2.2 μm 1.75 μm

1/8"

1/2.7"

1/2.6"

1/3.3"

1/3.3" 1/4"

1/7"

ET8EM21/3.2"

ET8EN21/2.6"

1/5"

1/10"

1/2.5"

1/3.2"

1/4"

ET8EM11/4"

ET8EM01/5"

小型化・高機能化を実現　　　　　

CMOSエリアイメージセンサ ®

さらなる小型化・高機能化を目指して従来品の画素ピッチ2．2μmから1.75μmに微細化を実現したDynastronの新製品を開発します。新製品は200万画素クラスから800万画素クラスまで豊富なラインアップを取りそろえております。もちろんマイクロレンズ、フォトダイオードの最適化などのDynastronテクノロジーによる高画質も実現しています。カメラ付携帯電話に代表されるモバイル機器製品に新しい可能性を広げます。

● 同クラス最高レベルの画質を実現するDynastronテクノロジー。● PLL内蔵によるフレキシブルな入力クロック対応。● キズ補正、ゲインコントロール、レンズ周辺光量補正などの各種機能を内蔵。● I2Cバスによるコマンドコントロール。

■ 特長

*: Dynastronは（株）東芝の商標です。

2 M Dynastron®「ET8EM0」（開発中）

3.2 M Dynastron®「ET8EM1」5 M Dynastron®「ET8EM2」（開発中）

8 M Dynastron®「ET8EN2」（開発中）

Dynastron®開発ロードマップ

■ 主な仕様項　目 内　容

ISP機能ISP: Image Signal Processor

なし なし なし あり

I2C

品　番光学フォーマット有効画素数

セルサイズデータフォーマット

フレームレート

制御信号

ET8EN2

1/2.6インチ約8メガ 3,280（H）× 2,464(V)

1.75 μm×1.75 μm

RAW

約8メガfull@7.5 fps

I2C

ET8EM2

1/3.2インチ約5メガ 2,584（H）× 1,960(V)

1.75 μm×1.75 μm

RAW

約5メガfull@12 fps

I2C

ET8EM1

1/4インチ

約3.2メガ 2,060（H）× 1,548(V)

1.75 μm×1.75 μm

RAW

約3.2メガfull@15 fps

I2C

ET8EM0

1/5インチ約2メガ 1,616（H）× 1,216(V)

1.75 μm×1.75 μm

YUV/RGB/RAW

UXGA@15 fps VGA@30 fps

ET8EN2-AS

5

ワイヤーボンディング

IRカットフィルタ

IRカットフィルタ

ガラス

貫通電極 (TCV)

センサチップ基板

レンズホルダ

レンズホルダ

(CSCM)

（従来型モジュール）光学レンズ

半田ボールセンサチップ

光学レンズ

TCV*1技術を適用したCMOSイメージセンサ「Dynastron®」搭載の超小型カメラモジュール「CSCM*2」を世界で初めて*3製品化しました。近年、カメラ付携帯電話などモバイル機器は小型化、薄型化が進んでおり、これらに搭載されるCMOSカメラモジュールも、さらなる小型化、高品質化が求められています。今回の新製品は、TCV技術を新たに適用することで、ウェハを貫通電極付のチップ構造とし、ウェハ状態でのカメラモジュール部品の実装・組み立てが可能となります。また、裏面に半田ボールを形成することで、従来使用していた基板とワイヤボンディングスペースを削減します。この「CSCM」は、同一VGAチップを使った場合の従来型モジュールとの大きさ比較で、体積比約64％(当社比)の小型化*4を実現します。さらに、耐熱レンズの採用や裏面の半田ボール形成により、モバイル機器メーカーにおけるカメラモジュール実装工程の短縮を実現する「半田リフロー実装*5」を可能とし、面実装基板製造工程の合理化にも貢献します。

*1： TCVは、Through Chip Viaの略称で、ウェハに穴を開けて貫通電極を形成する技術です。

*2： CSCMは、Chip Scale Camera Moduleの略称で、ウェハレベルでカメラモジュール部品の実装・組み立てが可能な小型カメラモジュールです。

*3： 2007年10月1日現在。東芝調べ。*4： 同一チップを使って従来型モジュールを製造した場合を想定したCSCMとの体積比です。

*5： 半田リフロー実装とは、表面実装部品を基板に実装してから高温炉に入れる実装方法のことです。

超小型カメラモジュール： CSCM

製品名 TCM9200MD

■ 主な仕様

製品名 TCM9000MD

※詳細仕様はお問い合わせ下さい。※開発中製品は、実際の製品では仕様が異なることがあります。

TCV技術を適用し、世界で初めて製品化

■従来型モジュールと「CSCM」との構造比較（イメージ図）

フレームレート 毎秒15フレーム(UXGA出力時)毎秒30フレーム(VGA出力時)

制御信号

出力フォーマットデータフォーマットセルサイズ総画素数モジュールサイズ

I2Cバス

8ビットパラレルYUV/RGB/RAW

2.2 μm(H)× 2.2 μm(V)

1,648(H)× 1,216(V) UXGA

6.31 mm(X) × 6.41 mm(Y) × 4.35 mm(H)

モジュールサイズ 4.00 mm(X) × 4.00 mm(Y) × 2.27 mm(H)

制御信号フレームレート出力フォーマットデータフォーマットセルサイズ総画素数

I2Cバス毎秒30フレーム(VGA出力時)

8ビットパラレルYUV/RAW

2.2 μm(H)× 2.2 μm(V)

