浮遊ゲート型flashメモリの動向 (シリコンムー … toshiba 講演の概要...
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1
TOSHIBA
浮遊ゲート型浮遊ゲート型FlashFlashメモリの動向メモリの動向
(シリコンムービー時代に向けた低消費電(シリコンムービー時代に向けた低消費電力・大容量フラッシュメモリの可能性)力・大容量フラッシュメモリの可能性)
((株)東芝株)東芝 セミコンダクター社セミコンダクター社
白田白田 理一郎理一郎
TOSHIBA
講演の概要講演の概要
1.各種次世代メモリの紹介
2.浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較
3.NAND型フラッシュメモリの開発戦略
デバイス技術
微細化
多値化
回路技術
4.大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向
2
TOSHIBA
各メモリのポジショニング各メモリのポジショニング
Hig
h Sp
eed
Low PowerLarge Capacity
High Speed ApplicationHigh Speed Application
Mobile ApplicationMobile Application StorageStorage
UniversalUniversal
Pseudo SRAMPseudo SRAM
Low Power SDRAMNAND FlashNAND FlashMLC NANDMLC NAND
3D ROM
FCRAMFCRAMRLDRAMDDR-Ⅱ SDRAMRambus DRAM
NOR FlashMLC NOR
Low PowerSRAM
NROM
QDR SRAMDDR SRAMSigma RAM
FeRAM
MRAM
OUM
embeddedembeddedeDRAMPLEDMFBC memory
NON VOLATILENON VOLATILENON VOLATILEVOLATILEVOLATILEVOLATILE
TOSHIBA
1.8V-2.5V18V10VProgramvoltage
1.8V-2.5V1.8V-2.7V1.8V-2.7V1.2V-1.8V1.8V-2.5VPower supply voltage
(64M/256M)
64M/128M(MLC)4G/8G
(MLC)256M/512M
36M/72M512M/1GDensity
(bit)
(8-15F2)10-20F24-6F26-12F2100-150F28F2Cell Size
(20n-100n)40n-100n>10MB/s20n-100n1n-100n15n-50nRead
20n20n--100n100n40n40n--100n100n10MB/s10us/B1n-100n15n-50nWRITE
(>1015)1012-1016105-106105-106Endurance
MRAMMRAMFeRAMFeRAMNANDNANDNORNORSRAMSRAMDRAMDRAM
Interface
PowerWrite/Read
SRAM LikeNANDSRAM LikeSRAMDRAM SRAM Like
1 / 1>10 / 1>10 / 11 / 11 / 1 >10 / 1
OUMOUM>1012
10n10n--50n50n
20n
(5-8F2)
(64M)
(1.8V-3.3V)
(>10 / 1)
(SRAM Like)
次世代メ次世代メモリ比較表モリ比較表(2003(2003~~2005)2005)
Non Volatile RAMNon Volatile RAM
>1015 >1015
1.8V-2.5V
(1.8V-3.3V)
3
TOSHIBA
次世代メ次世代メモリ比較モリ比較
++++++++++
----------NO
NO
++++++++++----------
----------++++++++++
AmorphousAmorphous
crystalcrystal
WL
BL
Plate (static)
WL
BL
Plate (plus)
WL
BL
WL
BL
DRAMDRAM FeRAMFeRAM MRAMMRAM OUMOUM
CapacitorCapacitor CapacitorCapacitor(Ferro electric)(Ferro electric)
MagneticMagneticTunnelTunnel
JunctionJunction
ChalcogenideChalcogenideGlassGlass記憶部記憶部
等価回路等価回路
““11”” DataData
““00”” DataData
----------Si
Si
Control Gate
Floating Gate
WL
Source
Drain
NANDNAND
FloatingFloatingGateGate
MeritMerit
