silicio, germanio y galio

Nombre : Ary Jared Zarate FaríasCiclo : VICarrera : Ingeniería de Sistemas e Informática

Y después colocamos líneas imaginarias y tenemos la estructura cúbica centrada en las caras.

En el ión de silicio, colocamos cuatro palillos, partiendo delcentro del ión, cada palillo se dirija hacia un vértice de un tetraedro imaginario

En cada palillo clavamos un ión de oxígeno, y ya tenemos el tetraedro de silicio.

CARACTERISTICAS DEL SILICIO

Nombre

Numero Atómico

Punto de Ebullición (°C)Punto de Fusión (°C)Densidad (g/ml)

Configuración Electrónica

Valencia

Masa atómica (g/mol)

Símbolo

SILICONA

Circuitos integrados analógicos

Circuitos integrados digitales

FERTILIZANTE DE SILICIO

DIODO

Aleación cubierta de silicio

Vidrio

Estructura cristalina:•cúbica centrada en las caras•Dimensiones de la celda unidad / pm: a=565.754•Grupo espacial: Fd3m

Nombre

Numero Atómico

Punto de Ebullición (°C)Punto de Fusión (°C)Densidad (g/ml)

Configuración Electrónica

Valencia

Masa atómica (g/mol)

Símbolo

Fibra óptica

Espectroscopios

amplificadores

Estructura cristalina:•Ortorrómbica centrada en las bases•Dimensiones de la celda unidad / pm: a=451.86, b=765.70 , c=452.58•Grupo espacial: Cmca

Nombre

Numero Atómico

Punto de Ebullición (°C)Punto de Fusión (°C)Densidad (g/ml)

Configuración Electrónica

Valencia

Masa atómica (g/mol)

Símbolo

Fibra óptica

Espectroscopios

amplificadores