projeto de fontes chaveadas - armando cavero miranda
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Projeto de Fontes Chaveadas
Universidade Federal de Santa CatarinaUniversidade Federal de Santa CatarinaDepartamento de Engenharia ElétricaDepartamento de Engenharia Elétrica
Instituto de Eletrônica de PotênciaInstituto de Eletrônica de Potência
Prof. AlexandreProf. Alexandre FerrariFerrari de Souza, Dr.de Souza, Dr.
ProgramaPrograma
1a Semana:
• Introdução
• Capítulo I – Retificador e Filtro de Entrada
• Capítulo II – Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
• Capítulo III – Fontes Chaveadas do Tipo Forward
• Capítulo IV – Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e
Push-Pull
• Capítulo V – Transistores de Potência
ProgramaPrograma
2a Semana:
• Capítulo VI – Circuitos de Comando para Transistores de Potência
• Capítulo VII – Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas
• Capítulo VIII – Resposta Transitória e Estabilidade
• Capítulo IX – Interferência Eletromagnética em Fontes Chaveadas
• Capítulo X – Considerações de Projeto
Introdução a FontesIntrodução a Fontes ChaveadasChaveadas
Fonte de
Alimentação
Rede CA
- Computadores e microcomputadores;
- Periféricos (impressoras, terminais, ...);
CC- Telecomunicações;
- Equipamentos médicos e militares;
- Aviões e satélites;
- Fontes de alimentação para circuitos decomando de conversores.
Fonte de Alimentação: - Linear- Chaveada
Introdução a FontesIntrodução a Fontes ChaveadasChaveadas
Fonte Linear: Transformador de baixa freqüência, ponte retificadora, filtro capacitivo e regulador linear série.
• Elevada robustez e confiabilidade.
• Baixo custo.
• Simplicidade de projeto e operação.
• Elevado peso e volume.
• Baixo rendimento (reguladores lineares).
• Limitação na regulação.
• Geração de componentes harmônicas na corrente de entrada,
resultando um baixo fator de potência.
• Atualmente limitam-se à aplicações de baixa potência (simplicidade
e baixo custo).
• Início do desenvolvimento: década de 60 em programas
espaciais.
• Avanço da microeletrônica e a necessidade de compactação dos
equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes
chaveadas.
• Substituiu as Fontes Lineares.
Introdução a Fontes Chaveadas
Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potência na região de saturação
(chave com estados aberto e fechado).
Introdução a Fontes Chaveadas
• Características das Fontes Chaveadas:
- Maior rendimento; !- Elevada densidade de potência: menor volume e peso; !- Grande capacidade de regulação; !- Possibilidade de operar com fator de potência unitário; !- Menos robusta e resposta transitória lenta; "- Ondulação na tensão de saída; "- Interferência radioelétrica e eletromagnética; "- Maior número de componentes; "- Componentes mais sofisticados. "
Introdução a Fontes Chaveadas
• Esforços dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:
- Nível teórico (topologias, comutação, controle, modulação, ...);- Otimização dos projetos;- Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).
• Avanço dos semicondutores:
- Década de 70: Transistor Bipolar com freqüências de até 20kHz;- Década de 80: MOSFET (baixa potência) e diodo ultra-rápido com freqüências de até 100kHz;- Recentemente: Fontes com comutação suave podendo operar na faixa dos MHz, rendimento próximo a 90%, e pouco ruído radioelétrico.
Introdução a Fontes Chaveadas
• Configuração usual de uma Fonte Chaveada:
Filtro de Rádio Freqüência
- Retificador
- Filtro
- Proteções
InterruptorIGBT/ MOSFET
Transformador deIsolamento
- Retificadores
- Filtros
Circuitos de
Controle
- Comando
- Proteção
- Fonte Auxiliar
Rede AC
Introdução a Fontes Chaveadas
• Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:
- Técnicas p/ redução da interferência eletromagnética gerada;
- Métodos p/ a correção do fator de potência;
- Conversores CC-CC;
- Teoria de controle e modelagem de conversores estáticos;
- Projeto de indutores e transformadores de alta freqüência;
- Semicondutores de potência e circuitos integrados dedicados;
- Projeto térmico;
- Circuitos de comando e proteção;
- Simulação de conversores estáticos.
Introdução a Fontes Chaveadas• Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tensão de entrada e saída;- Freqüência da rede;- Tensões nominais, máxima e mínima da rede;- Ondulação de 120Hz na saída;- Ondulação da saída na freqüência de comutação;- Hold-Up time;- Temperatura ambiente;- Proteções exigidas;- Rendimento;- Regulação de carga;- Regulação de linha;- Resposta transitória;- Tensão de isolamento;- Nível de interferência radioelétrica e eletromagnética;- Normas aplicáveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).
Introdução a Fontes Chaveadas• Etapas de Projeto
2. Definir: - Topologia do conversor;- Freqüência de comutação;- Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.);- Isolamento (transformador de comando de base/gatilho,
isolador ótico ou sensor hall no laço de realimentação);
3. Cálculo de Estágio de Entrada: - Retificador;- Capacitor de filtragem;- Limitação de corrente de pré-carga do
capacitor de filtragem.4. Projeto do Conversor
5. Cálculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqüência
6. Cálculo de Estágio de Saída
Introdução a Fontes Chaveadas• Etapas de Projeto
7. Circuito de comando de base ou gate
8. Projeto do circuito de compensação (estabilidade e resposta transitória)
9. Escolha do CI-PWM e cálculo dos componentes externos
10. Projeto dos circuitos de proteção
11. Cálculo da fonte auxiliar
12. Cálculo do filtro de rádio freqüência
Introdução a Fontes Chaveadas1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.1 Monofásico
i
vC
2i
1C
Conversor110VS
220V2 1
2
DvAC
1D
3D D4 2C
VCmin
ππππ 2π2π2π2π0
Vpk
t t1 2
i Ip
vC
tc
tωωωω
tωωωω
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 510.0%
9.2%
18.5%
27.7%
37.0%
46.2%
55.5%
64.7%
74.0%
83.2%
92.5%
TDH = 148%Desl. = 1,48o
FP = 0,553
Introdução a Fontes Chaveadas1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.2 Trifásico
-
D2D1
D6
V1
V2
D3
V3
D4 D5
C RVC
+
_
VC
i1
V1
π tω
Introdução a Fontes Chaveadas2. Retificadores Controlados (FP elevado)
