componentes electronicos. (1)

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    1. DEFINICIN.

    2. CLASIFICACIN.

    3. MEDIDAS E IDENTIFICACIN.

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    1. DEFINICIN.

    Electrnica. Estudio y aplicacin del comportamiento

    de los electrones en diversos medios materialesy vaco, sometidos a la accin de campos

    Elctricos y Magnticos.

    Se suelen usar tensiones e intensidades

    relativamente ms pequeas que en Electricidad.

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    2.1. COMPONENTES ELECTRNICOS PASIVOS.

    2.2. COMPONENTES ELECTRNICOS ACTIVOS.

    NO SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LACORRIENTE ELCTRICA

    S SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LACORRIENTE ELCTRICA

    2. CLASIFICACIN.

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    RESISTENCIAS.

    CONDENSADORES.

    BOBINAS.

    OTROS: Usados como sensores u osciladores.

    COMPONENTES DEPENDIENTES DE LA TEMPERATURA OLA LUZ.

    NTC. Coeficiente negativo de Temperatura.

    PTC. Coeficiente positivo de Temperatura.

    LDR. Resistencia dependiente de la Luz.

    COMPONENTES PIEZOELCTRICOS:

    RESONADORES DE CRISTAL.

    2. 1. COMPONENTES ELECTRNICOSPASIVOS.

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    CIRCUITOS INTEGRADOS.

    2. 2. COMPONENTES ELECTRNICOSACTIVOS.

    LINEALES. REGULADORES.

    OPERACIONALES.

    SEAL ANALGICA

    NO LINEALES.SEAL DIGITAL

    PUERTAS LGICAS.

    COMBINACIONALES.

    MEMORIAS.

    MICROPROCESADORES.

    MICROCONTROLADORES.

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    3. MEDIDAS E IDENTIFICACIN.

    Componentes a tratar: Resistencias.

    Condensadores.

    Bobinas.

    Diodos.

    Transistores.

    Circuitos Integrados.

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    3.1. RESISTENCIAS ELCTRICAS.

    Su valor depende de los siguientes parmetros:

    Material.

    Longitud.

    Seccin.

    Componente que ofrece una oposicin al paso de la corriente elctrica, ya sea

    corriente alterna o continua.

    Smbolo:

    R

    LR =

    S

    Coeficiente de Resistividad.

    L Longitud.

    S Seccin.

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    3.1. RESISTENCIAS ELCTRICAS.(Continuacin)

    1.0Ohm_5%

    R

    V112 V V

    R=

    IRelacin entre la d.d.p y la

    Intensidad.

    Magnitud de medida: OHMIO. Segn la Ley de Ohm, representa:

    Mltiplos:Ohmio.

    Kilo Ohmio K

    Mega Ohmio M

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    SERIE.

    PARALELO.

    MIXTO.

    3.1.1. ASOCIACIONES de RESISTENCIAS.

    R1 R2 RE

    R1

    R2

    RE

    R2

    R3

    R4R1

    R1 x R2Re = R1 + R2

    Re = R1 + R2

    Re = Hay que analizar elcircuito y aplicar relacionesserie/paralelo particulares.

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    3.1.2. CDIGO DE COLORES.

    COLOR NOMBRE VALOR

    NEGRO 0

    MARRN 1

    ROJO 2

    NARANJA 3

    AMARILLO 4VERDE 5

    AZUL 6

    VIOLETA 7

    GRIS 8

    BLANCO 9

    NADA 20%PLATA 10%ORO 5%

    R = a b 10c

    PRIMERA CIFRA SIGNIFICATIVA (a).

    SEGUNDA CIFRA SIGNIFICATIVA (b).

    FACTOR DE MULTIPLICACIN (C).

    TOLERANCIA EN % (X).

    En este caso R = 6.500 5%

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    3.1.3. CLASIFICACIN DE LAS RESISTENCIAS.

    Fijas

    Variables

    Metlicas.

    Carbn.

    Ajustables.

    Potencimetros.

    Lineales

    Respuesta Lineal. R=Cte.

    No Lineales

    Respuesta no Lineal. R Cte.

    Dependientes de la Temperatura

    Dependientes de la Luz.

    Dependientes de la Tensin.