648(H)× 492(V) VGA

6

高性能サウンド/ビデオ/イメージ処理を提供する

携帯電話用マルチメディア・エンジン

携帯電話向けのマルチメディア・エンジンT5GEを製品化しました。T5GEは従来品T5Gをさらに進化させた製品で, 動画コーデック, 3Dアクセラレータ, JPEGコーデックの3つのハードウェアアクセラレータより構成され, 携帯電話で普及している動画・静止画撮影機能, ワンセグ機能, 3Dゲーム等の処理を高速に実行することができます。動画コーデックはH.264 (FWVGA)のエンコード/デコード機能およびMPEG4 (FWVGA)エンコード/デコード機能を備えており, 強力な3Dアクセラレータは携帯電話におけるゲームやアプリケーションの可能性を大きく広げる機能です。JPEGコーデックは高解像度化のニーズに応え5Mpixelまでの静止画撮影が対応可能で, 高速処理により連写機能や応答速度の向上を実現しています。さらにFWVGAサイズ（864 x 480）まで対応したLCDコントローラを内蔵しています。

● 高性能3Dグラフィックス・プロセッサの搭載により、100M Polygon/s*1、800M Pixel/s*1

の3D描画性能を実現● 高性能3Dグラフィックス・プロセッサ、マルチメディア処理に適した当社独自のメディアプロセッサ「MeP」(Media Embedded Processor)、携帯機器向けの高性能プロセッサコア「ARM1176JZF-S」の3つのプロセッサを搭載しており、従来の据置型ゲーム機に匹敵する性能を実現

● 3Dグラフィックスプログラミング技術「プログラマブル・シェーダ」に対応し、リアルな3Dグラフィックス描画が可能● WVGAサイズ(480 × 800)のディスプレイ表示に対応し、ビデオエンコーダを介してTV出力と独立かつ同時表示を実現するLCDコントローラを内蔵

● 512 Mbit DDRメモリをスタックパッケージとして内蔵● 各種外部インタフェースを装備 (SDカード、シリアルIO、NANDフラッシュメモリ、DDRメモリコントローラ、UART)

■ 主な仕様

■ 特長

TG2 TC35711XBG

■ 主な仕様

*1: グラフィックコアのピーク性能です。

● 動画コーデック: H.264コーデック: FWVGAサイズ(864 × 480 画素)画像をフレームレート30 fpsでエンコード/デコードMPEG4コーデック: 最大FWVGA(864 × 480 画素)画像をフレームレート30 fpsでエンコード/デコードH.263ビデオコーデック準拠、カメラ入力画像(フィルタ機能 縮小/回転) 動画出力画像フィルタ/拡大/縮小/回転

● オーディオコーデック: AMR音声コーデック準拠、ITU-T G.726コーデック準拠、MP3オーディオエンコーダ/デコーダ、WMAオーディオエンコーダ/デコーダ、PCM入出力、MP4多重分離、ビットストリーム入出力、TV電話(ITU-T H.223)、MPEG2-TS(ITU-T H.222.0)

● 2D/3Dグラフィック ● JPEGコーデック: JFIFフォーマット、JPEG Baseline方式準拠、JPEG PART2(ISO/IEC10918-2)準拠、画像入力形式YUV 4:4:4, YUV 4:2:2, YUV 4:2:0

● LCD Controller: FWVGA表示、2つのLCD接続、RGB・YUV出力、最大4layer合成表示、同期/非同期IF、LCD-TV同時表示、画面ストレージ機能

● Camera I/F: 2台のカメラを直結、YUV 4:2:2形式の画像入力● メモリ: 画像用内蔵eDRAMおよびモバイルDDR SDRAM搭載

■ 特長

T5GE TC352980XBG

項　目

項　目 内　容

内　容

プロセス 90 nm

パッケージサイズ電源電圧機能

13 mm × 13 mm (449ピン)1.2 V (コア)、1.8～3.3 V (I/O)CPU、3Dグラフィックス、LCDインタフェース、SDカードインタフェース、シリアルI/O、UART、DDRメモリコントローラ

プロセス 90 nm

パッケージサイズ電源電圧

11 mm × 11 mm (358ピン)1.2 V (コア)、2.5 V (コア)、1.8～3.0 V (I/O)

7

東芝 アプリケーション・エンジン モバイルターボ ロードマップ

携帯電話用マルチメディア・エンジン

QVGA/QCIF

QVGAMPEG4 Enc/Dec

3D Graphics

T4

T4G

QVGALow Power Audio

S1

VGAサイズの画像を毎秒30フレーム、かつ高画質で記録再生

当社従来比, 30倍以上のグラフィックス描画能力

VGAMPEG4 Enc/Dec

3D Graphics

T5G

ワンセグ放送の視聴,オーディオの再生と共に低消費電力を実現

Programmable Shader3D Graphics

(Open GL ES 相当)

S1G

QVGA/VGALow Power Audio

3D GraphicsA1J

Low Power Audio

Specific Product Line

High Performance Line

TG2

H.264 720pEnc/Dec3D Graphics

(Open GL ES 2.0)

T6G

FWVGAH.264 Enc/Dec3D Graphics

T5GE

Cost Performance Line

’04 ’05 ’06 ’07 ’08 ’09

Audio

Video

Graphic

Music

Video

Image

Game

100 Hours Playback

3D Game

1080pLow Power Video

3D Map & User Interface

GPS

キーテクノロジ & パフォーマンス

マルチメディアエンジン

8

高機能携帯電話を支える

ペリフェラルLSI

■ Display Bufferシステム例

携帯電話システムのベースバンド・プロセッサまたはアプリケーション・プロセッサと周辺機器との接続を柔軟に対応するペリフェラルLSIを製品化しています。

パラレル方式の表示モジュールを新しい高速シリアル規格のインタフェースで接続

従来BBプラットフォームを再利用し、色深度が大きいVGAディスプレイに接続

パラレル方式の表示モジュールを新しい高速シリアル規格のインタフェースで接続

BB

BB

BB

MDDI Display Buffer TC358720XBG TC358721XBG TC358722XBG TC358723XBG

Baseband(Application)Processor

I/O拡張 TC35890XBG TC35892XBG TC35893XBG TC35894XBG

Camera

BridgeBridgeHub

LED

TV

Keyboard

TV Output Buffer

MIPI Display Buffer TC358730XBG TC358731XBG

Display

High-Speed Serial(MDDI)