2.1 Monofásicos: BOOST, BUCK, ...
Vs
CONVERSOR carga
controle
retificador
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
Retificador Monofásico com Filtro Capacitivo
i
vC
2i
1C
Conversor110VS
220V2 1
2
DvAC
1D
3D D4 2C
•• Operação em Operação em 220 V e 110 V (220 V e 110 V (dobrador dobrador de de tensãotensão))
CC C
C C=
+1 2
1 2
••220 V220 V
( )2minC
2pk
in VVC21
2W −= W
Pfinin=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
V V f tC pk cmin cos( )= 2πVCmin
π 2π0
Vpk
t t1 2
i Ip
vC
t c
tω
tω
( )f2
VVcosarct pkminC
c π=
ttcc = intervalo de condu= intervalo de conduçãção dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)o dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)
•• Carga transferida para CCarga transferida para C
VCtIQ cp ∆==∆c
Cpk
cp t
VVCt
VCI)(. min−
=∆=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
C V VPfpk Cin( )min
2 2− = CP
f V Vin
pk C=
−( )min2 2
Seja Seja IIC1efC1ef -- valor eficaz da componente alternada da corrente ivalor eficaz da componente alternada da corrente iIImedmed -- valor mvalor méédio da corrente idio da corrente iIIefef --valor eficaz da corrente ivalor eficaz da corrente i
21
22efCmedef III += 22
1 medefefC III −= I ItTmed p
c=2
TtII c
pef2=
222
122
−=
TtI
TtII c
pc
pefC2
1 )2(2 ftftII ccpefC −=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• EstEstáágio de entrada gio de entrada éé ligado ao conversor CCligado ao conversor CC--CC operando em alta CC operando em alta freqfreqüêüênciancia
2pkI
TT
i
ωt
on
2
s
DVIP Cpkin min2=
DTTon=
DVPI
C
inpk
min2 =
Onde:Onde:
Para Para DDmaxmax=0,5=0,5min
22
C
inpk V
PI =
min
22 2 C
inpkef V
PII == P
Pin
out=η
Logo:Logo: 21
22 efCefC III
ef+=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• Grandezas ElGrandezas Eléétricas nos Diodos das Pontes Retificadorastricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
IP
VDmedin
C=
2 min
I ItTDef pc=
pkD VV =max
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
••Exemplo NumExemplo Numééricorico
VVACAC = 117V ; = 117V ; VVACminACmin = 99V ; = 99V ; VVACmaxACmax = 135V= 135V
f = 60Hz ; f = 60Hz ; VVCminCmin = 100V ; = 100V ; ηηηηηηηη = 0,7 ; = 0,7 ; PPoutout = 70W= 70W
PP
Winout= = =η
700 7
100,
CP
f V Vin
pk C=
−( )min2 2
V V Vpk AC= = ⋅ =2 2 99 140min
a)a)
b)b)
VVpk 135=
∆V V V Vpk C= − = − =min 135 100 35
C F=⋅ −
≅100
60 135 1002032 2( )
µ
FCC µ40621 ==
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
c)c)
d)d)
( ) ( )t
arc V V
farc
mscC pk
= =⋅ ⋅
=cos cos
,min
2100 135
2 601 954
π π
IC V
tAp
c= =
⋅ ⋅⋅
=−
−∆ 203 10 35
1 954 103 64
6
3,,
e)e) 2 2 1 954 10 60 0,23453t fc = ⋅ ⋅ ⋅ =−,
AftftII ccpefC 54,12345,02345,064,3)2(2 221 =−⋅=−=
f)f) A1100100
VPI
minC
inef2 =≅=
AIII efCefCef84,154,11 222
12
2 =+=+=g)g)
h)h) I ItT
ADef pc= = ⋅
⋅⋅
=−
−3 641 954 10
16 666 101 25
3
3,,,
,
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
i)i)
j)j)
k)k)
IP
VADmed
in
C= =
⋅=
2100
2 1000 5
min,
V V V VD pk ACmax max max= = = ⋅ ≅2 2 135 191
I I ADp p= = 3 64,
UFA !!UFA !!
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
••SimulaSimulaçãção Numo Numééricarica
R
Ri
vC
iC2Di
1DvAC
3D 4D
C
v t sen tAC( ) ( )= ⋅2 99 377
C = 203C = 203µµFF
R = 100R = 100ΩΩ
140V
130V
120V
110V
100V
v C
t
Vpk
VCmin
VVpkpk ≅≅≅≅≅≅≅≅ 140V140V
VVCminCmin ≅≅≅≅≅≅≅≅ 102V102V
ttcc = 2,1ms= 2,1ms
IIpicopico ≅≅≅≅≅≅≅≅ 8,0A8,0A
IImedmed ≅≅≅≅≅≅≅≅ 1,0A1,0A
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• CorrenteCorrente CapacitorCapacitor + Carga+ Carga
10A
8A
6A
4A
2A
0A
-2A
i
t
Q∆
tc
1,4A
1,3A
1,2A
1,1A
1,0A
i R
t
•• Corrente de CargaCorrente de Carga
10A
8A
6A
4A
2A
0A
-2A
i C
t
•• Corrente noCorrente no CapacitorCapacitor10A
5A
0A
-5A
-10A
i
t
vAC
•• Corrente de EntradaCorrente de Entrada
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•••••••• VVCminCmin, , VVpkpk, , ttcc, , ∆∆∆∆∆∆∆∆Q e Q e IImedmed possuem praticamente os mesmos valores;possuem praticamente os mesmos valores;
ppico II 2≅••••••••
•• AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123π2
π 3π2
VpkVCmín
iCαβ γπ
V1
VC
ωt
S1
S2S3
( ) θ⋅=θ senVV pkC
( ) ( )θ
θ⋅ω=θ
ddV
Ci CC
( ) θω=θ cosCVi pkC
( ) ( )2R2C ii θ=θ
( ) 2pk
2R senR
Vi θ−=θ
2pk
2pk senR
VcosCV θ−=θ⋅ω RCtg 2 ω−=θ ( )RCtg ωπθ 1
2−−=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123π2
π 3π2
VpkVCmín
iCαβ γπ
V1
VC
ωt
S1
S2S3
( )π−θ= 1pkminC senVV
( )pk
minC1 V
Vsen =π−θ
+π=θ −
pk
minC11 V
Vsen
123 θ−π=α 22
π−θ=β
π=γ+β+α321 SSS +=
( )∫ θ⋅θ=
π
α−πdiS C
2
2
1
( )α−ω= cos1CVS pk1
( )∫ ⋅=
−
θθθθ
ο
dR
VS C
21
2
( ) ( ) RCpkC ecosVV ω
θ−β=θ
−
β⋅⋅ω= ω
θ−θ−RCpk
2
21
e1R
cosVRCS
( )2
iS 2C
3β⋅θ
=
R2cosV
S pk3
β⋅⋅β=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123π2
π 3π2
VpkVCmín
iCαβ γπ
V1
VC
ωt
S1
S2S3 321 SSS +=
0.2 0.28 0.36 0.44 0.52 0.6 0.68 0.76 0.84 0.92 10
8
16
24
32
40
48
56
64
72
80
RC
VCmin p/ V
ω
k
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123π2
π 3π2
VpkVCmín
iCαβ γπ
V1
VC
ωt
S1
S2S3 321 SSS +=
0 10 20 30 40 50 60 700
0.40.81.21.6
22.42.83.23.64
I CefRV pk
ω R C
.