DemeritDemerit
高速書き込み,読み出し低ビットコスト
スタンドバイ電流大揮発性メモリデータ保持時間
不揮発性メモリ高速書き込み,読み出しLogicとの混載
大容量化破壊読出し
不揮発性メモリ高速書き込み,読み出しLogicとの混載
書き込み電流大容量化
Logicとの混載不揮発性メモリ
書き込み電流大容量化
低ビットコスト不揮発性メモリ
書換え時間書換え回数ランダムアクセス
TOSHIBA
次世代メ次世代メモリ比較モリ比較
NORNOR 33D MemoryD Memory NROMNROM FBCFBC
FloatingFloatingGateGate AntiAnti--FuseFuse ONOONO BodyBody記憶部記憶部
等価回路等価回路
““11”” DataData
““00”” DataData
----------Si
Si
Control Gate
Floating Gate
WL
Source
Drain
NANDNAND
FloatingFloatingGateGate
WL
Source
Drain
----------Si
SiFloating Gate
Control Gate
WL
Source
Floa
ting
WL
Source
Drain
WL
BL
++++++++++Insulator
WL
Si
Insulator
WL
Si
----------Si
Control Gate
SiONO
P+N+
WL
BL
P+N+Anti Fuse
MeritMerit
DemeritDemerit
不揮発性メモリ
書換え回数大容量化
低ビットコスト
OTP
低ビットコスト不揮発性メモリLogicとの混載比較的容易
書換え回数
Logicとの混載製造プロセス
揮発性メモリ
低ビットコスト不揮発性メモリ
書換え回数ランダムアクセス
SOI
SOI
4
TOSHIBA
講演の概要講演の概要
1.各種次世代メモリの紹介
2.浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較
3.NAND型フラッシュメモリの開発戦略
デバイス技術
微細化
多値化
回路技術
4.大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向
TOSHIBA
フラッシュメモリ比較表フラッシュメモリ比較表 --CodeCode vsvs File Storage File Storage --
ファイル記憶
用 途 要 求 性 能
小型メモリーカード- デジタルスチルカメラ- 携帯音楽機器- PDA ... 等
ファイルストレージ- シリコンディスク
• プログラム時間が速い
• 消去時間が速い
• シリアルリードが速い
• ランダムアクセス時間が遅い
プログラム格納- 携帯電話- DVD- Set TOP Box
BIOS- PC 及び周辺機器
長 所 :
短 所 :
• ランダムアクセス時間が速い
• バイト単位でプログラム可能
• プログラムが遅い
• 消去が遅い
長 所 :
短 所 :
NAND
コード記憶
NOR
5
TOSHIBA
Principle of FlashPrinciple of Flash
FloatingGate
Drain (Vd)Source(Vs)
n+ n+
(b) Programp
ControlGate
Drain(Vd)Source
(Vs)
p
n+
(a)Erase
(3) Cell Condition
n+
Vth(V)
Number of bits
(2) Vt distribution
Erase
Program
Drain Current (Id)
CO
NTR
OL
GA
TE V
OLT
AG
E(Vc
g)
5V
Erase
Program
SHIFT
(1) Id-Vg
1V
0
TOSHIBA
Program / Erase MethodProgram / Erase MethodElectron Injection
-Page program - Byte program
Hot Electron
Program Current < 2-5mA
S D
VD
Vpp
FN tunneling
Program Current< 1uA
Vpp
Electron Emission
- High Speed Erase( 3ms/Block )
High VPE( 20v )
VPE
FN tunneling
- Low Speed Erase
(1s /Block)
LowVPE( 12v )
S D
VPE
Edge-FN tunneling
- High Speed Erase
(3ms/Block)
HighVPE( 20v )
S D
Poly-FN tunneling
VPE
6
TOSHIBA
Cell FunctionCell Function
FN tunnelingEdge-FN tunnelingHot Electron
NOR SANDISK AND
PROG.