Parallel(18/24-bit RGB)

DriverDisplay

~FWVGA24-bit RGB

LCDController

RAMVGA/FWVGA

既存システムに接続することでキーパッド、LED制御、タイマなど、追加することで製品ラインアップを容易に拡充することができます。

BB

Parallel InterfaceMIPI (DBI-B, DPI, DBI-C)

High-Speed Serial DisplayVGA

24-bit RGB

LCDController

RAMVGA

High-Speed Serial(MIPI DSI)

Parallel(18/24-bit RGB)

DriverDisplay

VGA24-bit RGB

LCDController

RAMVGA

■ IO拡張システム例

I2C (2-wire)

VibratorLEDPWM

Keyboard

GPIOInterrupt

IOExpander

Driver

9

● MDDI Client Interface データレート最大400 Mbps● メイン画面VGAに加えてQCIF+サイズのサブ画面をサポート● 周辺機器制御用にI2C, SPI, GPIO, PWMを搭載● 入力クロックは32.768 kHz～20 MHzまで対応● LCD動画伝送速度画面サイズVGA 60 fps対応

■ 主な仕様

■ 特長

折りたたみ型、スライド型、さまざまなUI搭載そしてさらに今後も進化し続ける携帯電話において生じる機械的・電気的複雑さに対応するペリフェラルLSIとして、<VEGAMagiq>TC358720XBG、TC358721XBG、<VEGAMagiq-W>TC358722XBG、TC358723XBG、<MIPI Display Buffer>TC358730XBG、TC358731XBG、そして、外部にIO拡張をすることで標準的なベースバンド・プロセッサまたはアプリケーション・プロセッサが最適のピン数を維持できる<IO拡張>TC35890XBG、TC35892XBG、TC35893XBG、 TC35894XBGを製品化しています。高速シリアル伝送方式による画像データの伝送ほか、周辺機能を制御できるよう汎用機能を搭載しています。

MDDI Display Buffer: VEGAMagiqTC358720XBG, TC358721XBG

● MDDI Client Interface データレート最大400 Mbps● メイン画面FWVGAに加えてQCIF+サイズのサブ画面をサポート● 周辺機器制御用にI2C, SPI, GPIO, PWMを搭載● 入力クロックは32.768 kHz～20 MHzまで対応● LCD動画伝送速度画面サイズFWVGA 60 fps対応

■ 主な仕様

■ 特長

プロセス 130 nm

MDDI Display Buffer: VEGAMagiq-WTC358722XBG, TC358723XBG

● 2種類のDisplay入力インタフェースに対応(MIPITM DBI type B, MIPITM DPI)

● 高速シリアル・インタフェース出力(T-HSSI: TOSHIBA High Speed serial interface)

● VGAサイズをサポート● バックライトコントロール用PWMを搭載● 入力クロック: 32.768 kHzまたは19.2 MHz

■ 主な仕様

■ 特長

MIPI Display BufferTC358730XBG

● ベースバンド・プロセッサ･インタフェース　(MIPITM DBI type B, MIPITM DPI, MIPITM DBI type C)● 高速シリアル・インタフェース入力対応(MIPITM DSI) ● VGAサイズをサポート● 周辺機器制御用 PWMを搭載● 入力クロック: 32.768 kHzまたは19.2 MHz

■ 主な仕様

■ 特長

MIPI Display BufferTC358731XBG

● 低消費電力動作　● I2Cインタフェース、2 × 2～8 × 12Key Keyboard、PWM、GPIOを拡張可能　● GPIOとして最大24本まで拡張可能

■ 主な仕様

■ 特長

IO拡張TC35890XBG, TC35892BG, TC35893XBG,TC35894XBG

TC35890XBG TC35892XBG TC35893XBG

GPIO 最大24本、水晶発振、2電源対応

GPIO 最大24本、内蔵RC発振、水晶発振

GPIO 最大20本、内蔵RC発振機　能

項　目

項　目

項　目 内　容

項　目 内　容

内　容

項　目 内　容

1.5 V(コア)、2.6 V(eDRAM)、1.8～3.3 V(I/O)、1.5 V、1.8 V(MDDI I/O)

6 mm × 6 mm (100ピン)

130 nm

1.5 V(コア)、2.6V(eDRAM)、1.8～3.3 V(I/O),1.5 V、1.8 V(MDDI I/O)

6 mm × 6 mm (81ピン)

電源電圧

パッケージサイズ

プロセス

電源電圧

パッケージサイズプロセス 90 nm

パッケージサイズ電源電圧

5 mm × 5 mm (64ピン)1.8 V(コア)、1.8 V(I/O)、2.5 V(eDRAM)

プロセス 90 nm

パッケージサイズ電源電圧

5 mm × 5 mm (64ピン)1.8 V(コア)、1.8 V(I/O)、2.5 V(他)

電源電圧範囲 1.7 V～3.6 V 1.62 V～2.7 V 1.62 V～2.7 Vパッケージサイズ

パッケージ

5 mm × 5 mm (36ピン) 3.5 mm × 3.5 mm (36ピン) 3.0 mm × 3.0 mm (25ピン)