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V)(110 V)
i +
Conversor
vC1-
+vC2
-
1C2DvAC
1D
3D D4 2C
+
vC
-
+ _
i +
Conversor
vC1-
+C2
-
1C2DvAC
1D
3D D4 2C
+
vC
-v
+_
π 2π0
VC2
vC1
tω
pk
VC2min
vC2VC1pk
VC1min
tω
VCpk
VCmin
Cv
vAC
2
VVVV pkmin
min
2C2C1CminC
++=
minmin 2C1C VV =pkpk 2C1C VV =
3
VV2V pk
min
1CminC1C
−= )( 2
12
121
minCC
in
VVfPCC
pk−
==
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V)(110 V)
)tf2(cosVV c1C1C pkminπ= ( )
f2
VVcosarct pkmin 1C1C
c π=
c
1C1C1
c
111p t
)VV(C
tVCI minpk
−=
∆= ftII c1p1med =
Tt
IdtIT1I c2
1p
t
0
21p
21ef
c
== ∫
IIef1ef1 = valor eficaz da corrente i= valor eficaz da corrente i
ftII c1p1ef =
IICef1Cef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um= valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitorcapacitor
21med
21efC III
ef1−= 2
cc1pC )ft(ftIIef1
−= 2ef2
21CiefCef III +=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V) (110 V) -- ProjetoProjeto
VVACAC = 117V ; = 117V ; VVACminACmin = 99V ; = 99V ; VVACmaxACmax = 135V= 135V
f = 60Hz ; f = 60Hz ; VVCminCmin = 100V ; = 100V ; ηηηηηηηη = 0,7 ; = 0,7 ; PPoutout = 70W= 70W
a)a) V140992Vminpk1C =⋅=
V135Vminpk1C = V33,88
31352002
3
VV2V pk
min
1CminC1C =−⋅=
−=
J667,160
100f
PW in
in ===b)b) F16033,88135
667,1)VV(f
PCC 2221C
21C
in21
minpk
µ≅−
=−
==
F80C µ≅( ) ( ) ms275,2
60213533,88cosarc
f2
VVcosarct pkmin 1C1C
c =⋅π⋅
=π
=c)c)
d)d) A28,310275,2
)33,88135(10160t
)VV(CI 3
6
c
1C1C11p
minpk =⋅
−⋅=−
= −
−
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V) (110 V) -- ProjetoProjeto
e)e)
f)f)
g)g)
h)h)
1365,06010275,2ft 3c =⋅⋅= −
A126,1)1365,0(1365,028,3)ft(ftII 22cc1pC ef1
=−⋅=−=
A5,0200100
VP
IminC
inef2 ===
A23,15,0126,1III 222ef2
2ef1CCef =+=+=
V38213522V22V maxCAmaxDp ≅⋅⋅==
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
•• Resultados ExperimentaisResultados Experimentais
100V/100V/divdiv e 500mA/e 500mA/divdiv
Tensão Tensão e e Corrente Corrente de de EntradaEntrada Transitório Transitório de de PartidaPartida
100V/100V/divdiv e 10 A/e 10 A/divdiv
100V/100V/divdiv e 5 A/e 5 A/divdiv -- com resistor de 22 com resistor de 22 ΩΩΩΩΩΩΩΩ em sem séérierie..
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
••ProteProteçãção de Ino de In--rushrush
S
R1
Rii
vC
i C
- +vAC
C Carga
IVRp
pk<
1ττττττττ = 25ms = 25ms ττττττττ11 = R= R11 C = 10C = 10⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅10001000⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅1010--66 = 10ms= 10ms
ττττττττ = 3= 3ττττττττ11 = 3R= 3R11CC
CRA ..15.5 1≅= τ
0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
100A
50A
0A
400V
200V
0V
v C
i C
R = 2R = 2ΩΩΩΩΩΩΩΩ
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro de Entrada
••Circuito de disparo para um TriacCircuito de disparo para um Triac
R1
NT
+
C
-ACv
T D
Cv
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
S
D
RL
+
-Vin
Vce
C
+ -+
-
iL L
is
Vout
+
-
+
-
1
P
R+
-Vin
P
i
C
V
N
CE DRT
SN
+ -
T Vout
Di
Ci
1
1 +
-
+
-
BUCK-BOOST
FLYBACK
Funções do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga- acumulação de energia quando T está fechada- adaptar a tensão necessária no secundário
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost
VL
VCE
iD
is
( Vin+Vout )
( Vin )
TT1 T2
To
( Vin )
( Ip )
iL
( Vout )
S
D
RL
+
-Vin
Vce
C
+ -+
-
iL L
is
Vout+
-
+
-
1
S
D
RL
+
-Vin
Vce
C
+ -
+
-
iL L
is
Vout+
-
+
-
1
1a Etapa
2a Etapa
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
a) Corrente de Pico na entrada
dtdiLVL =
T D L
VI inp =
TTD 1=
D Lf
VI inp .
=
D Lf
VI maxin
p .max=
VL
VCE
iD
i s
( Vin+Vout )
( Vin )
TT1 T2
To
( Vin )
( Ip )
iL
( Vout )
450D max ,=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACKb) Tensão de Carga
T2TI
VIVP 1pinmd1in1
... ==
L
2out
2
21
2in
1 RVP
TL2TVP ===..
.
L2fRTV
TL2TVRV L
1in
21
2inL
out ....
.... ==
L2fRDV
L2fR
fDVV L
inLin
out ....
.... ==
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACKc) Indutor
fIL21PPP 2
pout
Lin ...===η
22
22inout
LfDVfL
21P
..... max=
η
fPDV
21L
out
22in
.... max η=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:
P
R+
Vin P
i
C
V
L
CE D
SV
+ -
T Vout
+-
- +
-
Ti
L
1
PR
+
-Vin V
C
VCE D
SL
+ -
T VoutDi
CV-
+Si L
+
-
1
VP
VCE
iP
( Vin )
( Vin )
Ip
Vout .
ToT1
T2
NPNS
Vin .NSNP
( Vout )
VS
( Vin+Vout ) .NPNS
( Vin )
iT=
iS iD= I .NPNS
P
T1
T1 To
To
1a Etapa
2a Etapa
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Flyback com Múltiplas Saídas
T
+
-Vin
N
S1
D1
C1L1R
D2
P S2C2
L2R
D3
S3C3
L3R
N
N
N
V2
V1
V3
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Características gerais: - baixo custo
- saídas múltiplas
- aceita grande variação da resistência de carga
- isolamento entre a entrada e a saída
- boa regulação cruzada
- dispensa indutor de filtragem
- permite uso de diodos lentos na saída (cond. desc.)