ERASE
Prog. Speed
Vth
0V
20V
20V 20V
0V0V
18V
0V
-8V
6V
0V
Open
10V
-8V
-8V -8V
10V
0V
0V 7V
0V
0V
22V
12V
5V
0V
Open
0V
F
0V
12V
0.1MB/sec 0.5MB/sec
FN tunneling FN tunnelingPoly-FN tunnelingEdge-FN tunneling
Hot Electron
Vth(V)
Number
Vth(V)
Number
Vcc
Vth(V)
Number
Vcc
Vth(V)
Number
Vcc
0
0 0
0
Access Mode
2.0MB/secVery Fast2.5MB/sec
Random Serial Serial Serial
NAND
TOSHIBA
Cell ArrayCell Array
NOR SanDisk AND NAND
Erase gate(poly)
Unit Cell Unit Cell
Word line(poly) Word line(poly)
Source line(Diff. Layer)
Simplest wiringSmallest area
Word line(poly)
Bit line(metal)
Source line(Diff. Layer)
Unit Cell
Contact
Source line(Diff. Layer)
Word line(poly)
Bit line /Source line(metal)
Unit Cell
Sub Bit line (Diff. Layer)
7
TOSHIBA
Physical Bit Cell StructurePhysical Bit Cell Structure
SimplestSmallest
AND
2F
4F
2F
2F
SanDisk
3F
3F
9F2
NAND
8F2 4F2
5F
2F
NOR
Layout
Cross-section
Bit CellSize 10F2
F: Design Rule
TOSHIBA
AND String2 Diffused Lines
2F × 4F = 8F2
Common Source1.5 Diffused Lines
2F × 3F = 6F2
NAND String1 Diffused Line2F × 2F = 4F2
2F
New String0.5 Diffused Line
?4F
2F
3F
2F
2F
Is 4F2 the Final Cell Size ?
8
TOSHIBA
講演の概要講演の概要
1.各種次世代メモリの紹介
2.浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較
3.NAND型フラッシュメモリの開発戦略
デバイス技術
微細化
多値化
回路技術
4.大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向
TOSHIBAStart of Mass Production
‘93 ‘94 ‘95 ‘96 ‘97 ‘98 ‘99 ‘00 ‘01 ‘02 ‘03 ‘04
0.1
10
Cel
l Siz
e ( u
m2
)
1
LOCOS SA-STI
MLC
0.01
Multi Level Cell
Floating Gate
LOCOSTunnel Oxide
Control GateWSiONO
Control Gate ONOFloating Gate
Tunnel Oxide STI
WSi
SA-STI
0.25um
0.175um
0.13um
Cell Size TrendCell Size Trend
9
TOSHIBA
Top View NAND Flash memory cells
16 word-lines
2 select gates
Bit-linecontact
Source-linecontactActive area
STI
Top View Equivalent Circuit
TOSHIBA
Low Ion / Low Ion / Ioff Ioff Ratio is AllowableRatio is Allowable
Select Transistor(shut down from BL)
3.5v
3.5v
3.5v
0v
0v
0v
0v
0v
Selected Block
Non-selected Block
Selected cell
Bit Line“1”cell “0”cell
0V
Vcg of Selected WL(V)
Icell
(A)
Ioff
Ion
Ion/Ioff≧10
→ “1”/“0” Sencing OK
Scaling of Gate Length is easy
Short Channel Effect is negligible !
3.5V
10
TOSHIBA
STI NAND Cell StructureSTI NAND Cell Structure
STISTI
SLSL
GC(Word Line)
Substrate
Floating Gate
TOSHIBA
STI
0.15µm
Tunnel Oxide
1st poly-Si
P-well
0.4µ
m
0.25µm 0.30µm SiN
2nd poly-Si
Mask SiN
Spacer SiN
Mask SiN
Control GateInter-poly(ONO)
(a)
(b)
(c)
(d)
プロセスフロープロセスフロー
11
TOSHIBA
SelfSelf‐‐AlignedAligned STISTI Cell MicroCell Micro--PhotographPhotograph
STI
CG
1st FG