    NTC y PTC

    LDR

    VDR

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    Dispositivos utilizados para el almacenamiento de cargas elctricas.

    Comportamiento diferente segn el tipo de corrienteAlterna o Continua.

    Constituido por dos placas conductoras o armaduras y entre ellas un aislante o dielctrico. Para uncondensador plano:

    3.2. CONDENSADORES.

    SC =

    d

    Permitividad del Medio Dielctrico.S Superficie de las Armaduras.d Separacin entre Armaduras.

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    3.2. CONDENSADORES.(Continuacin)

    Magnitud de medida: FARADIO (Unidad de CapacidadElctrica).

    Sometidas las Armaduras de un CONDENSADOR a una diferencia de potencial de 1

    Voltio, estas adquieren una carga de 1 Culombio

    QC = VCCapacidad.Q Carga 1 Culombio = 1 Ampere/Segundo.V d.d.p. entre Armaduras.

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    3.2. CONDENSADORES.(Continuacin)

    miliFaradio mF. 10-3 F. 0,001F.microFaradioF. 10-6 F. 0,000001F.nanoFaradio nF. 10-9 F. 0,000000001F.picoFaradio pF. 10

    -12

    F. 0,000000000001F.

    El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan Submltiplos:

    TIPOS DE CONDENSADORES:

    NO POLARIZADOS:

    SI POLARIZADOS:

    Independiente del sentido de la corriente.

    Dependientes del sentido de la corriente.

    Electrolticos y Tntalo.

    Cermicos, Polister, Mica, etc.

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    SERIE.

    PARALELO.

    MIXTO.

    3.2.1. ASOCIACIONES de CONDENSADORES.

    C1 C2 CE

    C1

    C2

    CE

    C1 x C2Ce =

    C1 + C2

    Ce = C1 + C2

    C2

    C3

    C1 C4

    Re = Hay queanalizar el circuito yaplicar relacionesserie/paraleloparticulares.

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    Componente formado por una serie de espiras arrolladas. Almacenan energa en forma de campo magntico. Se oponen a los cambios bruscos de corriente.

    A bajas frecuencias tienen una baja resistencia o inductancia. A altas frecuencias tienen una alta resistencia o inductancia.

    Unidad de medida el Henrio (H). Su valor depende de: Nmero de espiras. A mayor nmero de vueltas mayor inductancia. Dimetro de las espiras. A mayor dimetro mayor inductancia. Longitud del hilo y naturaleza. Tipo de material del ncleo. Aire, ferrita, etc.

    Se aplican como filtros de corriente alterna y transformadores.

    3.3. INDUCTANCIAS O BOBINAS.

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    SERIE.

    PARALELO.

    MIXTO.

    3.3.1. ASOCIACIONES de BOBINAS.

    L1 x L2Le =

    L1 + L2

    Le = L1 + L2

    Le = Hay que analizarel circuito y aplicarrelacionesserie/paraleloparticulares.

    L1 L2 Le

    L1

    L2

    Le

    L1 L4

    L2

    L3

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    3.4. DIODO.

    Componente formado por la unin de dos materiales semiconductores,uno tipo N y otro tipo P.Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento.

    Germanio Z = 0,3 Voltios. Silicio Z = 0,6 Voltios.

    La zona P se llama nodo (A).

    La zona N se llama Ctodo (K).

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    3.4.1. POLARIZACIN DIODO.

    Un diodo puede funcionar de dos maneras:POLARIZACIN DIRECTA.

    Cuando la corriente que circula por este sigue la ruta de la flecha,es decir del NODO al CTODO.

    Se comporta como un CONTACTO CERRADO, con una cada detensin de 0,7 Voltios.

    POLARIZACIN INVERSA.

    Cuando la corriente DESEA CIRCULAR en sentido opuesto a la flecha,

    es decir del CTODO al NODO.

    Se comporta como un CONTACTO ABIERTO, existiendo una tensinmxima o de ruptura.

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    3.4.2. RECTIFICADORES.

    APLICACIN DE LOS DIODOS COMO RECTIFICADORES.

    Conversin de una corriente alterna C.A. en corriente continua C.C.

