beni purwanto

8/6/2019 Beni Purwanto

1/17

LAPORAN PRAKTIKUM

L A B O R A T O R I U M E L E K T R O N I K A D A Y A

JUDUL PRAKTIK : MOSFET

N a m a : Beny Purwanto

N I M : 08 612 083

Kelompok / Kelas : D2 / VID

Tanggal Praktik : SELASA, 29 MARET 2011

PROGAM STUDI TEKNIK LISTRIK

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI SAMARINDA

2011


2/17

MOSFET

1 . T U J U A N Mengukur bergagai kondisikarakteristik MOSFET

2 . Dasar TeoriSimbol sirkuit

Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk saluran

dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali sejajar

dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis

digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan.

Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal

dengan panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N,

sehingga NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk

kedalam (dari badan ke kanal). Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya

dilakukan) terkadang saluran badan dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan

meninggalkan transistor. Jika badan tidak ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada

desain IC desain karena umumnya badan bersama) simbol inversi kadang-kadang

digunakan untuk menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber dapat digunakan

dengan cara yang sama seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk untuk

PMOS).


3/17

Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan internal ke

sumber. Ini adalah konfigurasi umum, namun tidak berarti hanya satu-satunya konfigurasi.

Pada dasarnya, MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak

MOSFET yang berbagi sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber

semua transistor.

Operasi MOSFET

Struktur SemikonduktorLogamOksida

Struktur semikonduktorlogamoksida sederhana diperoleh dengan

menumbuhkan selapis oksida silikon diatas substrat silikon dan mengendapkan selapis

logam atau silikon polikristalin. Karena oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur

MOS serupa dengan kondensator planar dengan salah satu elektrodanya digantikan

dengan semikonduktor.

Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah

penyebaran muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah semikonduktor tipe-p

(dengan NA merupakan kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan

netral), sebuah tegangan positif VGB dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan

dengan memaksa lubang bermuatan positif untuk menjauhi antarmuka gerbang-

isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah bebas pembawa. Jika VGB cukup tinggi,

kepadatan tinggi pembawa muatan negatif membentuk lapisan inversi dibawah

antarmuka antara semikonduktor dan isolator. Umumnya, tegangan gerbang dimana

kepadatan elektron pada lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan

disebut tegangan ambang. Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET

tipe-n, yang mana membutuhkan penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.


4/17

Struktur MOSFET dan formasi kanal

Sebuah transistor efek-medan semikonduktorlogamoksida (MOSFET) adalah

berdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS diantara elektroda

badan dan elektroda gerbang yang terletak diatas badan dan diisolasikan dari semua

daerah peranti dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah

sebuah oksida, seperti silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti

mungkin disebut sebagai FET semikonduktor logamterisolasi (MISFET) atau FET

gerbangterisolasi (IGFET). MOSFET menyertakan dua salu ran tambahan yaitu sumber dan

cerat yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari daerah

badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus dari

tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat

yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah

yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.

Jika MOSFET adalah berupa kanal-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah

daerah 'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan diatas, dengan

tegangan gerbang yang cukup, diatas harga tegangan ambang, elektron dari sumber

memasuki lapisan inversi atau kanal-n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida.

Kanal yang menghantar ini merentang diantara sumber dan cerat, dan arus dialirkan

melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan diantara sumber dan cerat.

Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya

sedikit arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.


5/17

Referensi MosfetS


6/17


7/17


8/17


9/17


10/17


11/17


12/17


13/17

3. PERLENGKAPAN

1 DL 2608 MOSFET

1 DL 26 bridge three-phase rectifier

1 DL 2613 power supply

1 DL 2614 Voltage reference generator

1 DL 2626 Mains transformator

1 DL 2527 Capacitor

1 DL 2628 Super fast fuse (3x6.3 A)

1 DL 2635 Universal load

2 DL 2109T33 true rms meter

4. GAMBAR RANG KAIAN

5.

LANGKAH PERCOBAAN

Rangkailah rangkaian sesuai dengan gambar rangkaian dengan beban resistor 300

1. Sambungan

Sambungkan voltage reference generator DL 2614 ke power suplly ,+15\//0/-r5V

Sambungkan output U0 dari voltage generator ke mosfet dan 0 V ke sumber


14/17

2. Setingan dasar

2.1. Voltage reference generator DL 2614

EXT/I NT switch di INT posisi

(0/+10V)(0/10v) switch di posisi (0/+10V)

set nilai potensiometer ke 0 V

2.2. Beban

Untuk membuat kondisi kerja yang berbeda diperlukan membuat sambungan

yang sesuai dari sumber positif dan ke beban resistif. Seperti yang ditunjukkan

pada gambar di bawah ini

Disarankan untuk memtuskan sumber tegangan sebelum membuat

perubahan pada rangkaian beban.

2.3. Pengukur

Set AV/AC+DC measuremet untuk voltmeter P1 dan ammeter P2

Voltmeter P1: batas ukur 300 V.

Ammeter P2: batas ukur 3 A (1 A)


15/17

2.4. Mosfet

Sambung rangkaian RCD suppressor

3. Suplai sumber ke rangkaian: voltmeter P1 mengindikasikan 120 V yangmenandakan mosfet tidak berkunduktansi. Atur tengangan U0 ke 10 volt maka

mosfet berkonduktansi. Voltmeter P1 mengindikasikan hampir 0 V dan ammeter

P2 menujukan besar arus yang mengalir.

4. Pengukuran Tegangan dan ArusMengukur:

4.1 Tegangan UDS antara drain dan sumber pada mosfet diukur oleh voltmeter P1diatur ke batas ukur 3 V

4.2 Arus ID pada mosfet diukur oleh ammeter P2

Masukkan hasil pengukuran untuk masing-masing beban resistif ke tabel dan

hitung daya hilang Pon di peralatan pada tiap kondisi

R () 300 200 100 50 33

UDS (mV) 32 45 85 152 226ID (A) 0,53 0,7 1,03 2,09 3,06

Pon (W) 0,0098 0,024 0,086 0,33 0,71


16/17

Gambar karakteristik dari berbagai keadaan pada mosfet

6. ANALISA DATA

Pada kondisi R = 300V

R=1

0,032= ____0,53

= 0,06

Pada kondisi R = 200V

R=1

0,045= ____

0,7

= 0,064


17/17

. Pada kondisi R = 100

V

R=1

0,085

= ____1,03

= 0,082


V

R=1

0,152= ____

2,09

= 0,072


V

R=1

0,226= _____

3,06

= 0,073

7. KESIMPULAN

Dari hasil paraktek dapat disimpulkan bahwa bemakin besar beban (R), maka daya

yang diserap oleh mosfet (PON) akan semakin besar dan semakin besar beban (R),

maka tahanan dinamis (RD) akan semakin kecil

beni purwanto

Documents