Cell size : 0.29μm2
2nd FG
0.3μm 0.25μm
TOSHIBA
講演の概要講演の概要
1.各種次世代メモリの紹介
2.浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較
3.NAND型フラッシュメモリの開発戦略
デバイス技術
微細化
多値化
回路技術
4.大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向
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TOSHIBA
NAND Flash Memory NAND Flash Memory ロードマップロードマップ
19961996
128128Mb SLCMb SLC
256256Mb SLCMb SLC
512512Mb SLCMb SLC
19971997 19981998 19991999 20002000 20012001 20022002 20032003 20042004
11GbGb SLCSLC
2Gbit MLC2Gbit MLCC
apac
ityC
apac
ity
YearYear
4Gbit MLC4Gbit MLC
1Gbit MLC1Gbit MLC
0.40.4umum
0.250.25umum
0.160.16umum
0.130.13umum
Design Rule
Design Rule
Maximum Density @2LC
Maximum Density @2LC
MLC : Multi Level CellMLC : Multi Level Cell
22GbGb SLCSLC0.100.10umum
MLC NANDMLC NAND
SLC NANDSLC NAND
MLC Technology MLC Technology
Large Capacity Large Capacity
TOSHIBA
多値技術の長所・短所多値技術の長所・短所
Vth(V)
(0)
(1)
2値 NAND(1 bit/cell)
Number of Bit
Vth(V)
(1,0)
(1,1)
(0,0)(1,0)
多値 NAND(2 bit/cell)
長 所
大容量化の加速 次世代容量の先取り低コスト化の加速 メガバイト単価の圧縮
短 所
パフォーマンスの低下信頼性の低下
大ブロックサイズの導入複数ページ同時書込モードの導入多ビット訂正能力を有するECCの提供
13
TOSHIBA
講演の概要講演の概要
1.各種次世代メモリの紹介
2.浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較
3.NAND型フラッシュメモリの開発戦略
デバイス技術
微細化
多値化
回路技術
4.大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向
TOSHIBA
C2
C1C1BL0
Cell Current
BL1 BL2
BL1
BL0
∆VBL
BL2
CellCurrent
C3C3
C2
C1C1
Shielded Bitline
BL1
BL0
BL2
∆VBL ≅ 0V
BL0
BL1
BL2
ビット線シールド技術ビット線シールド技術
シールド無 シールド有
14
TOSHIBA
VSH
BL0
BL1
CLAMP
M1
PRE
N1
SEN1
SEN0
BLT0
BLT1
BLS0
BLS1
SGS
小面積・低消費電力センスアンプ小面積・低消費電力センスアンプ
TOSHIBA
センス方式センス方式
LATCH
PRE
CLAMP
Nsense
Vbl
PRE
CLAMP
Vbl
Nsense
VG1VG3
ΔVbl
ΔVbl > VG1 - VG3
Bit lin
e
Sense amplifier
VG3-VtVG1-Vt
VG3-Vt
Vdd-Vt
ΔNsense = Vdd - VG3
ΔNsense
15
TOSHIBA
NAND (FN-Tunnel )
20V
P (Si-Sub)
NN
0V 0V
(Tunneling)
Si-Sub
Floating Gate
SiO2
1Cell : 5×10-9A
Page Program
Small Current
Tunnel Electron
NAND
FN-Tunnel
Low Power
512B/2KB Program
File Application
Fast Program
12V
P
NN
0V5V
(Hot Electron)
Large Current
1 Cell : 1×10-4A
1~8 Bit Program
SiO2
Floating Gate
Si-Sub
Hot-Electron
NOR (Hot-Electron)
NOR
Hot-Electron
High Power
Bit Program
Slow Program
Code Application
NAND technology can realize fast program.
NAND vs. NOR : Fast Program
TOSHIBA
NANDNANDフラッシュフラッシュ 高速書込技術高速書込技術
Serial Data in(512+16Byte)
①
528Byte
①Register
⑤
②Register
528Byte
⑤
528Byte
③Register
⑤
528Byte
④Register
⑤
Serial Data in
(512+16Byte)x4
① ② ③ ④
2.3 MB/s
6.8 MB/s
Block Page
16Byte512Byte
①Register
②Program
Block
16
TOSHIBA
Data Load 1KB 1KB
Row
Dec
oder
Page Prog.