TC35894XBG

GPIO 最大24本,内蔵RC発振, 水晶発振

1.62 V～2.7 V3.5 mm × 3.5 mm (36ピン)

10

NAND型フラッシュメモリ＆メモリカードロードマップ

8Gb 16Gb

2007 2008 2009

32Gb

64GB8GB 16GB

16GB2GB 4GB

32GB

8GB

32GB16GB 64GB

NAND Flash Memory

SD Memory Card

USB Memory

microSD Memory Card

多様なラインアップで組み込み型メモリからメモリカードまで

モバイル端末向けメモリ

NAND型フラッシュメモリ

■ 実績と信頼のNAND型フラッシュメモリ携帯電話への搭載が増加しているNAND型フラッシュメモリは東芝が世界で初めて開発、実用化を果たしました。チップを全て国内で生産し、高い品質と信頼性を誇っています。

■ MCPやmicroSDメモリカードで省スペース化を実現高度な積層技術で複数のメモリチップをワンパッケージ化するMCPや、超小型のmicroSDメモリカードなどで携帯電話を省スペース構成にすることができ、高密度実装や多機能化に寄与します。

■ 豊富なメモリソリューションラインアップ多値NANDを中心に、MCPなどの組み込み型メモリやmicroSDメモリカードで携帯電話をトータルにサポートします。

需要が急拡大している大容量ストレージ向けに、最先端43 nmプロセスの微細加工技術と多値技術を用いた業界最大容量16G/32GビットNAND型フラッシュメモリを量産しています。

● 最先端43 nmプロセスの微細加工技術と多値技術により、当社従来製品と同じパッケージに16G/32Gビットを実現。 ● ページサイズの最適化、制御システムの適正化により、当社従来の多値製品に比べ書き込み速度の高速化を実現。 ● 積層実装技術の採用により大容量カードが実現できます。

■ 特長

SDRAM

PSRAM

NOR

SD I/FタイプGB-NANDTM※※

microSD

※： eMMCTMに準拠。eMMCTMはMMCAの商標です。※※： GB-NANDTMは東芝の商標です。

組み込み

カード

NAND製品

MCP（XIP型、Shadowing型）

NAND I/FタイプmobileLBA-NAND

MMC I/Fタイプ※

多値NAND

二値NAND

XIP(eXecution In Place)型：NORフラッシュメモリに格納したプログラムコードを直接順次読み出しながらコードの実行を行うタイプのメモリシステム。主に、中国、欧州などのGPRS系の携帯電話で使用されている。Shadowing（シャドウイング）型：二値NANDフラッシュメモリに格納したプログラムコードをシステムの立ち上げ時にNANDフラッシュから同期型ダイナミックRAM（Synchronous Dynamic RAM）にコピーし、プログラムコードの実行は、SDRAMからコードを読み出しながら行うタイプのメモリシステム。日本、韓国を中心とした高性能携帯電話機で普及している。

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東芝MCP製品のロードマップ

Mem

ory

siz

e / I

nte

gra

tio

n

Time

9 × 121.4 0.8 mm pitch

2 StMCP PSRAM + NOR

3 StMCP PSRAM + NOR + NAND

SDRAM + NAND×32 SDRAM + NAND

9 × 121.4 / 1.6

32PS + 128NOR + 1GN

32PS + 128NOR + 512N

10 × 13.51.2 / 1.4

512LPSD + 1GN

11 × 141.2 / 1.4

0.65 mm pitch3-x16 Data Bus Line

512LPSD + 1GN

128PS + 256NOR + 1GN

ADQ Mux deMux Burst 3 StMCP

9 × 121.2 / 1.4

0.65 mm pitch3-x16 Data Bus Line

64PS + 256NOR + 1GN

POP(package on package)

0.65 mm pitch

12 × 181.2 / 1.4

0.8 mm pitch

11 × 141.2 / 1.4

0.65 mm pitch

10 × 13.51.2 / 1.4

0.8 mm pitch

11 × 141.2 / 1.4

0.65 mm pitch

GB-MCP(MCP + GB-NAND)

mobileLBA MCP

512LPSD + 1GN + 1GB

64PS + 128NOR + 1GB

Size: mmM: Mega bit, G: Giga-bit, GB: Giga-byte NAND FlashN: NAND Flash, NOR: NOR Flash, PS: Pseudo SRAMLPSD: Low Power Synchronous DRAMThe above combinations are examples.

15 × 15 14 × 14

0.5 mm pitch

12 × 12

POP

メモリ・マルチチップパッケージ

最新の実装技術で、さらなる大容量、多チップ、薄型パッケージ化

携帯電話などのモバイル機器では静止画、動画、音楽などの保存、再生やゲーム搭載など高機能化が進み、大容量のデータを高速に処理することを強く求められています。一方限られたスペースに実装する必要があるため多層のマルチチップパッケージ(MCP)へのニーズが高まっています。

● 豊富なメモリLSIのラインアップの中から幅広い組み合わせを構成できます。● 最新MCP実装技術を駆使し、9層(スペーサを含む)を積層して1.4 mm厚、5層(同)を積層して1.0 mm厚のスタックMCPを量産中。● ホストコントローラの負荷を低減した大容量NANDフラッシュmobileLBA-NANDを新たにサンプル出荷を開始しました。同一デバイス内に高速な読み出し、書き込みに適した二値記憶領域と大容量データ保存に適した多値記憶領域を任意の容量で設定可能です。総容量は２ギガビットから３２ギガビットまでラインアップしています。二値記憶領域は、メモリ容量が２ギガビット、４ギガビット、８ギガビットの各新製品については、用途に応じて各メモリ容量の最大値まで、メモリ容量が１６ギガビット、３２ギガビットの各新製品については、用途に応じて最大８ギガビットまで設定可能です。