- resposta rápida
- fácil de ser estabilizada
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
a) Corrente de Pico no Primário
T1=DT T2
T
IpiL
VL
Vin
-Vot
t
dtdiLVL =
T D L
VI inp =
maxin
outp D V
P 2Iη
=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
b) Tensão na Carga Vin
Ip
T1
Ts
t∫ ==
T1
0s
1p
1p
s T 2T I
dt Tt I
TI md
11
s
1inmd1in T L
T VI VP2
22
1 ==
L
outo R
VP P2
1 ==η s
Linout f L 2
R D VV η=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
c) Cálculo da Indutância
η==
∆∆== out
spLPf I L
tw
dtdwP 2
21
sout
2max
2in
f P D V
21L η=
d) Razão Cíclica Crítica
( )inout
inoutcrit
VV1VVD
+=
→ para DCM D ≤≤≤≤ Dcrit
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
e) Esforços nos Semicondutores
−
+=+=−=max
maxinoinDce D
D VVVVV1
1
out
2in
mdD VL f D VI
2
2=
31
2 3in
T
01
pTef
D L f
Vdt t TI
T
I =
= ∫
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
RVC
LC Vo+
-RV
CLC Vo
+
-
I oiS
• Equacionamento
f) Capacitor de Saída
dtdV Ci c
c =cs
maxoV f
D IC∆
=
s
cSE I
VR ∆<2
222
−=−=
s
os
s
ososefC T
T IT 3
T IIII ef
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
A
A
e
w
δ 2
swp
4out
we f B J k k10 P , AA∆
= 11
• Equacionamento
g) Transformador
Kp - fator de utilização do primário (0,5)kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
g) Transformador
e
o AB
W 2
2∆
∆µ=δδδδδ - entreferro (metros)µµµµo - 4ππππ 10-7
Ae - área da secção transversal do núcleo (metros2)∆∆∆∆W - energia (joule)∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
pp I ,
BNπ
δ∆=40
Np - número de espiras do primárioδδδδ - entreferro (centímetros)∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (Gauss=104T)
( ) ( )nom
nom
in
Fnoutpsn D
D-1 V
VV NN
+= Ns - número de espiras do secundário
VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Característica de Saída em CCM e DCM
ID
f L 2 R D
VV
os
L
in
out′
=η=
Condução Descontínua
Condução Contínua
D-1
D V
Vin
out =
0.2 0.4 0.6 0.8 10
1
2
3
4
D=0.2
0.4
0.6
0.7Vout____Vin
Io
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
2. Calcular a razão cíclica crítica e definir a nominal.
( )inout
inoutcrit
VV1VVD
+=
→ para DCM Dnom ≤ Dcrit
3. Calcular a indutância.
sout
maxinf P
D V L η=22
21
→ tempo de condução chave =Dnom Ts
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ηηηη.
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
4. Calcular a corrente de pico máxima.
noms
inp D
L fVI =
5. Calcular a resistência de carga.
6. Calcular a capacitância.
out
outo P
VR2
=
cs
maxoV f
D IC∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
2. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ηηηη.
swp
4out
we f B J k k10 P 1,1 AA∆
=
3. Calcular a corrente de pico no primário.
4. Calcular a energia acumulada no transformador.
maxin
outp D V
P 2Iη
=
s
outf
PWη
=∆
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
5. Calcular o entreferro.
e2o AB
W 2∆
∆µ=δ
6. Calcular o número de espiras do primário e secundário (s).
pp I 4,0
BNπδ∆= ( ) ( )
nom
nom
in
Fnoutpsn D
D-1 V
VV NN
+=
7. Calcular a indutância magnetizante do primário e secundário.
sout
2max
2in
f P D V
21L η=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s).
npns a II =
9. Calcular a(s) resistência(s) de carga(s).
nout
2nout
no PV
R =
10. Calcular a(s) capacitância(s).
nouts
nomnoutno V f
D IC
∆=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
iT
L
+
-
Ein C
V
Vo
T
i D+
-
i L
VC
i C
RL
i R
VR
+
-+
-
+
-Vin
DDT
1D L
RC
DN
PN SN
VP VS
2D
V1
L
Vout
VF+ -
BUCK
FORWARD
NP - enrolamento primárioNS - enrolamento secundárioND - enrolamento de desmagnetização
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
iT
L
+
-
Ein
T
D
iL
CRL
+
-
T
L
+
-
Ein D
iL
CRL
+
-
VCE+ -
VD
VCE
T
T1 T2
(E )
L
in
iL
iT iD iT
(E ) in
(E ) inVD
VC
0 T1 T
VC
i
1a Etapa
2a Etapa
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
a) Tensão Média na Carga
mdDoutmdL VVV =⇒= 0 D VTT VV in
1inout ==
b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância
( )L f
D D-1 Vis
inL =∆ 5,0Di maxL =→∆ L f 4
Vis
inmaxL =∆
maxLs
ini f 4
VL∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
c) Corrente de Pico
( )L f 2
D D-1 VRViII
s
in
L
outLop +=∆+=
2
d) Tensão no Capacitor
( )t.fsenii LC π∆≅ 2
2( )t f 2 cos
C 2 f idt.i
CV s
s
LCCA π
π∆==
21
C f
iVs
LCπ∆=∆
42
V f iC
cs
L∆π
∆=2 i RV LSERSE ∆=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
e) Esforços nos Semicondutores
inCE VV = inD VV −=
( )L f
D DVRVII
s
in
L
outPDTp 2
1 −+==
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua:
2. Calcular a razão cíclica nominal.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ∆∆∆∆iL .
V
VDin
outnom =
3. Calcular a indutância.
maxLs
ini f 4
VL∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua:
4. Definir o capacitor.
V f
iCcs
L∆π
∆=2
iVRL
SE ∆∆=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
+
-Vin
DDT
1D L
RC
DN
PN SN
VP VS
2D
i
1
L
Vout
L
iT
VD
VCE
T
T1
T2
iT
iT
iL
(V ) in
TD
iM
(I )M
I M +
V inV in + . NPND
1a Etapa
2a Etapa
+
-Vin
DDT
1D L
RC
DN
PN SN2D
i
L
L
iTiM
VCE
+
-
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
a) Tensão Média na Carga
mdDoutmdL VVV =⇒= 0 D NN V
TT
NN VV
p
sin
1
p
sinout ==
b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância
( )( )L f
D D-1 aVis
inL =∆ 5,0Di maxL =→∆
L f 4 aVi
s
inmaxL =∆
a i f 4VL
maxLs
in∆
=s
pN
Na =
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
c) Corrente de Pico no Secundário e Primário
2L
oSiII p
∆+=
d) Cálculo da Capacitância
V f
iCcs
L∆π
∆=2
i RV LSERSE ∆=
∆+=
21 L
oPiI
aI p
A
A
e
w
δ 2
η∆=
f B J k k10 P 2 AA
swp
4out
we
e) Transformador
Kp - fator de utilização do primário (0,5)kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
e) Transformador
se
inp f B A
VN∆
=2
Np - número de espiras do primárioAe – área efetiva da perna central do núcleo (metros)∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (Tesla)
( )
D VD VV
1,1 NNnomin
nomFnoutpsn
+= Ns - número de espiras do secundário
VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua:
2. Definir a razão cíclica nominal, lembrando que Dmáx=0,5.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ∆∆∆∆iL, ηηηη.
3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s) e a(s) resistência(s) de carga.
nn
out
oo V
PI =
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
2n
npo
nosI
II∆
+=n
nn
out
outo I
VR =
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua:
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
4. Calcular a(s) capacitância(s).
V f
iCcs
L∆π
∆=2
iVRL
SE ∆∆=
5. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo do transformador.