    Segn su configuracin pueden ser de media onda o de onda completa.Media Onda. ( Un Diodo) Onda Completa. (Puente Diodos)

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    3.5. TRANSISTOR.

    Formado por la unin de tres materiales semiconductores. Segn lacombinacin N yP hay dos tipos de transistores. Denominndose sus

    terminales como Base (B), Emisor (E) y Colector (C).

    TRANSISTOR NPN.

    TRANSISTOR PNP.

    La palabra Transistor viene de Transfer Resistor oresistencia detransferencia, elemento que se comporta como una resistencia variableque depende de una seal elctrica de control .

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    3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS

    Operacionales.

    Reguladores y Estabilizadores. Lineales

    Manejan seales

    ANALGICAS.

    No Lineales Puertas lgicas.

    Combinacionales, etc.Manejan seales

    DIGITALES.

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    3.6.1. C.I. LINEALES.

    LOS OPERACIONALES

    Denominados as porque se pueden realizar varias operacionesaritmticas y de clculo sobre voltajes analgicos.

    Su funcin bsica es amplificar la diferencia entre dos voltajes de entrada.

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    3.6.2. C.I. NO LINEALES. PUERTAS LGICAS.

    Los circuitos integrados con puertas lgicas, se clasifican en dos familias:

    CIRCUITOS TTL (TransistorTransistorLogic).

    CIRCUITOS CMOS (Metalxido).

    T.T.L. CMOS

    Tensin Alimentacin +5 V. +3 a 15 V.

    Temperatura de trabajo 0C a 70C -40C a +85C

    Valor Nivel Alto De 2 a 5 V. 70% V. Alim.

    Valor Nivel Bajo De 0 a 0,8 V. 30% V. Alim.

    Tiempo Propagacin por Puerta a +5V. 10 nS. 35 nS.

    Margen Ruido Tpico 0,4 V. ~ 40% V. Alim.

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    3.6.3. PUERTAS LGICAS T.T.L.

    Los ms comunes utilizados son:

    INVERSORES AND NAND

    EXOR OR NOR

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    3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES.

    Los circuitos integrados combinacionales, se forman a partir de la

    combinacin de varias puertas lgicas. Los ms destacables son:

    REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO.

    CIRCUITOS FLIPFLOP O BSCULAS. Aplicables a Marcha / Paro.

    OSCILADORES. GENERADORES DE ONDA. TEMPORIZADORES.

    CIRCUITOS CONTADORES (Decimales o Binarios).

    CONVERSORES DE CDIGO. (De Binario a BCD, 7 Segmentos, etc.)

    CONVERSORES DE SEAL. (A / D D / A).

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    3.6.5. MEMORIAS.

    Las memorias comprenden una serie de circuitos integrados, que tienen

    como objetivo almacenar datos. Se clasifican segn los tipos:

    ROM

    Memoria de solo lectura. Grabadas en fbrica. RAM

    Memoria de lectura y escritura.

    EPROM

    Memoria con contenido ROM + RAM.

    Se borran mediante Luz Ultravioleta a travs de una ventana . EEPROM

    Memoria con contenido ROM + RAM.Se borran elctricamente. Reprogramables ~ 106 veces.

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    3.6.6. MICROPROCESADORES.

    Los microprocesadores se caracterizan por tener una Unidad Cental de

    Proceso (UCP) y una Unidad Lgico Aritmtica (ALU).

    UCP

    La Unidad de Control interpreta unas instrucciones desde un BUSde Direcciones y las ejecuta desde un BUS de Datos.

    ALU

    Encargada de realizar procesos matemticos, como sumar Bytes,rotarlos, desplazarlos, etc.

    Los microprocesadores estn constituidospor millares de transistores en un chip yrealizan una determinada funcin de loscomputadores electrnicos digitales.

    Chip con 100 millones de transistores.

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    3.6.7. MICROCONTROLADORES.

    Los microcontroladores se caracterizan por tener en su interior el

    Microprocesador y la Memoria.

    Son, los ms habituales, reprogramables electricamente (EEPROM).

    Es un computador completo, de limitadas prestaciones, que est contenidoen un chip, y que se destina a gobernar una sola tarea.

    PERIFRICOS

    PERIF

    RICOS

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