■ 特長

NAND

PseudoSRAM

Low PowerSynchronous

DRAM

Controller

NOR

NAND型のフラッシュメモリで電気的に一括消去が可能でプログラム可能な読み出し専用メモリ

DRAMのCellを用いるが外部から記憶保持動作が不要となる工夫をしたランダムアクセスメモリ

消費電力が少なく、記憶保持動作が必要なランダムアクセスメモリ

NANDの動作をコントロールする素子

NOR型のフラッシュメモリで電気的に一括消去が可能でプログラム可能な読み出し専用メモリ

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NAND Flash Storage

SDスピードクラス： SDアソシエーションによって定められた読み込み書き込み時のデータ転送速度の目安です。対応機器とカード側がそれぞれSDスピードクラスを表記することで、転送速度に関するカードの選択が容易になります。

USBポートに挿入するだけで自動認識。オフィスでのデータ移動や友人との写真のやり取りなど、携帯性に優れたコンパクトサイズのUSBフラッシュメモリがデータをつなぎます。

SDメモリカードファミリー

SDスピードクラス

USBフラッシュメモリ

SSD Solid State Drive

多彩なデジタル機器に対応

SDメモリカード

超高速タイプ

SDHCメモリカード

超高速タイプ

SDメモリカード

高速タイプ

SDHCメモリカード

高速タイプ

microSDメモリカード

高速タイプ

microSDHCメモリカード

高速タイプ

大容量データの高速転送に対応

超小型で携帯電話に最適

読み書き時のデータ転送速度が最低2 MB/秒

U2Kシリーズ（スタンダードモデル）Windows Vista® ReadyboostTM対応

Windows Vista® ReadyboostTMは、米国Microsoft Corporationの米国およびその他の国における登録商標または商標です。

U2Gシリーズ（大容量モデル）

モジュールタイプ 1.8インチタイプ

読み書き時のデータ転送速度が最低4 MB/秒

読み書き時のデータ転送速度が最低6 MB/秒

写真、音楽、動画などの大容量データ保存に対応

高速大容量シリアルATAインタフェースラインアップ： モジュールタイプ

1.8/2.5インチタイプ容量： 32 GB、64 GB、128 GB

のロゴは商標です。 は東芝の登録商標です。

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TB31341FTG TB31342XLG

1 chip 化

表（印字面）

TB31345WLG

裏（端子面）

LPF

VCO

VCO

Loop F

LPF

QMOD

LPF/VGA

SBI

QDEM

QDEM

QDEM

PA

ANT

DPX

DPX

DPX

800 MHz帯

2 GHz帯

1.7 GHz帯

BPF

BPF

BPF

BPF

BPF

BPF

LNA

LNA

LNA

DrAMP

DrAMP

DrAMP

1.7 GHz帯

2 GHz帯

800 MHz帯

SW

TB31345WLG

TB31341FTG TB31342XLG

PA

PA アナログベースバンドLSI

Loop F

F-PLL

F-PLL

携帯電話の小型/薄型化・海外ローミング地域拡大に貢献

W-CDMA トリプルバンド対応 送受信ワンチップIC

TB31345WLG

● 低消費電流： 送信 66 mA (+4 dBm出力時(通常mode))、69 mA (+4 dBm出力時 (Icc-up (HSDPA) mode))受信 36 mA

● 周波数： Band Ⅰ (2 GHz帯)、Band Ⅴ/Ⅵ (800 MHz帯)、Band Ⅸ (1.7 GHz帯) ● 外付け部品数削減： 送信/受信ともにダイレクトコンバージョン方式● 低EVM特性： 受信 10％、 送信 3％● 高速ロックアップ＆低雑音： フラクショナル-N方式PLL ＋ VCO ＋ Loop Filter内蔵● 干渉波対策： GSMおよびCDMA2000妨害波に適応した受信LPF内蔵● 小型/薄型パッケージ： S-UFLGA96 (4.13 × 4.16 × 0.6 mm), 96ピン, 0.4 mmピッチ, WCSP※

※WCSP (Wafer level Chip Size Package)

■ 特長

RF-LSIブロック図

急伸しているW-CDMA方式の携帯電話は高機能化とともに周波数拡張が図られており、RF-LSIには高集積化と小型/薄型化の要求が高まっています。今回開発したトリプルバンド用RF-LSIチップ「TB31345WLG」は、前製品の2 chip (LNA (TB31341FTG)、TRX (TB31342XLG))を1 chipに集積化するとともにWCSP※を採用し業界最小クラスを実現しています。適用バンドも800 MHz帯の周波数拡張対応を行いBAND Ⅰ (2 GHz帯)の地域に加え、BAND Ⅴ(800 MHz帯)の地域にもローミング対応可能となっています。また、内蔵の受信LPFは、GSMおよびCDMA2000妨害波対策に適応したフィルタ特性となっています。SiGe Bi-CMOSを用いて低消費電力化と低EVM（Error Vector Magnitude）を実現しており、待ち受け時間/通話時間の延長にも貢献します。

14

LEDチップ（LEDチップ搭載側　カソード）

0.8

2

1

0.3

0.45

0.1

(0.2

)1.

21.

6 ±

0.1

(0.2

)

keyのバックライトに最適

小型高輝度LED

■ ラインアップ

携帯端末向けとして放送が行われている、ワンセグメント放送専用のOFDM復調ICとして、ETC90521(ベアチップ)/JBTC90521(半田Bump)を量産中です。

● 地上デジタルテレビ放送のワンセグメント放送を受信できます。● 90 nmプロセスのパッケージレス（ベアチップおよび半田バンプ）により実装サイズ削減を実現しました。これにより機器の小型/薄型化に貢献できます。

● OFDMの復調処理に必要なメモリ、およびADコンバータを内蔵していますので、外付けにこれらの部品を必要としません。 ● OFDM復調処理に必要な回路はハードウエアとして実装されていますので、基本的にスタンドアロン動作が可能です。(初期化および選局動作等を除く)。これにより端末側のホストCPUの負担を軽減することができます。