η∆=
f B J k k10 P AA
swp
4out
we2
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward
6. Calcular o número de espiras do primário e secundário(s).
se
inp f B A
VN∆
=2
( )
D VD VV
1,1 NNnomin
nomFnoutpsn
+=
7. Calcular as relações de transformação.
ns
pn N
Na =
8. Calcular a(s) indutância(s).
nmaxLs
inn a i f 4
VL∆
=
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-PullTR
+
- V
i
CE22D
VP
C
i
L
LR
1
TR2
1D
+
-
+
-
TR1NP
VS
NS
NS
3D
4D
Va
L
VoutVin/2
Vin/2
6D
5D
C
L
LR
RT1D
inV
1 RT 3
RT 2 RT 4
3D
2D 4D
C
4D
3D
C
L
LR
inV
RT 1 RT 21D 2D
SN
SNPN Li
1V
Half Bridge (Meia Ponte)
Full Bridge (Ponte Completa)
Push Pull
• Conversor Half Bridge (Meia Ponte)
TRVin/2
i
11D
+
-3D
4D
L
Vin
+
-
+-
+
-
C
i
L
LR
NP
3D
4D
L
+
- 2D
C
i
L
LR
TR2Vin/2
3D
4D
L
+
-
+
-
+
-
VP
T
T1
2T
L
i T
Vout
i
VCE
VC
i
in
TR1
TR2
VNSNP
.
Va
Vin/2
iL
TR1
Vin
Vin/2
1a Etapa
2a Etapa
3a Etapa
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
TT
D 1=
T = período da tensão de entrada do filtro de saídaTS = 2T = período de funcionamento do conversor
• Conversor Half Bridge (Meia Ponte)
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
D NN
2VV
P
Sinout = inCE VV máx =
in
outTR V
.TT.Pi 1
1η=
C
Capacitor série: impede a circulação de corrente contínua no trafo
VC
TSTSTS
4 2
NSNP
I0.
0
iC
L NN f
C
SP
s
222
4
π
≥
CSS
PV f
I NNC
∆×≥
20
ηout1
TRinP
TTi
2EP == .
• Conversor Full Bridge (Ponte Completa)
6D
5D
C
L
LR
RT1D
inV
1 RT 3
RT 2 RT 4
3D
2D 4D
C
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
inCE VV máx =
• Conversor Push-Pull
4D
3D
C
L
LR
inV
RT 1 RT 21D 2D
SN
SNPN Li
1V
V1
T
T1
T3
TR
(2V ) in
VCE1 (V ) in
2
TR1
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
inCE V V máx 2=
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Transformador
B f J k k10 P . AAspw
3out
we ∆= 51
• onde: kw=0.4 e kp=0.41
• para as mesmas condições, o transformador é menor que o do conversor Forward.
se
inp f B A
VN∆
=2
( )
D VD VV
1,1 NNnomin
nomFnoutpsn
+=
ns
pn N
Na =
nmaxLs
inn a i f 4
VL∆
=
• Filtro de Saída
V f
iCcs
Ln ∆π
∆=2
iVRL
SEn ∆∆=
Aspectos de Comutação
MOSFET
• Tempos de comutação curtos,• Alta impedância de entrada entre GS (potência de comando baixa),• Fácil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo).
Características em Condução:
• RDSon,• ID e IDM,• VGS, • VGS(th),• VDS(on)=RDSon x ID.
ID
iDDSV
+
-G
S
GSV
D
+
-
Características Estáticas
MOSFET
• A = Região de resistência constante• B = Região de corrente constante
Características Estáticas
MOSFET
• Parâmetros importantesa) RDson – O MOSFET “saturado” comporta-se como uma resistência;b) ID – máxima corrente contínua que o componente pode conduzir;c) IDM – máxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;d) VGS – máxima tensão entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou
negativa);e) VGS(th) – a tensão de gate suficiente para iniciar a condução (≈≈≈≈ 4,0 V);f) VDC(on) = RDS(on).ID – tensão dreno-source com o MOSFET conduzindo;g) O MOSFET bloqueado é caracterizado pela tensão de avalanche entre dreno e
source – V(BR)DS
Aspectos de Comutação
MOSFET
Características Dinâmicas:
• Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho),• Coss=Cgd+Cds (capacitância de saída),• Crss=Cgd (capacitância de transferência).
gd
Cgs
C
dsCG
D
S
Aspectos de Comutação
MOSFET
Comutação com Carga Indutiva:
50S
G
DD
R
V
DI RL
D
ttd(on)d(on) = 30 ns= 30 nsttrr(on)(on) = 50 ns= 50 nsttd(off)d(off) = 10 ns= 10 ns
ttff = 50 ns= 50 ns
Perdas em um MOSFET
comcond PPP +=
2efdonds
2ondonds
2ondonds
oncond irDirir
TtP )()()()()()( ..... ===
)()( .)..( offdsondfrcom Vitt2fP +=
onf tt ≅ offr tt ≅
Perdas na Comutação
VCE
i
out+
-V
C
E
!L
+
PN
E
L
D
+
-EV
-
!L
T T
SNoutV = E( )
a) Conversor Flyback
( )VCE iCIp
Entrada em condução
Perdas na ComutaçãoConversor Flyback - Bloqueio
( I )
V
E
t
+
I
-
1
iC
E
E EI
iC
CE VCE
+
-
+
-(a) (b)
iC
t2
tf
trv tfI
(c)
( E )
t1(0 < t < ) t1( < t < )t2
iC = I
≤0 < E´VCE
VCE = E´
≤I < iC 0
• Lllll = 0
fS tEI21E
1.. ´=
fIrvf ttt +=
fE1P1S .=
ftEI50P f1 ...., ´=
Perdas na ComutaçãoConversor Flyback - Bloqueio
• Ll l l l ≠≠≠≠ 0
+
-
E
VCE
L !
+
-
VL
Aspectos de ComutaçãoSnubber RCD
• Comutação com carga indutiva e com Snubber.
E
L
SC
Q5
!
IRS
CS
DS
IC
I
∫= fIt
0 CSS
dttiC1toffv )()(
fIS ttItCi.)( =
S
fI
C2tI
offV .=
−=
fItt1ItCi )(
C24ftI
1P2fI
2 ..=
2CEmáxS
2 VC21IlL
21 .. = I
CLV
S
lCEmáx .=
Snubber RCD
off
fiPs V2
t IC =s
ons C 3
tR min≤
tfi – tempo de decrescimento da corrente (fabricante),trv – tempo de crescimento da tensão (fabricante),Voff – arbitrado,tonmin – tempo mínimo de condução da chave.
Aspectos de Comutação
• Flyback (Cond. Desc.):pCs
ins I
VR ≥
fEC21P 2
SR ..=
Snubber RCD
Aspectos de Comutação
• Forward (Cond. Contínua):
EI21E
2S .= ftEI21P r2 ...= ( )frin ttfIV50P += ...,
( )1n
rvfiPs V
tt IC +=s
ons C 3
tR min≤
pCs
ins I
VR ≥
fVC21P 2
in...=
Perdas em um Diodo
• Perdas de Condução:
comcond PPP += FmdF2efcond iVirP .. += ftiVP onFFcond ...=
• Perdas de Comutação:
bRMRMcom tiV21E ..= ftiV50P bRMRMcom ...,=
Perdas em um Diodo• Efeito da Recuperação Reversa do Diodo no Transistor
(E)CEV
RMI
t tarI
Ti
EIt50W RMa ...,=∆ fEIt50P RMa ....,=
3t2t rr
a.=
3fEItP RMrr ...=
Cálculo Térmico
R
a
Da
TDTCT
RCD
jT
RjC
••TTjj –– temperatura da juntemperatura da junçãção (o (°°C)C)••TTCC –– temperatura do encapsulamento (temperatura do encapsulamento (°°C)C)••TTDD –– temperatura do dissipador (temperatura do dissipador (°°C)C)••RRjcjc –– resistresistêência tncia téérmica junrmica junçãçãoo--ccáápsula (psula (°°C/W)C/W)
••RRCDCD –– resistresistêência tncia téérmica de contato entre o componente e o dissipador (rmica de contato entre o componente e o dissipador (°°C/W) = C/W) = 0,2 0,2 °°C/W.C/W.
