فرآیند کاشت یونی

استاد:

دکتر شهرام محمد نژاد

ارائه دهنده:

علی خلفی

93اردیبهشت

مباحث

مقدمه•

ساختار دستگاه•

توقف یون•

دامنه توزیع•

آسیب دیدن شبکه•

کانال زنی•

1

فرآیند کاشت یونی

مزیت

ایجاد دوز باال

کنترل دوز بسیار دقیق

کنترل دقیق ولتاژ آستانه

MOSبرای دمای پایین

مورد نیاز برای فرآیند

امکان استفاده از مواد مختلف

برای ماسکعیب

آسیب دیدن شبکه بلور

2

یونیزه شدن

شتاب گرفتن

به نسبت بار به

جرم از هم جدا

شدن

حرکت به سمت نیمه هادی

3

تصویر کلی از دستگاه کاشت یونی

4

Analyzing magnet

5

Acceleration Column

6

Target

7

مکانیزم توقف یون هر یون پس از برخورد با هدف مورد نظر، با یک سری از

اتم های میزبان بر خورد کرده و در نهایت متوقف می

شود. برخورد االستیک بین یون و هسته اتم میزبان

پراکندگی یونی

برخورد غیر االستیک بین یون و الکترون اتم میزبان

:قدرت کل توقف به صورت زیر تعریف می شود

(1 )رابطه

شبیه سازی حرکت یون انواع حالت های توقفدر زیر بنا

8

دامنه توزیع هر یون برای نفوذ به هدف یک مسیر تصادفی را

طی می کند. متوسط مسیر طی شده توسط یون به صورت

تعریف می شود. نحوه ی توزیع یون در نیمه هادی به صورت یک

تابع گوسی با انحراف استاندارد مشخص می شود.

مختلف مواد در بور اتم استاندارد انحراف و توزیع دامنه لیستهای انرژی در سیلیکون در بروم نفوذ های پروفایل مقایسه

مختلف

9

نمایش توزیع فسفر در سیلیکون به صورت سه بعدی و دو بعدی

10

آسیب دیدن شبکه

زمانی که یون به نیمه هادی مورد نظر می رسد یک سریبرخورد ها بین یون و اتم های میزبان رخ می دهد که این

برخورد ها باعث جابجایی اتم های میزبان می شود. در نتیجه ی این جابجایی ها نیمه هادی حالت بلوری خود را

از دست داده و به حالت بی نظم می رود.

آسیب دیدن شبکه با یون

11

تابکاری

دتxه مxد بxد بایxر پس از این فرآینx30 الی 15ویف در جxه سxانتی گxراد 1000دقیقxه بxا دمxای تقریxبی

گرم شود، که به این فرآیند تابکاری گویند. واحیxام نxه تمxد از این کxار آن هم بعxک بxاری یxتابک

کاشته شدند انجام می شود.

تابکاری فرآیند

12

کانال زنیکریستالی جهت در ساده حرکت مکعبی شبکه در یون سه حرکت ی زنی نحوه کانال و توزیع تابع رابطه

13

زنی کانال مشکل حل

ایجاد سایه در ناحیه رشد

14

نفوذ و یونی کاشت فرآیند مقایسه

15

... تشکر با