● 前製品であるTC90501FLGから移動受信特性・チャンネル切り替え時間などの性能が改善しています。

現在、後続としてTC90541（ワンセグ受信、RF-CMOS 1chipチューナ）を開発中です。

■ 特長

● パッケージサイズ： 1.6(L) × 0.8(W) × 0.45(H) mm（リード長含む）● 新構造LEDチップの採用により、低電流駆動で高輝度を実現（TL□V1022シリーズ）● 従来の高輝度LEDから置き換えができます。（TL□V1022シリーズ）● ROHS適合品

■ 特長

TLPGV1022(T14, F)/(T15, F)

630

626

613

605

592

587

571

561

1.8

1.8

2.0

2.0

2.0

2.0

2.0

2.0

2.1

2.1

2.3

2.3

2.3

2.3

2.3

2.3

10

10

10

10

10

10

10

10

4.76

4.76

8.5

8.5

8.5

8.5

4.76

1.53

15

20

30

38

25

25

14

3.5

TLRV1022(T14, F)/(T15, F)

TLRMV1022(T14, F)/(T15, F)

TLSV1022(T14, F)/(T15, F)

TLOV1022(T14, F)/(T15, F)

TLAV1022(T14, F)/(T15, F)

TLYV1022(T14, F)/(T15, F)

TLGV1022(T14, F)/(T15, F)

赤赤赤橙黄褐黄緑純緑

@Ta = 25˚C

単位： mm

1.アノード2.カソード公差： ±0.05

品　　番分　類 発光色ドミナント波長λd標準(nm)＠IF = 5 mA

直流順電圧 VF(V)＠IF = 5 mA

標準 最大 標準最小

逆電流 IR(μA)＠VR = 4 V

最大

光度IV (mcd)＠IF = 5 mA 対応可能な

ランク

✩✩✩

✩

✩✩

✩

✩

JK

JK

KL

KL

KL

KL

JK

FG

#

#

#

#

#

#

#

#

TL Vシリーズ(InGaA P)

TL□V1022

✩： 防湿梱包品#： 対応可能なランクにつきましては、2ランク分類が基準となりますが、詳細は当社担当営業までお問合わせいただきますようお願いいたします。

携帯端末用ワンセグOFDM復調IC

デジタルテレビ受信用IC

外形寸法

15

低消費電力で明るい表示を実現でき、機器の小型化にも貢献できる白色LEDドライバシリーズ。携帯電話などの液晶パネルのバックライトやカメラのフラッシュ(補助光)に用いる白色LEDを高効率で駆動できます。スイッチング方式DC/DCコンバータ、チャージポンプ方式DC/DCコンバータ共にサポートいたします。

● 小型パッケージの採用： SOT23-6/PLPパッケージ● 高効率： 85%以上(スイッチング方式)● 低ノイズ： インダクタレス(チャージポンプ方式)● 多機能： アナログ調光 ● システムインテグレーションマルチ出力対応(チャージポンプ方式)● 高品質： 保護機能搭載(OVD機能)● 高精度： 出力電流 ±5%

■ ラインアップ

品　番 開発状況

温度補償回路内蔵

小型ドライバ

アナログ調光/OVD機能

高効率/アナログ調光

OVD機能/高効率

PWM調光/高効率

PWM調光/OVD/高効率

大電流版(最大800 mA)

多灯対応(最大8灯)

OVD電圧 = 31.5 V(標準)

中型サイズLCDバックライト

量産中

量産中

量産中

量産中

量産中

量産中

量産中

開発中

量産中

量産中

量産中

TB62731FUG

TB62732FUG

TB62734FUG

TB62736FUG

TB62737FUG/FPG

TB62756FUG

TB62757FUG/FPG

TB62750FTG

TB62752AFUG/TB62755FPG

TB62752BFUG

TB62754AFNG

スイッチング方式ドライバIC チャージポンプ方式ドライバIC

特　長 品　番 開発状況

5V定電圧出力タイプ 量産中TCA62753FUG

特　長

バイパスMOSFETと高効率、小型、同期整流方式降圧レギュレータを内蔵した携帯電話パワーアンプ用電源ICシリーズです。CDMAおよびW-CDMAパワーアンプの効率を最適化し、バッテリ寿命を延ばすことが可能です。

● 小型パッケージの採用● 高効率： 80%以上● 低RonバイパスMOSFET内蔵● 可変出力電圧出力● 高品質： 保護機能搭載

■ ラインアップ

品　番 特　長 開発状況

小型リファレンス製品 量産中TB62504FMG

■ 特長

■ 特長

※ 非昇圧型定電流タイプのドライバICもご用意しております。

LCDバックライト用白色LEDを高効率駆動

白色LEDドライバIC

パワーアンプの効率を最適化

携帯電話(CDMA)パワーアンプ用電源IC

16

2.8 × 1.9 × 2.5 mm

● 超小型、表面実装型パッケージ・サイズ： 2.8 × 1.9 × 2.5 mm ⇒ 従来品(TLP846)との体積比は50%・検出溝幅： 1.2 mm ⇒ 溝幅は従来品(TLP846)レベルを維持

● 高変換効率： IC/IF = 3～24%● 鉛フリーリフロー実装対応品

■ 特長

■ 特長

デジタルカメラ、ビデオカメラやカメラ付き携帯電話の光学ズーム、AFレンズ位置検出に最適です。

TPS856は、フォトダイオードと電流増幅回路および視感度補正機能を内蔵したフォトICです。高感度で且つ周囲の明るさに比例した出力が得られ、また光源別による出力感度差が小さいことが特長です。従来シリーズに比べ低電圧駆動が可能となり、また新たに付加したスタンバイ端子を利用することで、フォトIC自身の待機時の消費電力を削減することが可能です。省エネデバイスとして機能をさらに強化した一品ですので、各種表示機器や自動運転機器の省電力化に貢献します。