••RRDaDa –– resistresistêência tncia téérmica dissipador ambientermica dissipador ambiente••TTaa –– temperatura ambiente (temperatura ambiente (°°C)C)
).( dacdjcaj RRRPTT ++=− CDjcaj
Da RRP
TTR −−
−=
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Princípio Básico
•Ciss = 700 pF
•VC = 15 V
•∆∆∆∆t = 40 ns
+
-CV
gR
issCS
S
2
1
S
D
G
gI
tV.CI issg ∆
∆=
A,x
.xIg 2601040
15107009
12== −
−
issgrf C.R,tt 22==
12
9
10700221040
22 −
−==
x.,x
C.,tR
iss
fg
Ω≅ 25gR
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuitos de Comando não-isolado
gR
T1
D
2R3RT2
+VC
G
S
D
D = 1N914 R2 = 4,8 kΩ Rg = 50 ΩT2 = MPS 2907 R3 = 10 kΩ
1R
gR
2R
+V
T2
T3
C
T1
Tp
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuito de Comando Isolado
1R =100
RT
VS
2D
1D
VP
S
D
G
+VC
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
VSAÍDARede
2
RETIFICADOR
T
CONVERSOR
1T
3T
CIRCUITOSDE
COMANDO
FONTE
AUXILIAR
FILTRO DE ENTRADAE
RETIFICADORES
FILTRO DE SAÍDAE
•Massa de alta tensão (chaves) e massa de baixa tensão (saída, comando, fonte
auxiliar).
• Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3
(transformador da fonte auxiliar).
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
VSAÍDARede RETIFICADOR CONVERSOR
1T
CIRCUITOSDE
COMANDO
FONTE
AUXILIAR
FILTRO DE ENTRADAE
RETIFICADOR
FILTRO DE SAÍDAE
ISOLAMENTO
ÓTICO
CIRCUITODE
CONTROLE
• Massa de alta tensão (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tensão
(saída, controle).
• Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador ótico.
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar
Rede
Carga+-
Fonte Convencional com Isolamento
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar
3C+
Circuito
M
3D
deComando
1C
-
Carga
Rede
Z
1R
1T
1D 2D
2C NS
Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
+
-
A
+
-
V QT
1
Comparador
S
2S
OSC.
VC
F/FQ
Verro
VRef
VReal
Conversores CC-CC: UC3524
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM DedicadosV
erro
C
Q
Q
S
S1
2
T
T1
VT
V
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
1S
FF
OSC
TC
-
+
C+
-V
1
C
L
+
-
COMP
TR
7
10
5
4
9
2
1
15
16
12
11
13
14
36
8
2S
6R
5R RCD LR
PT
in 3R
1R
2R
4R A1
A2
+
-
ShR
UC3524
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Controlador de tensão
Vin
VRef
Z1
Z2
+
-
A1
1
29 Vout
( )REFinout VVZZV −= .
1
2
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Soft-Start (Partida Progressiva)
• Quando se energiza a fonte chaveada a razão cíclica deve progredir lentamente, evitando a destruição do interruptor, saturação do transformador e overshoot de saída.
-C
COMP+
1Z
+
-
2Z
1
2+V
R1
D1
D2
Vout
VRef
V9
OSC.
A+
-1 9
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos para Limitação de Corrente
• Curto-circuito na carga: desativar a fonte e reativar após o desligamento e religamento do equipamento.
T
UC3524
R
Th
1
6
C
R1
9
10R5
R4
T2
R3
R2
R1
TP
IE
+10V +5V
N
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
470 k
R1
4N26
V1
R2
V9
V2
Rg
1 2 4 5 8 6 714
131516
9
UC3524
+12V
I1
I2
0,6 V
4 V
2229 .IRVV −=
1
11
1R
VI −=
12 II β=
( )1.. 11
221229 −−=−= V
RRVIRVV ββ
ββ ..1
21
1
229 R
RVRRVV +−=
β.1
2
1
9
RR
VV
G −=∂∂
=Se R2 = R1 ⇒⇒⇒⇒ β=G
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
1C
-
+A
1D
1R
2RLR
outV
4R
3C5R
3R
6R
2C 1Z
RefV
PN
+VCC
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Proteção contra Sobretensão na Saída
CR
V
Z
out
CSCR
+A
A
RG
-
VZ
VGK+
-
+
-
• Sobretensão: a fonte é colocada em curto e o circuito de proteção contra sobre-corrente é acionado e desativa a fonte.
• Isolação da tensão de saída quando o comando do transistor não é isolado: Isolador ótico (após o controlador de tensão) ou sensor hallde tensão.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
• Supõe-se que L seja suficientemente grande para que não ocorra variação significativa em IL, quando do fechamento de S2
1.D = V
V
I
L
1Rin
C 2R
2SL
C
V
Vout
V
I 1RC 2R
2S
L
C Vout
IC
Resposta Transitória e Estabilidade
• Antes do transitório
21
21
RRR.RR
+=
LC I.RV 10 =
• Após o transitório LCf I.RV =
• Transitório ( )[ ]RC/tRC/tLC eReRIV −− −+= 11
Resposta Transitória e Estabilidade• Corrente no Capacitor durante o transitório
RC/tCC e.
RVi −−=
2
0
RC/tLC e.I.
RRi −−=
2
1
• Sem RSE
Resposta Transitória e Estabilidade• Com RSE
I 1RC
2R
2S
RSE
RSECout VVV +=
RC/tLCRSE e.I.
RR.RSEi.RSEV −−==
2
1
( )[ ] RC/tL
RC/tLout e.I.
RR.RSEe.RRRIV −− −−+=
2
11
Resposta Transitória e Estabilidade
I1R
C
2R
2S
RSE
H(s)
2
+VREF
1 – A amplitude do desvio de tensão depende somente da RSE do capacitor.
2 – A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperação)
dependem somente do tipo de controlador empregado.
Resposta Transitória e Estabilidade• Equação Característica e função de transferência
H(s)
G(s)O(s)I(s) +
-
(s)ε
)().()( ssGsO ε=
)()().(1
)()()( sF
sHsGsG
sIsO =
+=
Resposta Transitória e Estabilidade• Critérios de Estabilidade
H(s)
G(s)O(s)I(s) +
-
(s)ε
0)().(1 =+ sHsG Instabilidade
1)().( −=sHsG
( ) [ ] 020 == )(H).(Glog.)(H).(G dB ωωωω
o180−=Φ
Resposta Transitória e Estabilidade• Critérios de Estabilidade
• Margem de fase entre 45o e 90o
Resposta Transitória e Estabilidade• Critérios de Estabilidade
• Margem de fase entre 45o e 90o
Resposta Transitória e Estabilidade
• Para erro estático pequeno - Ganhos elevados em baixa
freqüência
• Pólo na origem
• Freqüência de cruzamento por zero o mais alta possível
4s
cff ≅
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 VoutVin
T1
T
VC
VS( )
DNNVDVV
P
SinSTmd ..2 ==
S
C
VV
TTD == 1
S
C
P
Sinmd V
VNNVV ..2 =
P
S
S
in
C
md
NN
VV
VV .2 =
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 VoutVin
11
)()(
22 +
=LCssV
sV
md
out
+
=1
1)()(
20
22
wssV
sV
md
out
1
1)()(
2
0
2+
=
wjwsV
sV
md
out 40 )/(1log20)( wwdBwG +−=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 VoutVin
)()(
)()(
.)()( 2
2 sVsV
sVsV
sVsV
C
out
C
md
md
out =
)1/(1..