Total Program Time = Data Load Time + Actual Program Time528B Page:Tprog. = 26.4µs + 200µs2KB Page: Tprog. = 26.4µs × 4 + 200µs
Fast Program with Write Cache
TOSHIBA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
512B 1KB 2KB 4KB 8KB
Prog
ram
Spe
ed (M
B/s
ec)
Page Size
Without Write Cache
With Write Cache
10.56 MB/s
6.91 MB/s
1G 4G256M64M 16GAppropriate Density →
Write Cache and Page Size
17
TOSHIBA
電源高圧回路電源高圧回路 (VDC)(VDC)
周辺回路Tr.はセルのトンネル膜を使用(~2.5V)
外部電源仕様:Max 3.6V
VDC
Vext
Flash chip
条件
• ワイドレンジ
• 安定性
• 低スタンドバイパワーVint
TOSHIBA
Cell BセルB
Selected Cell
Cell B Stress Time = 12ms
Cell A Stress Time = 84ms0V 7V
0V
20V
VM
VM
VM
20VCell A
VM (V)
Initial Vth = -2V
∆Vth (V)
1
0
0 5 10 15
∆Vth (V)
1
0
0 5 10 15
プログラム・ディスターブ・モードプログラム・ディスターブ・モード
18
TOSHIBA
Vfg Vfg
VpgmVpass
Cchannel
Ctunnel
Cono
Vfg
Vpass
Cj
NANDNAND列のチャネル・カップリング容量列のチャネル・カップリング容量
TOSHIBA
Vpass
Vpass
Programming Cell
Inhibiting Cell
GSL 0V
SSL Vcc
18V
ProgramBL=0V
InhibitBL=3.3V
8V8V
0V
18V
0V
0V0V
18V
0V
10V
0V
10V
0VVpgm
プログラム禁止電圧のバイアス条件プログラム禁止電圧のバイアス条件
19
TOSHIBA
Prog. StopSlow Prog. Cell
Fast Prog. Cell
No. of Program CyclesNo. of Program Cycles
Vref
VthVth
No. of Cells
5V
0V
(a) Without Verify
Vref
VthVth
No. of Cells
5V
0V
1 2 3 4 5
(b) With Verify
1 2 3 4 5
ビット毎ベリファイ方式ビット毎ベリファイ方式
TOSHIBA
0 50 100 150 200Program Time( µs )
-2
-1
(ii)Step-up Prog. Voltage
(ii)Step-up Prog. Voltage
0
2
(i)Constant Prog. Voltage
1
Vth ( V )
Program StartProgram Time
Electric Field
(i)Constant Prog. Voltage
(a) Program Characteristics (b) Electric Field through Tunnel Oxide
プログラム電圧固定プログラム電圧固定vs.vs.ステップ・アッププログラムステップ・アッププログラム
20
TOSHIBA
講演の概要講演の概要
1.各種次世代メモリの紹介
2.浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較
3.NAND型フラッシュメモリの開発戦略
デバイス技術
微細化
多値化
回路技術
4.大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向
TOSHIBA
NAND Flash Card Line UpNAND Flash Card Line Up
SmartSmartMediaMediaTMTM
SD CardSD Card Multi MediaMulti MediaCardCard
NANDNANDFlash DriveFlash Drive
ATA CardATA CardCompactCompactFlashFlashTMTM
~2GB~2GB~2GB~2GB~1~1GBGB~128MB~128MB ~128~128MBMB ~64~64MBMBLarge CapacityLarge Capacity
Compatible w/ HDDCompatible w/ HDDLarge CapacityLarge Capacity
PC CardPC CardMid CapacityMid Capacity
Compact Compact Thin !Thin !