● 小型・薄型表面実装型パッケージ： 1.6 mm × 1.6 mm × 厚さ0.55 mm(標準)● フォトダイオードと電流増幅回路を1チップ化したリニア出力型● 高感度： 光電流(IL)= 40～80 μA @EV=100 lX、蛍光灯照射時● 光源別(IL @白熱灯/IL @蛍光灯)の出力感度差が小さい： 光源比 =1.0倍(標準)● 低電圧駆動： VCC =1.8～5.5 V● スタンバイ機能を内蔵● シリコン(Si)をチップ材料に使用しており、CdSセルからの置換えが可能● 鉛フリー対応品

■ 比較一覧

1.6× 1.6 × 0.55(t)

2.1× 2.0 × 0.7(t)

1.6× 1.6 × 0.55(t)

2.7～ 5.5

2.2～ 5.5

1.8～ 5.5

TPS852

TPS853

TPS856

Low → High

Low → High

High→ Low

1.2倍(標準)

1.2倍(標準)

1.0倍(標準)

なし

あり

あり

パッケージサイズ(mm) 電源電圧(V) スタンバイ機能品　番

27～ 54

37～ 74

40～ 80

光電流(μA)@EV =100 IX蛍光灯照射時

光電流の光源比(白熱灯対蛍光灯)

出力ロジック(光無→光有)

● 従来製品TPS852、TPS853と新製品TPS856の比較一覧です。

カラー液晶モニタ＆keyバックライト自動輝度調光用途に最適

照度検知用表面実装型フォトIC： TPS856

携帯用カメラモジュールに搭載可能な小型化を達成

小型・表面実装型フォトインタラプタ： TLP848

17

(3×3×4 mm) (3×3×2 mm) (3×3×1 mm) (2×2×2 mm)(2×2×1 mm)(2×2×2 mm)

磁石サイズ

検知距離

(mm

)

14

13

12

11

10

9

8

7

01

1

3

3

TCS10/11シリーズ

TCS10/11シリーズ

0.7±

0.05

0.16

+0.0

6-0

.05

2.1 ± 0.1

1.7 ± 0.1

2.0±

0.1

1.3±

0.1

0.65

0.65

0.3

+0.1

-0.0

5

1 5

4

2

3

TCS10SPUTCS10SLUTCS11SLUTCS10NPUTCS10NLUTCS11NLUTCS10DPUTCS10DLUTCS11DLU

S極

N極

S極およびN極

プッシュプルオープンドレイン出力反転、オープンドレインプッシュプルオープンドレイン出力反転、オープンドレインプッシュプルオープンドレイン出力反転、オープンドレイン

UFV(2.0×2.1×0.7 mm*)

* SC-88A類似

高感度性能による設計の自由度に貢献します

横方向のシフトで検知できる範囲

*センサとマグネット距離： 4mm

*マグネット材質: Nd type *マグネット材質: Nd type

マグネットサイズに対するセンサ/マグネット距離

センサ、マグネットが横方向にシフトを想定マグネットが小型になり、磁力が小さくなった場合を想定

■ 応用データ

● 垂直方向の磁束密度を検知します。● デジタル信号で出力します。● 動作 : N極、またはS極の単極検知

N極およびS極の両極検知

単位： mm

単位： mm

UFV (SC-88A類似) 製品名付与法 a: 東芝磁気センサ

d: 出力構造 P: プッシュプル L : オープンドレイン

e: パッケージタイプ U: UFV (SC-88A類似)

b: 製品特徴 10: 高感度製品 11: 高感度および出力反転製品

C: 検知極タイプ S: S極検知 N: N極検知 D: S極 および N極検知

TCS 10 D P Ua b c d e

■ 両極(S/N極)検知タイプ

電源電圧

消費電流 (VCC = 2.3～2.7 V)

出力構造

磁束感度

項　目

プッシュプル、オープンドレイン (5 Vトレラント)

平均消費電流 = 8.5 μA (標準)

BON = 1.8 mT (標準)BOFF = 0.8 mT (標準) ヒステリシス、 BH = 1.0 mT (標準)

VCC = 2.3～3.6 V特　性 (TCS10DPU, TCS10DLU, TCS11DLU)

■ ラインアップ製品名 検知極 出力構造 パッケージ

開閉機能のあるセットに最適な磁気センサ特性を実現

デジタル出力磁気センサ： TCS10/11シリーズ

18

VCCA COMMON

GNDCh1 Ch0

VCCA OUT/IN

GNDIN/OUT NC

1.50

1.15

0.45 0.45

0.38

30

20

10

01 10

Capacitance(pF)

IEC

6100

0-4-

2C

onta

ct(k

V)

100

スタンダード

ハイスピード

ESDレベル同等

ウルトラハイスピードDF2S6.8UFS2pF(最大)

スーパーハイスピード

108642

2

4

6

8

10

電圧(V)

電流(mA)

－10

－8

－6

－4

－20－2－4－6－8－10

Sig

nal l

evel

降伏電圧

降伏電圧

0V

コネクター

コネクター

IC

GND

信号ライン

ESD保護用ダイオード

小型低オン抵抗アナログスイッチ

ESD保護用ダイオード

■ 主な仕様

■ パッケージ

I-V 特性降伏電圧逆電流

ESDイミュニティレベル端子間容量パッケージ

6.8 V(標準) @IR = 5 mA0.5 μA(最大) @VR = 5 V≧±8 kV @IEC61000-4-2 (接触放電)15 pF(標準) @VR = 0 V, f = 1 MHzfSC ： 1.0 × 0.6 × 0.48 mm