)()(
20
2 +=
wsNN
VV
sVsV
P
S
S
in
C
out
• Com RSE:
)/1()..1(
)()(
20
22 ws
RSECssVsV
md
out
++=
)/1()/1(
)()(
20
22 ws
wssVsV Z
md
out
++
=
)/1()/1(..
)()(
20
2 wsws
NN
VV
sVsV Z
P
S
S
in
C
out
++
=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 VoutVin
2 pólos
-40 dB/dec
-20 dB/deczero
dB
0
fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
2RC
VoutVin
I1 I2md I22222 . mdmd IRP =
TTI
VIVP pinmdinmd 2
... 1
11 ==
TLTVP in
md .2. 2
12
1 =
mdmd PP 12 =TLTVIR in
md .2. 2
12
22 =
2
21
2
2
2
21
2
222 .
..2.
.2 TT
fRLV
TTT
RLVI inin
md == DfRL
VI in
md ...2 2
2 =
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
2RC
Vout
IRICI2md2
2 RV
dtdVCI outout
md +=
CRV
dtdVD
fRLCV outoutin
..
..2 22
+=
S
C
VVD = CRfL
VA in
...2 2
=S
Coutout
VVA
CRV
dtdV .
2
=+
)(.)(
)(.2
sVVA
CRsV
sVS CS
outout =+ [ ] )(.
.1.)( 2
2 sVV
CRACRssV CS
out =+
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
2RC
Vout
IRICI2md
[ ] )(..
1.)( 22 sV
VCRACRssV C
Sout =+
).1(1..
)()(
2
2
CRsVCRA
sVsV
SC
out
+=
).1(1.
...2.
)(22
2
CRsCfRLCRVsG in
+=
• Sistema de 1a ordem
• Ganho depende da Resistência de carga
).1(1.
.2)(
2
2
CRsR
fLVsG in
+=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Com RSE: ).1()..1(.
.2)(
2
2
CRsCRSEs
RfL
VsG in
++=
pólo
-20 dB/dec
zero
G (jw)dB
0 dB
fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade• Circuitos de Compensação
-Vi
R
fC
fR
+A
0
refV
R
ref
VC
• Compensador de 1 pólo
i
fC
ZZ
VV
=0
ii RZ =sCR
sCRZ
ff
fff ./1
./+
=
)..1(1.
)./1(.)()(
0 ffi
f
ifff
fC
RCsRR
RsCRsCR
sVsV
+=
+=
-20 dB/dec
+90°
-90°
0
+20
-20
0
-400,1f f 10f 100fp p p p
dB
fi
firef RR
RRR
+=
.
Resposta Transitória e Estabilidade• Circuitos de Compensação
• Compensador de 2 pólos
-V
fz
R
fC
izR
+A
0
refV
R
ref
VC
Rip
iC
ffzf Cs
RZ.1+=
ip
iiz
i
iz
iiz
iizipi R
CsRCs
R
CsR
CsRRZ ++
=+
+=)
.1(
1..
.1
./
+
++
++=
ipiz
izipiizipf
fzfiizC
RRR.R
.sC).RR.(s.C
)s.R.C)(s.C.R()s(V)s(V
1
11
0fz1 = fz2 izifzf R.CR.C =
80
60
40
20
0
-201 10 100 1k 10k 100kf2f1
fp2
fz1= fz2
(dB)
Resposta Transitória e Estabilidade• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
1o) Traçar o diagrama G(s) em dB.2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2
pólos estudado neste capítulo.3o) Definir a freqüência fc, na qual a curva da função G(s).H(s) passa por 0
dB. Recomenda-se sendo fs a freqüência de chaveamento .4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc.5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqüência f0 do filtro.6o) Situar o 1o pólo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz.7o) Situar o 2o pólo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa
freqüência igual a 5 vezes a freqüência de ressonância do filtro.8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de
compensação
4s
cff ≤
Resposta Transitória e Estabilidade• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
30
20
10
0
-10
-20
10 f0
G(s)
-30
dB
-40 dB/dec
-20 dB/dec +20 dB/dec
+1
-1
-1
A
(H )2H 2
fp2fcf00,1 fcfp1
22
2 log20log20 Aff
AHc
p =+= 10
1 log20log20 AffAH c =−=
Resposta Transitória e Estabilidade• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
Vout = 12 V Pout = 240 W fs = 40 kHz → T = 25 µs Vin = 60 V
I = 2 A a 20 A R1 = 6 Ω a 0,6 Ω C = 4000 µF D = 0,2 a 0,4 L = 60 µH
RSE = 25 mΩ = 1,0 VS = 5,0 VP
S
NN
a) Diagrama de G(s)
GVV
VV
S
in
C
out == dB,G 621125
60 ===
HzC.L..
f 3252
10 ==
π HzC.RSE..
fz 15902
1 ==π
Resposta Transitória e Estabilidade• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
90
HdB_ f( )
1 106.1 f1 10 100 1 103 1 104 1 105 1 106
80
60
40
20
0
10
0
-10
20Ganho (dB)
100
-20 dB/dec
f (Hz)325 1k = 10k1590
-40 dB/dec
-20
21,5 dB
21,5 dB
(H )2
fcfp2
fz1= fz2 = f0
kHzfsfc 104
==
Para f = 10 kHz, o ganho de G(s) é de –21 dB
fz1 = fz2 = f0 = 325 Hzfp1 = 0 Hzfp2 = 5.f0 = 1625 Hz H2 = 21,5 dB ⇒⇒⇒⇒ H2 = 20log A2
075120
22 ,HAlog == 9,112 =A
0
221 log20
ff
HH p−= H1 = 21,5 – 13,8 = 7,68 dB = 20log A1 206,7log 1 =A
4,21 =A
Resposta Transitória e Estabilidade• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
90
HdB_ f( )
1 106.1 f1 10 100 1 103 1 104 1 105 1 106
80
60
40
20
0
10
0
-10
20Ganho (dB)
100
-20 dB/dec
f (Hz)325 1k = 10k1590
-40 dB/dec
-20
21,5 dB
21,5 dB
(H )2
fcfp2
fz1= fz2 = f0
ip
fz
RR
A =2 = 2,4
izizz RC
ff...2
121 π
== = 326 Hz
fzf RC ...21
π= 326 Hz
+
=
ipfz
fzipi
p
RRRR
Cf
....2
12
π
= 1600 Hz
kRiz 47=1...2
1
zizi fR
Cπ
= FCi µ01,0=
Resposta Transitória e Estabilidade• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
90
HdB_ f( )
1 106.1 f1 10 100 1 103 1 104 1 105 1 106
80
60
40
20
0
10
0
-10
20Ganho (dB)
100
-20 dB/dec
f (Hz)325 1k = 10k1590
-40 dB/dec
-20
21,5 dB
21,5 dB
(H )2
fcfp2
fz1= fz2 = f0
= 11,9
ip
fz
RR
izip
fz
RRR+
= 2,4
Ω= kRip 87,11
Ci.Riz = Cf .Rfz
fz
izif R
RCC
.= nFC f 33,3=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Interferências por radiofreqüência podem ser transmitidas por radiação direta
ou por condução através dos terminais de entrada.
