UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICAE.A.P DE INGENIERIA ELECTRONICA

DOCENTE: ING. PARETO PRESENTADO POR : YAGUA HUAMAYALLI, JUAN JOSE 11190027 ASIGNATURA : TEMA : NUMERO DE INFORME: LIMA PERU2014

EXPERIMENTO N06I.-TEMA.-EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP:CARACTERISTICAS BASICASII.-OBJETIVOS1.-Vereificar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar.2.-Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNPII.-CUESTIONARIO PREVIO1.-Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar.2.-De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares 3.-Determinar el punto de operacin del circuito de operacin del circuito del experimentoIV.-MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO1.-Multimetro2.-Un miliampermetro3.- Un micro ampermetro4.-Un voltmetro de C.C5.-Un transistor 6.-Un osciloscopio7.-ResistoresRe=350, Rc=820,R1= 47K,R2=22k8.-CondensadiresUna fuente de CC variable10.- Cables conectores(tres coaxiales )11.-Un potencimetro12.- Una placa con zcalo de 3 terminales12.-Dos placas con zcalo de 2 terminales

V.-PROCEDIMIENTO1.-Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro .Llenar la tabla1RESISTENCIADIRECTA()INVERSA()

BASE-EMISOR398.8 2.817K

BASE-COLECTOR285.4 1.515K

COLECTOR-EMISOR17.4K 5.8K

2.-Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el (PI=0)b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce),entre la base-emisor(Vbe, y entre emisor-tierra(Ve)c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2d) Cambiar R1 a 68K,repetir los pasos (a)y (b)Y anotar los datos en la Tabla 3(por ajuste de P1)e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K,250 K,500 K y 1M.. Obsrvese lo que sucede con las corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce. Llenar la Tabla.3.-Ajustar el generador de seales a 50 mv-pp, 1K Hz, onda senoidal. Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4TABLA 2Valores(R1=47K)Ic(mA)Ib(A)Vce(v)Vbe(v)Ve(v)

Tericos

Medidos7.1 mA44 A-3.53v-0.32-2.98

TABLA 3Valores(R11=70K)Ic(mA)Ib(A)Vce(v)Vbe(v)Ve(v)

Tericos

Medidos5.5 mA30 A-5.49v-0.312v-1.967v

TABLA 4TABLAVi(mv.pp)Vo(v.pp)AvVo(sin Ce)Av(sin Ce)

2(Q1)

3(Q2)

TABLA 5P1147 K297 K547 K1015K

Ic(mA)101.20.40.1

Ib(A)18.57.62.62.0

Vce(v)-9.52-10.67-11.52-11.89

VI.-CUESTIONARIO FINAL1.-Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa con el Ohmmetro2.-Representar la recta de carga en un grafico Icvs Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondiente a las tablas 2 y 33.- En que regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 34.-Qu sucede con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120 K5.-Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 46.-Esponer sus conclusiones acerca del experimento