Lowest CostLowest CostSmallSmall
Secured Secured SmallSmallThinThin
Digital CameraMP3 , IC Recorder
Note PCNetworking Server
Mobile Phone PDA FA Robot ATM / CDPOS System
Car NAVIDigital CAM Coder
No controller inside
NAND + ControllerNAND + ControllerNANDNAND
Industrial UseIndustrial Use
Digital ConsumerDigital Consumer
21
TOSHIBA
HDD vs. Flash Cost TrendHDD vs. Flash Cost Trend
TOSHIBA
unde r
2G
2-3G 3-5G 5-10G 10-
20G
20-
40G
40-
80G
ove r
80G
1998
1999
2000
2001
2002
17 .318 .6
10 .2
2 .9
0 .70 .20 .01 .0
3 .4
11 .7
16 .0
8 .8
2 .3
0 .50 .10 .1 0 .22 .0
10 .1
14 .2
7 .6
1 .60 .3
0 .1 0 .00 .31 .8
10 .612 .1
6 .1
1 .20 .1 0 .00 .20 .1
3 .7
9 .2
12 .3
3 .9
0 .4
HDD容量
YE
AR
HDD SALES REVENUE [B$]
Source:1999 DISK/TREND Report
HDD Sales Dependent on CapacityHDD Sales Dependent on Capacity
22
TOSHIBA
0.1
1
10
100
1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005
YEAR
Price
[10K¥]
HDD ASP
512MB~
128MB~
Flash Disk Target Price
Source: (NSC)
HDD vs. FDD Price ProjectionHDD vs. FDD Price Projection
TOSHIBA
NANDNANDフラッシュドライブフラッシュドライブ
THNIDxxxxBA (2.5インチ) THNIDxxxxBB (3.5インチ)
23
TOSHIBA
・DSC台数: 1030万台 / 2000年1480万台 / 2001年2000万台/ 2002年(ソース:日本写真機工業会)
市場規模
高画素化
フラッシュメモリの大容量化がデジカメの高画質化を援護
‘96 ‘97 ‘98 ‘99 ‘00 ‘01
4MB
8MB
16MB
32MB
64MB
128MB
画素数 35万 50万 80万 150万 200万 300万 500~600万
40枚
40~30枚
36枚
52枚
64枚
80~60枚
銀塩フイルムカメラの置き換えが進む
フラッシュメモ
リ容
量
1995年 カシオのQV-10出現に続き、カメラメーカ、家電メーカ参入で年率 36% で成長中
デジタルスチルカメラ市場動向デジタルスチルカメラ市場動向
TOSHIBA
シリコンオーディオ市場動向シリコンオーディオ市場動向
■ CD並の音質を1分/1メガバイトで実現MP3 / AAC / Twin VQ / Atrack3等の圧縮技術
■ インターネット配信 / CDからのRippingKiosk端末等からのダウンロード
■ 音楽著作権に対応メモリースティック / SDカード / ID付きSmartMedia
■ CD並の音質を1分/1メガバイトで実現MP3 / AAC / Twin VQ / Atrack3等の圧縮技術
■ インターネット配信 / CDからのRippingKiosk端末等からのダウンロード
■ 音楽著作権に対応メモリースティック / SDカード / ID付きSmartMedia
Diamond Multimedia
Creative
Sony
ToshibaAxiaMaxellHagiwara syscom
64Mバイトで1時間録音再生
ページプログラムによる高速書込み
・シリコンオーディオ台数 : 270万台 / 2000年1000万台 / 2003年 ( ソース : 野村証券金融研究所)
市場規模 1999年 MP3プレーヤの市場導入を契機に年率 72% の成長が期待される
24
TOSHIBA
その他の市場動向その他の市場動向
携帯電話■ データ転送速度の大幅向上 (exp.CDMA2000,WCDMA)
静止画/動画、デジタルコンテンツ等の本格通信始まる
データ格納先として大容量フラッシュ / リムーバブルメディアの搭載
TV ゲーム
■ インターネット通信等の高機能化によるデジタルコンテンツ等の格納大容量フラッシュメモリの搭載
Set Top Box
■ アプリケーションソフト、デジタルコンテンツ等の格納大容量フラッシュメモリの搭載
PS2用メモリーカードに内蔵
任天堂
TOSHIBA
$0
$2,000
$4,000
$6,000
$8,000
$10,000
$12,000
$14,000
1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006
NOR Combo NAND
Flash Memory Market Forecast
Source: web-Feet Research
NAND market will grow $8kM in year 2006!
25
TOSHIBA
Program:
2 MB/S
20 MB/S
Only NAND Flash Can Cover this field.Only NAND Flash Can Cover this field.
NAND Development DirectionNAND Development Direction
4F2
Unit Cell
HV
P-Sub
NN
0V 0V
FN-Tunnel
Small Current
Low Cost
Fast Program
Vth(V)
(1,0)
(1,1)
(0,0)(1,0)
High Density
Vth(V)
(0)
(1)
Number of Bit
Fast Program
Number of Bit
TOSHIBA
Dismiss Byte ReprogramAttain Small Cell Size
Dismiss Random ReadAttain Small Cell SizeAttain Fast Program
Focus on a Few but Strong Market ConceptsFocus on a Few but Strong Market Concepts
Byte EEPROM NOR NAND ?
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