• Interferências que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para
outros equipamentos, podendo provocar ruídos e mau funcionamento.
1C
2L
1R
2C
2R
1L
RedeAC
Fonte
Chaveada
• MEDIÇÃO DA INTERFERÊNCIA CONDUZIDA.
L1 = L2 = 500 µHC1 = C2 = 0,1 µFR1 = R2 = 150 Ω
LISN – Line Impedance Stabilization Network
Faixa de medição – 150 kHz a 30 MHz
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Causas da Interferência
Rede
+
V
-
C
+
-
E
Terra
Comutação do transistor
( )E2
T/2
ζ
VC
( -E/2 )
( )ζππζπ
..f.nsen.nsen..f.n
.EVn
=
21
22
22
Tf 1=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Se:
f = 50 kHzζ = 500 nsE = 150 Vn = 1 a 1000
dB
150 dB -20 dB/dec
-40 dB/dec
0
1 10 13 100 1000
n = 3f3 = 150 kHzV3 = 31,537 V
VV,log
VVlogV dB µµ 1
53731201
20 33 ==
V/dB,V dB µ571503 =
Amplitudes das tensões parasitas dependem:
• Da tensão E
• Da freqüência de comutação da fonte
• Dos tempos de comutação
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Propagação das tensões parasitas:
9,023202,0Cerâmica
4,296930,2Plástico
3,51601550,1Mica
εRC medido(pF)
C calculado(pF)
Espessura(mm)
Isolante
EspessuraÁreaC R ..0 εε= mpF /855,80 =ε
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Correntes parasitas simétricas – tensões de modo comum
C
R
F
N
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Correntes parasitas assimétricas – tensões de modo diferencial
C
R
F
N
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Exemplo
C = 150 pF ∴∴∴∴f3 = 150 kHz (freqüência de harmônica)V3 = 31,537 V
150.10150..210
..21
3
12
xfCX C ππ
== Ω=== 707315,0..2
101015,0.15,0.10..2
102
3
63
12
ππ xX C
mA,,XVi
C464
7073537313
3 === mV,mA,.i.RV 53344642
1502 33 ===∆
dB,VmV,logV dB 5170
15334203 ≅=∆
µ
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
a) Redução da capacitância de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador
b) Isolamento do dissipador em relação à massa
Cx = 80 pF para x = 1 mm
Cx = 4 pF para x = 2 cm
Dissipador afastado de uma distância x em relação à massa
C = 150 pF Capacitância entre dissipador e interruptor
Assim:
x
xTC CC
CCC
+=
.Assim, para x = 2 cm
pFCTC 9,34150
4.150 ≅+
=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
b) Isolamento do dissipador em relação à massa
33 2 V.C.f..i TCπ= A,,.x,.x..i µπ 92115537311093101502 1233 == −
VA,.V µµ 8694921152
1503 == dB,V dB 78783 =∆
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador
1C 2C
Dissipador
Placa
F
N
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simétricas
F
T
N
XC
R
2L
3L
a
b
Cx é baixa impedância para as correntes simétricas
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simétricas
R 3L
XC
2L
R
a
b
c
d
X
X
C
Ccd
CjR
CRjjXR
RXjZ
ω
ω
−
−=
−−
=2
/22
2
Ccd XRj
RZω21
2+
=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes assimétricas
1CyR
1L
R Cy
C
F
N
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
4,7nF
µ
2
CX
5mH
N
L
0,1 F
F
3L
Cy
Cy
4,7nF
5mH
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Influência da capacitância entre enrolamentos
CT
F
N
Primário Secundário
• Grades condutoras
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
• Exemplo de cálculo do filtro de rede
VCA = 220 V (tensão da rede).f = 60 Hz (freqüência de rede).P = 150 W (potência de entrada da fonte).E = 300 V (tensão mo estágio de corrente contínua, após o retificador de
entrada).fs = 50 kHz (freqüência de chaveamento).τ = 500 ns (tempo de subida da tensão de coletor do transistor).C = 50 pF (capacitância entre o transistor e a carcaça).VRdB= 54 dB/µV (nível da tensão máxima permitida nos resistores da rede
artificial, para 150 kHz).
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
1) Primeiro passo
f3 =150 kHz V3 = 15,8 dB2) Segundo passo – verificação do nivel de interferência de modo comum sem o
filtro de rede.
Ω≅== − kxxCW
X C 211050.10150..2
11123
33 π
mAkV
XV
iC
C 752,021
8,15
3
3
3 =Ω
==
Queda de tensão nos resistores da rede artificial.
mVmAiRV CR 4,56..752,0.752 33 =Ω==
VmV,log
VVlogV dBR µµ 1
456201
20 33 ==
V/dB,logV dBR µ95754203 == ∆V3dB = 95 – 54 = 41 dB/µV
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
3) Terceiro passo – escolha dos capacitores Cy, de modo comum
Cy = 5 nF
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
Ω= kXC 213
Ω=== − 106105.2.10150..2
1.2.
193
3 xxCWX
yCy π
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
Para V0dB = 54 db/µV, obtém-se
VVµ1
log2054 0= V0 = 500 µV mAVRV
i 0067,075
500
0
00 =
Ω== µ
Como i0 << , a tensão V0b é dada por
V,,.i.XV CCob y0807520106
3===
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
5) Quinto passo – Escolha de Cx
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
AVPi 68,0
220150 === ICx= 0,001.i = 0,0068A
FVf
iC XC
X µππ
084,0220.60..2
0068,0...2
=== CX = 0,1 µF
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
6) Sexto passo – Escolha de L2 e L3
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
∆VL = 0,01% V = 220V ∆VL = 2,2 V
ω(L2 + L3).i = ∆VL mHi
VLL L 58,868,0.60..2
2,2.0
32 ==∆
=+πω
mHLL
LL 28,42
3232 =
+==
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
7) Sétimo passo – Escolha do resistor de descarga
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
XD C
tR.21,2
= t = 1 s
Ω≅= MRD 5,41,0.21,2
106
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
ATN
10dB
REF 85. 0 dB VLOG10 dB/
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz
36. 0 7 dB VMKR 15.1 0 MHz
ACTV DET: PEAK
WA SB
SC FC
CORR
PASS LIMIT
A
MEAS DET: PEAK QP AVG
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
REF 85. 0 dB V
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz
29.98 dB VMKR 15.1 0 MHz
ACTV DET: PEAK
PASS LIMIT
MEAS DET: PEAK QP AVG
ATN
10dB
LOG10 dB/
WA SB
SC FC
CORR
A
Interferência Radioelétrica (RFI) nas FontesChaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
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