有効信号範囲

インタフェース保護

CST6C パッケージ

TCFS201FC SPDT

● オン抵抗平たん度: RON-flatness = 0.5 Ω(標準)@ VCC = 3.6 V● 低オン抵抗: RON = 1.9 Ω(標準)@ VCC = 3.6 V● 動作電源電圧: VCC = 1.65～3.6 V● 小型パッケージ： CST6C 1.15 × 1.5 × 0.38 mm

TCFS101FC SPST

● オン抵抗平たん度: RON-flatness = 0.3 Ω(標準)@ VCC = 3.6 V● 低オン抵抗: RON = 0.8 Ω(標準)@ VCC = 3.6 V● 動作電源電圧: VCC = 1.65～3.6 V● 小型パッケージ： CST6C 1.15 × 1.5 × 0.38 mm

■ 使用例

オーディオ信号の保護用に最適■ DF2B6.8FS　双方向ESD保護用ダイオード

高速伝送アプリケーションに最適(例 USB2.0)

■ DF2S6.8UFS 低容量でも高いESDイミュニティレベル

項　目 規格/測定条件

■ 主な仕様

定格電圧 (VRWM)逆電圧 (VR)逆電流 (IR)

端子間容量 (CT)順方向降伏電圧

ESDイミュニティレベルパッケージ

5.0 V(最大)6.8 V(標準) @IR = 1 mA0.5 μA(最大) @VRWM = 5 V2 pF (最大) @VR = 0 V, f = 1 MHz25 V (標準)≧±8 kV @IEC61000-4-2 (接触放電)fSC ： 1.0 × 0.6 × 0.48 mm

項目 (記号) 規格/測定条件

19

オン抵抗

(mΩ

)

ドレイン電流 ID(A)

00

50

100

150

200

－2 －4 －6 －8 －10

VGS =－1.8 V

VGS =－1.5 V

VGS =－2.5 V

VGS =－4.0 V

オン抵抗

(mΩ

)

ドレイン電流 ID(A)

00

50

100

2 4 6

VGS = 1.8 V

VGS = 1.5 V

VGS = 2.5 V

VGS = 4.0 V

5NC

CONTROL GND

VOUT

VIN

0.1 μF

1.0 μF

1 2 3

4

1.6±0.05

5

4

0.5

1.6±

0.05

1.2±0.05

0.2±

0.05

0.5

1

2

3

0.55

±0.

05

0.12

±0.

05

小型電源用デバイス: MOSFET/CMOS-LDO

高性能ロードスイッチ用 P-ch MOSFET　SSM3J120TU

超小型パッケージ汎用CMOS-LDO　TCR5SCxxFE

高性能ロードスイッチ用 N-ch MOSFET　SSM3K123TU

● 1.5 V operative● 超低オン抵抗 P-ch MOSFET● 絶対最大定格VDSS = －20 VVGSS = ±8 VID = －4A

● 主要特性Ron = 38 mΩ 最大 @VGS = －4.0 VRon = 49 mΩ 最大 @VGS = －2.5 VRon = 140 mΩ 最大 @VGS = －1.5 VCiss = 1484 pF 標準 @VDS = －20 V

● Small Power UFM package 2.0 × 2.1 × 0.7 mm

■ パッケージ ■ 端子レイアウト

Controllevel

High ONLow OFF

Operation

● 出力電流: IOUT (最大) = 150 mA● ドロップ電圧: Vdrop = 90 mV (標準) @ IOUT = 50 mA,

TCR5SC25FE● 消費電流: IB (標準) = 32 μA @ IOUT = 0 mA● リップルリジェクション: R.R. (標準) = 70 dB @ f = 1 kHz

● 出力雑音電圧: VNO (標準) = 100 μVrms @ IOUT = 10 mA ● 出力電圧ラインアップ： 1.5 V～3.6 V (0.1 V step)● 過電流保護回路● 小型パッケージ(ESV)

単位： mmESV

● 1.5V operative● 超低オン抵抗 N-ch MOSFET● 絶対最大定格VDSS = 20 VVGSS = ±10 VID = 4.2 A

● 主要特性Ron = 28 mΩ 最大 @VGS = 4.0 VRon = 32 mΩ 最大 @VGS = 2.5 VRon = 66 mΩ 最大 @VGS = 1.5 VCiss = 1010 pF 標準 @VDS = 10 V

● Small Power UFM package 2.0 × 2.1 × 0.7 mm

システムカタログモバイルソリューション

モバイルソリューション

新潟電子デバイス営業担当 首 都圏半導体特約営業部長野電子デバイス営業部北陸電子デバイス営業部　 電 子デバイス福 井 担 当中部電子デバイス営業部関 西 半 導 体 特 約 営 業 部中国電子デバイス営業部 九 州 電 子デバイス営業部

(025)246-8250(03)3257-5666(0263)35-6642(076)224-2900(0776)24-4739(052)564-8721(06)6440-2211(082)212-3671(092)735-3005

SCJ0008F

旧版 SCJ0008E2008-9(3k)PC-DQ

2008/04/01

当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入者側の責任において､機器の安全設計を行うことをお願いします｡なお､設計に際しては､最新の製品仕様をご確認の上､製品保証範囲内でご使用いただくと共に､考慮されるべき注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣､｢半導体信頼性ハンドブック｣などでご確認ください｡　021023_A

本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家電機器など）に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器（原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など）にこれらの製品を使用すること（以下“特定用途”という）は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用することは、お客様の責任でなされることとなります。021023_B

本資料に掲載されている製品を、国内外の法令、規則及び命令により製造、使用、販売を禁止されている応用製品に使用することはできません。　060106_Q

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本資料に掲載されている製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制するRoHS指令などの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。 お客様が適用される法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。　060919_Z

本資料に掲載されている製品のうち外国為替及び外国貿易法により、輸出または海外への提供が規制されているものがあります。　021023_F

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本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。021023_D

2008-9

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2008